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Counterpoint：三星电子存储器业务 2026Q1 创造 504 亿美元营业收入
4 月 8 日消息，Counterpoint Research 昨日表示，存储器业务在 2026 年第 1 季度为三星电子创造了 504 亿美元（注：现汇率约合 3463.6 亿元人民币）的营业收入，占到企业整体营收的 55.5%。这一数额相较上一...[详细]
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1.38 万亿元！2026年半导体行业烧钱大战创新高：台积电三星领跑
SC-IQ (Semiconductor Intelligence)最新报告显示，2025年全球半导体行业资本支出约1660亿美元，较2024年增长7%。该机构预计，2026年全球半导体资本支出将进一步攀升至2000亿美元（...[详细]
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存储一哥砸450亿提高存储产能：手机PC还要猛涨！
近期存储市场的短缺促使三星等行业巨头纷纷开启扩产模式。然而，即便产能正在扩大，消费电子产品所使用的存储芯片依然难以迎来降价，这背后的逻辑值得深究。目前，三星电子已确认向光刻机巨头ASML订购了约20台极紫外（EUV）光刻...[详细]
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三星投450亿买20台EUV光刻机 提高HBM4产能：不管手机等消费存储死活
近期存储市场的短缺促使三星等行业巨头纷纷开启扩产模式。然而，即便产能正在扩大，消费电子产品所使用的存储芯片依然难以迎来降价，这背后的逻辑值得深究。目前，三星电子已确认向光刻机巨头ASML订购了约20台极紫外（EUV）光刻...[详细]
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三星电子第一季度营业利润同比暴增 755% 创纪录，AI 存储芯片成核心驱动力
感谢网友 西窗 的线索投递！ 4 月 7 日消息，尽管中东战乱引发诸多不确定性，三星电子季度利润仍飙升八倍，表现远超市场预期，凸显出人工智能存储芯片的旺盛需求。以云服务提供商为首的客户正大幅增加用于数据中心的高带宽内存及其他芯片的订...[详细]
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下调降至150万颗！HBM4验证延迟拖累英伟达Rubin GPU量产
据媒体报道，英伟达新一代Rubin GPU的量产进度可能略有延迟，Rubin GPU的生产目标已从此前预期的200万颗下调至150万颗。主要受制于下一代高带宽内存HBM4的验证进展。KeyBanc Capital Markets...[详细]
2026-04-07 10:02:46 -
消息称三星电子泰勒逻辑厂启动光刻机调试，平泽 DRAM 厂下达设备订单
4 月 6 日消息，综合两家韩媒 edaily 和 ZDNET Korea 的报道，三星电子的半导体部门正加快扩产速度，因应 AI 热潮下对先进逻辑与存储半导体产能的需求。在逻辑芯片方面，据 edaily 昨日报道，三星电子位于美国得克萨斯州泰...[详细]
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NVIDIA下代Rubin Ultra大调整！规格直接腰斩：放弃四芯封装转向双芯
据报道，NVIDIA对下一代数据中心GPU Rubin Ultra进行了重大设计调整，从此前计划的四芯片（Die）封装设计回归双芯片方案，以降低供应链复杂度和制造风险。NVIDIA目前保持一年一代的产品迭代节奏，但供应链合作...[详细]
2026-04-02 14:04:13 -
NVIDIA下代Rubin Ultra大调整！规格直接腰斩：放弃四芯封装转向双芯
据报道，NVIDIA对下一代数据中心GPU Rubin Ultra进行了重大设计调整，从此前计划的四芯片（Die）封装设计回归双芯片方案，以降低供应链复杂度和制造风险。NVIDIA目前保持一年一代的产品迭代节奏，但供应链合作...[详细]
2026-04-02 12:01:05 -
消息称三星将向 OpenAI 供应 HBM4 芯片，用于后者首款自研 AI 处理器
3 月 19 日消息，据《韩国经济日报》报道，三星电子计划向 OpenAI 供应其下一代高带宽内存（HBM4）芯片，用于这家 ChatGPT 开发商的首款自研人工智能处理器。去年，三星已签署意向书，为 OpenAI 的数据中心供应内存芯片...[详细]
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三星电子社长卢泰文会见 AMD CEO 苏姿丰，或扩大合作范围
3 月 19 日消息，据韩联社报道，三星电子代表理事兼设备体验（DX）部门总裁（社长）卢泰文今日在位于首尔瑞草区的公司总部会见到访的美国超威半导体公司（AMD）董事会主席兼首席执行官苏姿丰。报道称，苏姿丰抵达三星电子总部大楼后...[详细]
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CPU、显卡这波稳了 AMD获得DDR、HBM内存供应大单
内存芯片的缺货、涨价已经不是影响大家装机成本提升多少的问题了，对各大厂商来说获得足够的供应才是关键，AMD现在跟三星的合作带来了稳定的内存供应。前几天就有报道称AMD CEO苏姿丰要前往韩国拜会三星总部，洽谈双方的合作，虽...[详细]
2026-03-19 12:03:51 -
美光确认 HBM4E 基于 1γ DRAM，未来 1δ 工艺将使用最新 EUV 光刻设备
3 月 19 日消息，Micron 美光在其 FY2026Q2 财报会议上表示，预计 2027 年量产的下一代 HBM 内存 —— HBM4E 正在开发之中，其将基于 1γ（1-gamma，即第 6 代 10nm 级）工艺的 DRAM Die，相较 HBM4 实现...[详细]
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三星将为 AMD 下一代 AI 加速器供应 HBM4 内存，并探讨晶圆代工业务
3 月 18 日消息，今天下午，三星电子与 AMD 宣布签署谅解备忘录，双方将扩大在 AI 基础设施内存供应方面的战略合作。两家公司表示，合作将围绕为 AMD 下一代 Instinct MI455X AI 加速器提供 HBM4 高带宽内存，同时为 AM...[详细]
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NVIDIA宣布全新Rosa CPU：2028年见 死磕Intel、AMD
快科技3月18日消息，NVIDIA CPU处理器正在从内部自用，转向内外兼备，既自己用，也对外卖。这一转变就从当下的Vera CPU开始，基于Arm指令集、自研架构、72核心，结合空间多线程、高速互连等创新技术，号称IPC性...[详细]
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NVIDIA宣布全新Rosa CPU：2028年见 死磕Intel、AMD
NVIDIA CPU处理器正在从内部自用，转向内外兼备，既自己用，也对外卖。这一转变就从当下的Vera CPU开始，基于Arm指令集、自研架构、72核心，结合空间多线程、高速互连等创新技术，号称IPC性能提升1.5倍、单线程...[详细]
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三星电子：HBM5 与 HBM5E 将分别升级基础裸片与 DRAM 的制程
3 月 18 日消息，三星电子存储器开发副总裁 ??? 当地时间本月 16 日在 GTC 2026 现场表示，三星将在 HBM5 和 HBM5E 世代分别升级 HBM 内存基础（逻辑）裸片和 DRAM 裸片的工艺，而 HBM4E 的制程则将与 HBM4 相同。整理...[详细]
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NVIDIA创造全新Groq 3 LPU：500MB SRAM高速缓存 7倍带宽碾压HBM4
CPU、GPU、NPU、VPU、DPU、TPU、PPU、IPU……之后，XPU家族再添新成员！NVIDIA创造了全新的“LPU”，意思是“Language Processing Unit”，即语言处理单元。它是一款专用的AI...[详细]
2026-03-17 15:04:43 -
NVIDIA后盾：美光定制HBM4、SOCAMM2、PCIe6.0 SSD全部量产
随着黄仁勋宣布新一代Vera Rubin平台，美光也宣布为Vera Rubin定制的HBM4、SOCAMM2以及PCIe6.0 SSD均全面量产。美光已在2026年第一季开始量产出货HBM4 36GB 12H，数据传输速率超11G...[详细]
2026-03-17 12:01:36 -
美光 透露旗下 HBM4、SOCAMM2 内存及 9650 SSD 存储已同步量产，专为英伟达 Vera Rubin 平台优化
3 月 17 日消息，在今天凌晨进行的英伟达 GPU 技术大会（GTC）中，美光宣布旗下多款存储产品已同步进入大规模量产阶段，这些产品均围绕英伟达 Vera Rubin 平台设计。美光表示，其 HBM4 产线已于今年第一季度开始量产并出货，...[详细]
2026-03-17 08:02:37 -
三星 HBM4E 首发亮相 GTC 2026，还有 LPDDR6 内存、PCIe 6.0 固态硬盘 PM1763 等产品
3 月 17 日消息，三星电子在今日举行的 NVIDIA GTC 2026 大会上，全面展示了其在 AI 计算领域的技术布局。作为全球唯一一家能够提供涵盖内存、逻辑、晶圆代工及先进封装在内的完整 AI 解决方案的半导体厂商，三星此次展出了从高...[详细]
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SK 海力士亮相英伟达 GTC 2026，集中展出 HBM4 等下一代 AI 存储产品
3 月 17 日消息，SK 海力士宣布将参加于当地时间 3 月 16 日至 19 日举行的“GTC 2026”大会。在本届展会上，公司将重点展示其在 AI 时代作为基础设施核心的存储技术，并以与英伟达的合作为基础，展示其在该领域的布局。SK 海力士...[详细]
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Counterpoint 预测：AI ASIC 对 HBM 内存需求四年猛增 35 倍
3 月 16 日消息，Counterpoint Research 在当地时间本月 13 日发布的报告中预测，AI 服务器计算 ASIC 对 HBM 内存的需求到 2028 年将达到 2024 年水平的 35 倍，同时平均 HBM 内存容量也在这一过程中增长近 5...[详细]
2026-03-16 16:07:05 -
曝英伟达突袭三星半导体 HBM4 产线，意图通过“大棒加胡萝卜”组合拳压低供货价格
3 月 14 日消息，据韩媒 Business Korea 昨天报道，英伟达近期突袭访问三星电子半导体生产基地，批评力度号称“前所未有”。市场观察人士对此认为，英伟达意图通过此举在下一代 HBM 供货谈判中创造有利地位，属惯用伎俩。在此...[详细]
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史无前例！三星薪资谈判破裂面临史上最大罢工：内存供货或遭重创
据报道，三星电子正面临成立以来最大规模的罢工危机。由于薪资谈判最终破裂，代表约8.9万名员工（占公司总人数60%以上）的三星电子工会联合斗争本部宣布，将于3月9日至18日举行全员罢工投票，若投票通过，工会计划在4月23日...[详细]
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业界考虑进一步放宽未来 HBM 内存高度限制，混合键合导入恐再延后
3 月 8 日消息，HBM 高带宽内存的一大演进趋势是堆叠层数的增加，在目前的 HBM4 世代主流堆叠层数是 12 / 16。JEDEC 在制定 HBM4 规范时已经放宽了一次堆栈高度限制，从 720?m 提升到了 775μm。而参考韩媒 ZDNET K...[详细]
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22TB/s 目标难实现：英伟达下调“Vera Rubin”VR200 所用 HBM4 规格，首批带宽约 20TB/s
感谢网友 不一样的体验 的线索投递！ 3 月 4 日消息，据半导体行业研究机构 SemiAnalysis 最新报告，英伟达下一代“Rubin”GPU 架构的 HBM4 内存规格出现调整。由于 SK 海力士与三星电子在量产阶段难以达成原定的性能目标...[详细]
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带宽22TB/s难实现！NVIDIA无奈妥协：Vera Rubin用HBM4规格下调
据SemiAnalysis报告，NVIDIA已下调下一代Rubin架构GPU配套HBM4显存的性能目标，主因在于SK海力士与三星难以在量产阶段达成原定激进带宽指标。原计划Vera Rubin系统的总显存带宽目标为22TB/...[详细]
2026-03-04 13:01:04 -
消息称 SK 海力士探索 HBM4 全新封装技术，通过缩小 DRAM 间隙提升性能
3 月 3 日消息，据韩媒 ZDNet 今天报道，三星电子与 SK 海力士正在激烈竞争 HBM4 的市场主导权，两家公司正在谋求技术变革，比拼谁能更快地赢得市场认可。据报道，制约 HBM4 性能的关键在于 I/O 数量翻倍至 2048 个，虽然这一扩...[详细]
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三星将关闭最后的2D NAND产线 改造升级生产1c DRAM
据媒体报道，随着存储芯片技术持续迭代，三星正加速告别传统工艺。自2013年率先量产3D V-NAND闪存以来，三星逐步将传统的2D NAND产线转向3D堆叠架构。时隔十余年，这条技术过渡路线迎来了重要节点：三星最后一条2D N...[详细]