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AI重塑竞争格局 SK海力士年度利润首次超越三星
凭借在人工智能（AI）芯片所需的高带宽存储器（HBM）的领先优势，SK海力士在2025年首次实现营业利润超越竞争对手三星电子。本周，两家韩国存储芯片巨头均公布了财报。SK海力士全年实现创纪录的47.2万亿韩元营业利润（约...[详细]
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消息称 SK 海力士已拿下英伟达三分之二 HBM4 订单
据韩联社报道，在今年围绕下一代高带宽内存（HBM）HBM4 供应的竞争让半导体行业持续升温之际，业内消息称，SK 海力士已拿下最大客户英伟达超过三分之二的订单量。消息称英伟达今年用于下一代 AI 平台“Vera Rubin”等的 H...[详细]
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被AMD逼急了！NVIDIA下代芯片不敢挤牙膏：带宽飞跃至22.2TB/s
NVIDIA与AMD在AI芯片上的竞争愈发激烈，为了应对AMD的Instinct MI455X AI芯片的挑战，NVIDIA正在对其下一代Vera Rubin平台进行升级，特别是在内存带宽方面。SemiAnalysis透露，在...[详细]
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消息称:三星正开发4~2nm定制HBM基础裸片解决方案
IT之家 1 月 21 日消息，韩媒 ZDNET Korea 今日报道称，三星电子将在 HBM4 后的定制 HBM 内存上延续“制程优势”策略，提供从 4nm 直到当前最先进的 2nm 的一系列基础裸片 (Base Die) 解决方案。IT之家注：台积电则...[详细]
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消息称三星电子 1** DRAM 内存良率已突破量产盈亏平衡点
韩媒 IT Chosun 昨日报道称，三星电子的第六代 10 纳米级 DRAM 内存制程工艺（IT之家注：即 1**）目前的良率已提升至约 60%，突破了量产盈亏平衡点。此举被视为一项重要里程碑，因为三星电子 HBM4 内存便基于 1** DRA...[详细]
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AMD苏姿丰秀出全球首款2nm CPU GPU芯片！22600个核心＋31TB HBM4内存
2026年，AMD、Intel都没有全新的桌面级处理器，移动端也只有Intel Panther Lake即酷睿Ultra 300系列，但是在数据中心和AI市场，AMD将奉上重磅新品！CES 2026大展上，AMD CEO苏姿丰博士...[详细]
2026-01-12 17:51:45 -
存储芯片价格大涨！三星第四季度业绩破纪录 利润飙升208% DRAM市场第一
今日，三星电子发布2025年第四季度初步业绩。数据显示，三星电子去年10月至12月期间的营业利润为20万亿韩元（约合138.2亿美元），同比大幅增长208%，创下公司历史上单季度营业利润新高。Counterpoint Re...[详细]
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韩国基准股指新年“开门红”：三星、SK海力士双双创新高
周五（1月2日），韩国基准股指Kospi在其2026年首个交易日中首次突破4,300点关口，收盘创历史新高，而这主要由大型半导体股的强劲上涨所牵引。基准韩国综合股价指数（KOSPI）收涨2.27%于4309.63点，首次...[详细]
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消息称三星加速建设韩国工厂新产线：回应 DRAM 市场需求，有望提前投产
据韩媒 ChosunBiz 昨天报道，随着人工智能带动存储半导体产业走向火热，三星正在推动其韩国半导体工厂扩张产能。在决定重启建设平泽市 P5 产线后，公司已进入招标基础设施阶段，同时平泽 P4 工厂也有了扩充产能的新动向。据业内消...[详细]
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都想供货给NVIDIA！SK海力士、三星和美光加速16层堆叠HBM
存储三巨头SK海力士、三星和美光，正加速开发16-Hi HBM内存芯片，目标是在2026年第四季度向NVIDIA供货。据悉，NVIDIA已向供应商提出需求，希望在2026年第四季度正式交付16-Hi HBM芯片，用于其顶级A...[详细]
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JEDEC制定全新内存标准SPHBM4：秒杀DDR5/GDDR7 逼近HBM4
JEDEC组织正在抓紧制定新的内存标准“SPHBM4”(标准封装高带宽内存第四代)，只需512-bit位宽即可实现完整的HBM4级别带宽，同时兼容传统有机基板，从而提供更大的容量、更低的集成成本。可以说，它是介于传统DD...[详细]
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全新内存来了！性能秒杀DDR5/GDDR7
JEDEC组织正在抓紧制定新的内存标准“SPHBM4”(标准封装高带宽内存第四代)，只需512-bit位宽即可实现完整的HBM4级别带宽，同时兼容传统有机基板，从而提供更大的容量、更低的集成成本。可以说，它是介于传统DD...[详细]
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80%利润 NVIDIA顶级AI显卡B200成本分析：HBM占了一半
虽然H200显卡可以对国内出口了，但是它已经不是NVIDIA顶级的AI显卡了，目前的主力之一是B200，有2颗GB100核心组成，台积电4NP工艺生产。B200显卡不仅使用了先进工艺，还用上了CoWoS封装，那成本到底如...[详细]
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“存储荒”前所未有！瑞银：DRAM短缺料至2027年 DDR内存Q4料涨价35%
在AI需求激增、行业产能调整等多重因素的影响下，过去几个月，全球“存储荒”愈演愈烈。瑞银在最新报告指出，存储行业正面临前所未有的供需紧张局面。瑞银预计，DRAM（动态随机存取存储器）供应短缺预计将持续至2027年第一季度...[详细]
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NVIDIA年度盛会GTC 2026 3月16日登场！Vera Rubin成最大看点
根据NVIDIA官网公布的信息，其年度AI盛会GTC 2026将于美西时间3月16日至19日在加州圣何塞举行，黄仁勋将于16日发表主题演讲。NVIDIA将于3月15日起展开多场技术研讨活动，活动内容主要聚焦于以NVIDIA...[详细]
2025-12-08 17:58:28 -
投资96亿美元！美光拟在日本建HBM工厂
知情人士表示，美光科技（Micron）计划投资约1.5万亿日元（约合96亿美元），在日本广岛现有厂区内建设一座新工厂，专门生产用于人工智能的高带宽内存（HBM）芯片。该工厂预计于明年5月动工，2028年起开始出货。此举旨...[详细]
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受益于 2nm 与存储涨价，分析师预测三星 2026 年营业利润将飙升至 80~100 万亿韩元
据《韩国经济日报》今日报道，Kiwoon 证券的资深分析师朴裕岳（Park Yoo-ak）给出了三星 2026 年增长预测，认为其营业利润有望达到 90~100 万亿韩元（IT之家注：现汇率约合 4352.4 ~ 4836 亿元人民币），同...[详细]
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一条就256GB！SK海力士展示内存天花板！
快科技11月28日消息，最近在美国圣路易斯举办的SC25超算大会上，SK海力士全面展示了新一代内存、SSD，尤其是大容量的DDR5、HBM4内存引人关注。针对数据中心市场，尤其是AI应用，SK海力士开发了多种形态的DDR...[详细]
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三星电子整合HBM技术路线 核心团队并入DRAM开发体系
据媒体报道，三星电子近期对其高带宽存储器（HBM）开发团队进行了组织调整，撤销原隶属于半导体业务DS部门下的HBM开发团队，相关人员整体并入DRAM开发室。这一变动引发市场对三星HBM业务推进节奏与内部协同效率的关注。在...[详细]
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一条就256GB！SK海力士展示新一代DDR5内存
最近在美国圣路易斯举办的SC25超算大会上，SK海力士全面展示了新一代内存、SSD，尤其是大容量的DDR5、HBM4内存引人关注。针对数据中心市场，尤其是AI应用，SK海力士开发了多种形态的DDR5内存，现场展示了六种。...[详细]
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SK海力士展示全球首个HBM4内存：单颗36GB 带宽飙升近3倍
相比于常规的DDR内存，HBM高带宽内存才是AI时代的宠儿，SK海力士今年9月就搞定了全球首个HBM4内存，未来将搭配NVIDIA Vera Ruby、AMD MI400系列平台。目前在NVIDIA Blackwell平台上的H...[详细]
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三星计划扩大1cnm DRAM生产：目标2026年月产能达20万片晶圆
据媒体报道，三星正加速提升1cnm DRAM的产能，以抢占HBM4市场的先机。按照规划，其目标是在2026年第二季度将月产能提升至14万片晶圆，并于第四季度进一步增至每月20万片晶圆。这些节点对应设备设置阶段，目标是在每个...[详细]
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2年近8倍性能提升 AMD下代AI显卡将超越NVIDIA旗舰
在AI显卡领域NVIDIA占据了90%还多的份额，不说CUDA生态优势有多好，仅仅是GPU性能就足以让其他对手绝望，AMD的MI显卡差距都很大。当前的MI350家族中350X的MXFP4性能也就9.2PFLOPS，MI4...[详细]
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SK海力士推迟HBM4设备下单 明年扩建产线导入量产
据媒体报道，SK海力士已将其下一代12层堆叠HBM4内存的扩产设备采购计划推迟至明年初，主要因其内部投资审议会议的召开时间有所延后。据悉，相关投资审议原定于10月举行，但因连假与集团人事安排调整，被推迟至11月底至12月...[详细]
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AMD 确认 Instinct MI400 系列显卡加速器采用 CoWoS-L 先进封装
AMD 在 2025 年度财务分析师日活动上确认，计划明年推出的 Instinct MI400 系列显卡加速器将采用 CoWoS-L 先进封装技术。CoWoS-L 是台积电 CoWoS 技术的变体之一，结合了基于 RDL（重布线层）的桥接芯片以...[详细]
2025-11-12 23:07:43 -
英伟达向SK海力士“低头”达成：后者HBM4单价涨至560美元 高于业内预期
据媒体报道，当地时间11月5日，SK海力士方面表示，已与英伟达就2026年的HBM4的供应完成了价格和数量谈判。报道称，SK海力士在该供应谈判中占据上风，其向英伟达供应的HBM4单价已确认约为560美元。据了解，560美...[详细]
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SK海力士与英伟达达成HBM4供应协议 价格上涨50%
据 BusinessKorea 报道，SK 海力士将供应给全球最大的人工智能（AI）半导体公司英伟达（Nvidia）的第六代高带宽存储器（HBM4）价格较上一代产品（HBM3E）上调逾 50%，进一步巩固了其在全球 HBM 市场的领...[详细]
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SK海力士在2025年SK AI峰会上公布未来产品线路图！
SK海力士在2025年SK AI峰会上公布了DRAM、NAND及HBM的长期规划：2029-2031年将推出DDR6内存、GDDR7-Next显存及PCIe 7.0 SSD；2026-2028年则聚焦HBM4系列（含16层...[详细]
2025-11-05 16:48:48 -
英伟达发布Vera Rubin超级芯片：性能大提3倍 采用HBM4高带宽显存
据媒体报道，在GTC 2025大会上，英伟达CEO黄仁勋首次公开展示了下一代Vera Rubin超级芯片（Superchip）。该主板集成了一颗Vera CPU与两颗大型Rubin GPU，并配备最多32个LPDDR内存插槽；G...[详细]
2025-11-05 14:03:57 -
DDR6内存、GDDR8显存5年后见！AMD：我还没用GDDR7呢
在韩国举办的SK AI峰会上，SK海力士公布了未来存储计划路线图，作为三大原厂之一自然是相当有话语权的。按照规划，存储的下一个重大节点将在2030年前后，或者说2029-2031年，各项技术标准都会有全新升级。传统内存方面...[详细]