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63岁黄仁勋生日宴请了30位SK海力士工程师：亲自倒酒 只为HBM4内存供应
当地时间2月14日，NVIDIACEO黄仁勋在63岁生日前三天，于美国加州圣塔克拉拉总部附近的99Chicken炸鸡店摆下庆生宴，专门邀请了30位SK海力士的核心工程师赴宴，这些工程师均负责DRAM及HBM4相关的研发与...[详细]
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消息称三星电子 1c nm 制程 DRAM 内存良率达 80%，HBM4 良率接近六成
2 月 24 日消息，韩媒 ETNEWS 当地时间昨日报道称，三星电子的 1c nm 制程 DRAM 内存在高温环境热测试中的良率已达 80%，相较 2025Q4 的 60~70% 明显提升，显示该工艺的量产成熟度有了很大改进，商业化阶段的盈利能力大...[详细]
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消息称三星半导体设定 50% 营业利润率目标，聚焦高利润产品
2 月 22 日消息，韩媒 ETNEWS 当地时间本月 18 日援引业内消息人士报道称，三星电子的 DS 设备解决方案部（注：即三星半导体）设定了 50% 营业利润率的战略目标，为此计划显著提升产品组合的盈利能力。这意味着三星半导体将把精力放...[详细]
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消息称英伟达考虑对 Rubin GPU 的 HBM4 需求分档，兼顾性能与供应
2 月 22 日消息，韩媒 ETNEWS 当地时间 19 日报道称，英伟达正考虑在 Rubin AI GPU 的 HBM 内存上采用 Dual Bin 策略，即划定两个不同的速度级别，在性能与供应两个方面实现均衡。具体而言，英伟达考虑在核心产品中应用 1...[详细]
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存储厂一边扩产一边涨价！HBM4较上代跳涨近三成
据媒体报道，面对持续发酵的全球存储器供应短缺，韩国两大半导体巨头正加速产能布局。SK海力士计划将原定于2027年5月竣工的龙仁一期晶圆厂，提前至明年初（2—3月）启动试营运；三星电子也拟将平泽P4工厂的投产时间从原计划的...[详细]
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消息称三星 HBM4 芯片最高涨价 30%，公司股价创历史新高
2 月 19 日消息，当地时间周四，韩国当地媒体报道称，三星电子正就其最新一代人工智能存储芯片进行定价谈判，价格较上一代产品最高上浮 30%，受此消息影响，三星电子股价创下历史新高。韩国股市结束三天假期重新开市后，这家芯片制造商...[详细]
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3 月 16 日见：英伟达黄仁勋预热“令世界惊讶”的芯片
2 月 19 日消息，在接受《韩国经济日报》采访时，英伟达首席执行官黄仁勋预热，在 3 月 16 日在圣何塞举行的 GTC 2026 大会上，英伟达将揭晓一款“令世界惊讶”的芯片。黄仁勋未透露具体型号，但明确暗示这款新硬件将把当前的物理极限...[详细]
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锁定3月16日！黄仁勋放话：英伟达将推出一款令世界惊讶的芯片
据报道，英伟达首席执行官黄仁勋在接受采访时表示，将于3月16日在美国加州圣何塞举办的GTC 2026大会上，推出一款“令世界惊讶”的全新芯片产品。尽管黄仁勋并未披露新品具体型号，但他明确暗示，这款新硬件将把当前芯片的物理性...[详细]
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消息称三星、SK 海力士面临 HBM4 产能、良率问题，或促使英伟达放宽要求
2 月 13 日消息，据韩媒 ZDNet 今天报道，全球三大 DRAM 厂商之间的“HBM4”竞争正日益激化，其中三星电子昨日率先量产 HBM4，抢在 SK 海力士和美光之前。据业内消息，三星电子、SK 海力士计划本月向英伟达提供 HBM4“风...[详细]
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速率最高可至13Gbps！三星宣布HBM4正式量产
据媒体报道，三星日前宣布，已正式启动HBM4内存的量产，并同步向客户交付商用产品。这是业界首次将4nm制程的基础裸片与1cnm级别DRAM工艺相结合，从量产初期即实现稳定良率与领先性能，无需额外设计调整，为三星在HBM4...[详细]
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不止于HBM4 三星将研发2款全新HBM：2.8倍性能 功耗不变
AI发展对高性能存储芯片HBM的需求极高，引发本轮内存大涨价的核心原因就是HBM需求高涨导致三星等公司将产能转向HBM。三星之前在HBM上被SK海力士、美光抢了先，但在HBM4时代他们追上来了，日前宣布正式量产，但他们不...[详细]
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行业首个，三星电子启动 HBM4 内存量产并向客户交付商用产品
感谢网友 若怡、西窗 的线索投递！ 2 月 12 日消息，北京时间今天下午，三星电子通过新闻稿宣布：HBM4 内存现已启动量产，并向客户交付商用产品。获悉，三星据此成为业内首家实现 HBM4 商业化交付的企业。根据官方介绍，三星此次直接采...[详细]
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美光 CFO 澄清：HBM4 内存已大规模量产，整体进度好于此前预期
2 月 12 日消息，Micron 美光首席财务官 Mark Murphy 在当地时间昨日举行的 Wolfe Research 汽车、汽车技术与半导体会议上澄清称，该企业的 HBM4 内存已大规模量产，整体进度好于此前预期。Mark Murphy...[详细]
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事关HBM与AI合作！SK会长被曝与黄仁勋在美举行炸鸡会谈
据媒体周一援引业内消息人士报道称，韩国SK集团会长崔泰源已在美国与英伟达首席执行官黄仁勋会面，双方就高带宽内存（HBM）供应以及更广泛的人工智能（AI）业务合作事宜进行了商讨。消息人士称，此次会面于本月早些时候在加州的一...[详细]
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消息称美光痛失英伟达 HBM4 大单，韩系双雄 SK 海力士、三星瓜分市场
2 月 10 日消息，SemiAnalysis 行业分析显示，韩系厂商 SK 海力士与三星将主导下一代高带宽内存市场，而美光（Micron）因技术路线受挫，或将痛失英伟达下一代 Rubin 芯片的 HBM4 订单，份额恐降至 0%。行业分析机...[详细]
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美光出局！无缘NVIDIA Rubin首年订单：HBM4成韩系巨头内战
据半导体研究机构SemiAnalysis最新报告，美光HBM4将被排除在NVIDIA Rubin首年量产供应链之外，主要采用韩国巨头SK海力士与三星的产品，形成韩系双寡头垄断局面。报告指出，目前无任何迹象表明NVIDIA会...[详细]
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全球首次！HBM4大规模量产出货：NVIDIA首发 黄仁勋成最大赢家
三星电子将于本月下旬，也就是农历新年假期（今年2月17日为农历初一）之后，正式向NVIDIA批量交付HBM4高带宽存储芯片，标志着全球范围内HBM4芯片首次实现大规模量产与出货。业内消息显示，三星电子已顺利通过NVIDI...[详细]
2026-02-09 18:00:36 -
抢占先机！三星电子预计本月下旬率先向英伟达交付HBM4
三星电子或将于本月下旬开始向英伟达交付其高带宽存储芯片HBM4，这将标志着全球首次HBM4大规模量产和出货。业内消息人士透露，三星电子已决定在即将到来的农历新年假期（2月17日为农历初一）之后开始向英伟达供应HBM4产品...[详细]
2026-02-09 17:01:50 -
最快下周交付英伟达，消息称三星本月启动 HBM4 内存大规模生产
2 月 8 日消息，今天上午，据韩国《中央日报》援引多名行业人士消息称，三星电子将于本月底启动全球首款第六代高带宽内存 HBM4 的量产。消息称三星最快下周即可向英伟达交付 HBM4 芯片，主要用于英伟达的 GPU 产品，提供生成式 AI 系...[详细]
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曝英伟达将使用 SK 海力士、三星 HBM4 生产 Vera Rubin AI 系统，美光缺席核心内存供应
2 月 7 日消息，据科技媒体 TechPower Up 今天报道，英伟达“Vera Rubin”AI 系统计划今年夏季出货，采用 VR200 NVL72 服务器级解决方案，可用于驱动下一代 AI 大模型。半导体供应链追踪机构 SemiAnalys...[详细]
2026-02-07 14:02:46 -
扩产近两成：消息称三星电子将在平泽 P4 建设大型 HBM4 用 1c nm 内存产线
2 月 5 日消息，韩媒 hankyung 当地时间今日报道称，三星电子计划在平泽 P4 晶圆厂综合体建设一条用于生产 HBM4 内存所需 1c nm DRAM Die 的大型生产线。该生产线计划明年一季度投入生产，月产能达 10~12 万片晶圆。作为...[详细]
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AI重塑竞争格局 SK海力士年度利润首次超越三星
凭借在人工智能（AI）芯片所需的高带宽存储器（HBM）的领先优势，SK海力士在2025年首次实现营业利润超越竞争对手三星电子。本周，两家韩国存储芯片巨头均公布了财报。SK海力士全年实现创纪录的47.2万亿韩元营业利润（约...[详细]
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消息称 SK 海力士已拿下英伟达三分之二 HBM4 订单
据韩联社报道，在今年围绕下一代高带宽内存（HBM）HBM4 供应的竞争让半导体行业持续升温之际，业内消息称，SK 海力士已拿下最大客户英伟达超过三分之二的订单量。消息称英伟达今年用于下一代 AI 平台“Vera Rubin”等的 H...[详细]
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被AMD逼急了！NVIDIA下代芯片不敢挤牙膏：带宽飞跃至22.2TB/s
NVIDIA与AMD在AI芯片上的竞争愈发激烈，为了应对AMD的Instinct MI455X AI芯片的挑战，NVIDIA正在对其下一代Vera Rubin平台进行升级，特别是在内存带宽方面。SemiAnalysis透露，在...[详细]
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消息称:三星正开发4~2nm定制HBM基础裸片解决方案
IT之家 1 月 21 日消息，韩媒 ZDNET Korea 今日报道称，三星电子将在 HBM4 后的定制 HBM 内存上延续“制程优势”策略，提供从 4nm 直到当前最先进的 2nm 的一系列基础裸片 (Base Die) 解决方案。IT之家注：台积电则...[详细]
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消息称三星电子 1** DRAM 内存良率已突破量产盈亏平衡点
韩媒 IT Chosun 昨日报道称，三星电子的第六代 10 纳米级 DRAM 内存制程工艺（IT之家注：即 1**）目前的良率已提升至约 60%，突破了量产盈亏平衡点。此举被视为一项重要里程碑，因为三星电子 HBM4 内存便基于 1** DRA...[详细]
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AMD苏姿丰秀出全球首款2nm CPU GPU芯片！22600个核心＋31TB HBM4内存
2026年，AMD、Intel都没有全新的桌面级处理器，移动端也只有Intel Panther Lake即酷睿Ultra 300系列，但是在数据中心和AI市场，AMD将奉上重磅新品！CES 2026大展上，AMD CEO苏姿丰博士...[详细]
2026-01-12 17:51:45 -
存储芯片价格大涨！三星第四季度业绩破纪录 利润飙升208% DRAM市场第一
今日，三星电子发布2025年第四季度初步业绩。数据显示，三星电子去年10月至12月期间的营业利润为20万亿韩元（约合138.2亿美元），同比大幅增长208%，创下公司历史上单季度营业利润新高。Counterpoint Re...[详细]
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韩国基准股指新年“开门红”：三星、SK海力士双双创新高
周五（1月2日），韩国基准股指Kospi在其2026年首个交易日中首次突破4,300点关口，收盘创历史新高，而这主要由大型半导体股的强劲上涨所牵引。基准韩国综合股价指数（KOSPI）收涨2.27%于4309.63点，首次...[详细]
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消息称三星加速建设韩国工厂新产线：回应 DRAM 市场需求，有望提前投产
据韩媒 ChosunBiz 昨天报道，随着人工智能带动存储半导体产业走向火热，三星正在推动其韩国半导体工厂扩张产能。在决定重启建设平泽市 P5 产线后，公司已进入招标基础设施阶段，同时平泽 P4 工厂也有了扩充产能的新动向。据业内消...[详细]