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三星电子副会长全永铉与英伟达黄仁勋会面，讨论 HBM4、晶圆代工等
感谢网友 江山已旧、不一样的体验 的线索投递！ 6 月 8 日消息，据首尔经济日报报道，三星电子副会长兼联席 CEO 全永铉（Young Hyun Jun）周一出席了在首尔市中区新罗酒店迎宾馆举行的英伟达“韩国 AI 生态系统招待会”。获悉，在...[详细]
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想看到存储价格暴跌 估计难了！黄仁勋喊话内存短缺将持续数年 价格还要涨
短短一年多时间，在AI人工智能产业爆发式增长的强力拉动下，全球存储芯片价格已经接连翻了好几倍。尽管外界一直有不少唱衰存储价格、预判行情很快崩盘的言论，但英伟达CEO黄仁勋显然完全不认同这类判断。近日，黄仁勋在韩国首尔公开...[详细]
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英伟达 Rubin 机架内存缩水一半？市场误读导致美光市值蒸发逾 1000 亿美元
6 月 6 日消息，半导体行业独立研究公司 SemiAnalysis 于 6 月 4 日发布一份晨间简报，预估英伟达 Rubin NVL72 的 SOCAMM 容量从 55TB 降至 28TB，引发美光股价盘中跌超 10％。该简报指出英伟达下一代 Vera R...[详细]
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英伟达黄仁勋：三星、SK 海力士、美光通过认证，有资格供应 HBM4 内存
感谢网友 HH_KK、取什么名、华南吴彦祖 的线索投递！ 6 月 5 日消息，据彭博社报道，英伟达公司首席执行官黄仁勋首次确认，英伟达已对三家最大的内存芯片制造商进行了认证，允许其为英伟达的人工智能（AI）加速器供应其最先进的高带宽...[详细]
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AMD 展示其首个机架级 AI 平台 Helios，对垒英伟达 NVL72 VR200
6 月 5 日消息，科技媒体 Tom's Hardware 今天（6 月 5 日）发布博文，报道称在 2026 台北国际电脑展上，AMD 公开展示其首个机架级 AI 平台 Helios。注：首批方案由合作伙伴展示，核心配置包括第 6 代 EPYC Venic...[详细]
2026-06-05 10:00:27 -
内存涨价没完没了！TrendForce：2027年还要翻倍上涨
TrendForce集邦咨询最新研究指出，自2025年下半年以来，一般型DRAM价格大涨，反映供不应求的市场状况，而三大原厂的HBM年度议价机制导致HBM合约价无法及时反映季度涨价趋势。随着2026年二季度买卖双方开始谈...[详细]
2026-06-03 10:02:08 -
HPB散热加持！三星HBM5预计2028年实现量产
据媒体报道，三星电子计划采用其自研的2nm工艺制造HBM5内存，预计2028年左右实现量产。在散热技术方面，HPB（Heat Path Block）将成为HBM5中的核心热管理方案。具体而言，HPB是一种集成在芯片封装内部的...[详细]
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集邦咨询：三大原厂明年将大幅调高 HBM 报价
6 月 2 日消息，集邦咨询 2 日（今天）下午发布的最新研究指出，自 2025 年下半年以来，一般型 DRAM（Conventional DRAM）价格大涨，反映供不应求形势之际，三大原厂的 HBM 年度议价机制，导致 HBM 合约价无法及时反...[详细]
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三星电子业内率先出样 HBM4E 内存
感谢网友 华南吴彦祖 的线索投递！ 5 月 29 日消息，三星电子 (Samsung Electronics) 韩国当地时间今日宣布，已开始向全球主要客户交付业界首批 12 层 (12Hi) HBM4E 样品。三星的 HBM4E 可提供稳定的 14Gbp...[详细]
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韩 AI 芯片企业 FuriosaAI 携手博通开发下一代 2nm 推理加速器
感谢网友 华南吴彦祖 的线索投递！ 5 月 28 日消息，韩国 AI 芯片企业 FuriosaAI 当地时间 27 日宣布将与 Broadcom（博通）合作开发其第三代（下一代）AI 推理加速器，目标 2028H1 出样。这一芯片将结合 2nm 先进制程的...[详细]
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人均270万！三星存储员工天价奖金落定：更大的危机要来了
今日，三星电子工会以73.7%赞成票正式通过临时薪资协议，原计划18天的总罢工宣告取消。协议明确，三星全体员工年薪平均上调6.2%，其中基本工资涨4.1%、绩效涨2.1%。半导体（DS）部门设立营业利润10.5%的特别绩...[详细]
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美光警告：AI算力狂飙 内存短缺将延续至2026年后
据报道，美光科技官方发出预警，受人工智能领域对HBM、DRAM及NAND产品需求激增影响，全球内存市场供应紧张局面将持续至2026年之后。摩根大通发布投资报告称，美光科技管理层在第54届全球科技、媒体与通信年度大会上明确...[详细]
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美光 HBM4 增产进展顺利，HBM4E 计划明年启动大规模生产
5 月 25 日消息，据韩媒 The Elec 今日报道，美光科技第六代高带宽内存 HBM4 目前正在顺利扩大产能，同时还计划于明年启动下一代 HBM4E 标准产品量产。当地时间 5 月 20 日，美光科技全球运营执行副总裁马尼什 · 巴蒂亚在摩根大通...[详细]
2026-05-26 02:04:27 -
拒绝挤牙膏！美光HBM4产出效率暴涨2倍 明年量产HBM4E已锁定
据报道，美光第六代高带宽内存HBM4产能爬坡进展顺利，其产能提升速度较上一代HBM3 12层产品实现2倍增长，且良品率优化速度显著加快。美光科技全球运营副总裁马尼什·巴蒂亚日前在摩根大通投资大会确认，该产品将应用于英伟达A...[详细]
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内存降价别想！DRAM大厂南亚科：缺口至少到明年底
中国台湾DRAM大厂南亚科技5月21日召开股东会，总经理李培瑛释放多项信号。他明确表示，当前客户需求远高于供给，不少客户主动要求签订两至三年的长约，缺货状况至少到明年底都会维持紧张，展望2028年供需缺口预计仍将持续。李...[详细]
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烧钱无底洞！英伟达Vera Rubin内存成本狂飙435% 单机物料开销已超5300万
摩根士丹利研究报告披露了英伟达即将发布的Vera Rubin架构NVL72机架物料清单（BoM）。数据显示，Vera Rubin平台整机预估总物料成本高达780万美元（约合5304万元人民币），其中内存成本占比已从Grace...[详细]
2026-05-21 16:03:33 -
NVIDIA财报挑战6万亿美元市值大关：CPU要成核心业务了
NVIDIA股价近期大涨，不仅收复了之前的5万亿美元大关，新高冲到了5.5万亿亿美元，未来能挑战6万亿美元的恐怕还得是NVIDIA。问题来了，NVIDIA下一轮增长靠什么呢？过去三年暴涨靠的是AI GPU显卡，即将发布的2...[详细]
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韩国总理金民锡：三星罢工或将造成 100 万亿韩元经济损失
5 月 17 日消息，在三星电子既定总罢工举行仅剩四天之际，韩国政府强力敦促该企业劳资双方放弃罢工这一极端举措，通过对话与协商化解危机。政府担忧此次罢工或将引发重大经济灾难：单日直接损失最高可达 1 万亿韩元（注：现汇率约合 45....[详细]
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别听传言了！英伟达Vera Rubin已经打包 微软谷歌亚马逊等硅谷大厂翘首以盼
针对此前关于Vera Rubin设计变更及规格变动的传闻，业内人士透露英伟达已与ODM合作伙伴敲定最终量产方案，相关设计问题已在发货前解决，新一代AI平台的发布计划正按既定时间表推进。依照时间表，Vera Rubin平台将于...[详细]
2026-05-11 11:03:49 -
新紫光发布“紫弦”三维化近存计算架构：存储带宽可达 30TB/s
5 月 9 日消息，新紫光集团 5 月 6 日于北京举行 2026 创新峰会，会上新紫光前沿技术研究院发布“紫弦”三维化近存计算 (PNM) 架构。这一架构以 3D DRAM 为核心，首创 3.5D 异质异构集成方案，存储带宽可达 30TB/s，对比行业...[详细]
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三星史上最大罢工逼近！刚宣布家电退出中国大陆，本土也「后院起火」？羡慕竞品工装成「脱单神器」？
新浪科技综合据媒体报道，三星电子旗下最大的工会组织——三星全国工会（NSEU）已宣布，计划于5月21日至6月7日发起为期18天的大规模罢工。工会的核心诉求包括：废除绩效奖金50%的上限、争取7%的基本薪资涨幅，以及要求将...[详细]
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三星芯片部门劳资谈判破裂：13% 利润奖金是否长期化成关键分歧
5 月 7 日消息，代表三星电子芯片制造部门员工的三星电子全国工会，与公司管理层的谈判，似乎因单一核心议题彻底破裂。据《金融时报》报道，双方已基本达成共识：拿出 13% 的营业利润作为员工奖金，折算下来每位员工约合 34 万美元（注：...[详细]
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消息称三星 4nm 产能全部订满，订单排到明年
5 月 5 日消息，据 ZDNET Korea 当地时间 5 月 3 日报道，三星晶圆代工（Samsung Foundry）旗下的 4 纳米生产线明年之前的产能已进入“全部订满”状态。这是次世代内存 HBM4 正式量产与全球大科技公司订单叠加的结果。...[详细]
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432GB显存MI450发威 AMD显卡全年能卖出1000亿元
最近AMD股价也跟Intel一样连续大涨，这次的逻辑是AI时代CPU价值重估，而AMD手握EPYC处理器，在AI浪潮中比机会比友商更有优势。GPU方面，虽然AMD是远远比不上NVIDIA，但今年的机会要大很多，一方面是各...[详细]
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三星电子计划 2026Q2 出样 HBM4E 内存
4 月 30 日消息，三星电子 (Samsung Electronics) 今日公布了正式的 2026Q1 财报并对各业务的发展进行了介绍，其中在存储器业务部分提到，计划 2026Q2 出样 HBM4E 内存。三星电子设备解决方案 (DS) 部存储...[详细]
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三星1dnm DRAM良品率未达标 或导致HBM5E推迟量产
据媒体报道，最近有消息人士透露，三星基于1dnm制程（第七代 10nm 级别工艺）的 DRAM 芯片在试产阶段良品率低于预期。三星已计划无限期推迟大规模量产，直至良品率达到既定目标。为此，三星可能会全面审查工艺流程，以进一步提升...[详细]
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赶超SK海力士梦碎：三星猛冲高端内存 却栽在基础良品率上
三星在高端内存领域的追赶步伐遭遇重大挫折。由于关键基础技术D1d DRAM的良率未能达到内部设定目标，三星已决定无限期推迟下一代HBM5E内存的量产计划。此次出问题的D1d DRAM是三星第七代10纳米级工艺，原本是未来HB...[详细]
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三星急了！HBM研发缩至一年：全力绑定英伟达抢单
据报道，三星电子已正式决定将高带宽内存（HBM）的研发周期从此前约两年大幅缩短至一年以内。据悉，三星已制定并正在执行一项计划，每年推出新一代HBM，以配合英伟达等主要客户新款AI加速器的发布节奏。HBM是AI加速器的核心...[详细]
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消息称 AMD 赢得 Anthropic 大单，MI450 GPU 部署应对 AI 算力短缺
4 月 18 日消息，科技媒体 Wccftech 昨日（4 月 17 日）发布博文，报道称 AMD 已与 AI 公司 Anthropic 达成合作，后者计划采用 Instinct MI450 AI 加速器。消息称受行业算力供应短缺影响，Anthropic 寻...[详细]
2026-04-18 14:04:54 -
三星吹响 AI 竞争号角，HBM 开发周期砍半缩至 1 年
4 月 18 日消息，科技媒体 Wccftech 昨日（4 月 17 日）发布博文，报道称三星电子为应对 AI 市场需求激增，并匹配英伟达等主要客户每年推出新 AI 加速器的节奏，将高带宽内存（HBM）开发周期从 2 年大幅缩短至 1 年。消息称三星电...[详细]