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为了赚钱最大化！三星计划缩减HBM3E产能：扩大1b nm制程
据媒体报道称，三星正在考虑调整其DRAM制造策略，计划将原用于生产HBM3E内存的1a nm制程通用DRAM产能削减30%至40%。随后，三星将通过制程转换，扩大适用于标准内存产品（如DDR5、LPDDR5x）的1b nm制...[详细]
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最高卖17万！英伟达为华特供AI芯片B30A夭折 美国政府禁止出售
对于黄仁勋来说，英伟达为中国特供的新芯片B30A又一次被美国政府禁止出售。据美国媒体报道称，美国白宫已通知其他联邦机构，将不允许英伟达向中国出售其最新的小型化人工智能（AI）芯片B30A。报道称，英伟达已向其几家中国客户...[详细]
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英伟达向SK海力士“低头”达成：后者HBM4单价涨至560美元 高于业内预期
据媒体报道，当地时间11月5日，SK海力士方面表示，已与英伟达就2026年的HBM4的供应完成了价格和数量谈判。报道称，SK海力士在该供应谈判中占据上风，其向英伟达供应的HBM4单价已确认约为560美元。据了解，560美...[详细]
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SK海力士与英伟达达成HBM4供应协议 价格上涨50%
据 BusinessKorea 报道，SK 海力士将供应给全球最大的人工智能（AI）半导体公司英伟达（Nvidia）的第六代高带宽存储器（HBM4）价格较上一代产品（HBM3E）上调逾 50%，进一步巩固了其在全球 HBM 市场的领...[详细]
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三星：明年的 HBM 内存产能已售罄，考虑扩建生产线
据 TheElec 报道，三星考虑扩建高带宽内存（HBM）生产线以提高产能。这家韩国科技巨头周四表示，其明年 HBM 的产能已被预订一空，并正在收到更多订单需求。尽管三星在第三季度财报电话会议上并未直接说明，但公司暗示已开始向英...[详细]
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三星、SK海力士、美光三大巨头：HBM产能全部售罄！
据报道，三星、SK海力士和美光近期相继透露，其下一代高带宽内存HBM的明年产能已几乎被抢购一空。在第三季度成功开始向英伟达交付期待已久的HBM3E后，三星存储业务执行副总裁金在俊在财报会议上证实，下一代HBM4明年的产量...[详细]
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三星Q3重夺全球存储芯片市场霸主之位 季度销售额达近200亿美元
周二公布的数据显示，三星电子第三季度从SK海力士手中重新夺回了全球存储芯片市场霸主之位。根据行业追踪机构Counterpoint Research编制的数据，三星电子包括动态随机存取存储器（DRAM）和NAND闪存在内的存...[详细]
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历经波折终入供应链，消息称英伟达 GB300 AI 芯片确认采用三星 HBM3E 技术
据韩媒 News 1 今天报道，英伟达已基本确认旗下最新 AI 加速芯片 GB300 将采用三星的第五代高带宽 HBM3E 技术，意味着三星在历经多次波折后，终于能进入英伟达供应链。消息人士透露，英伟达 CEO 近日已向三星电子会长李在镕发送...[详细]
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美光 HBM4 / HBM4E 内存分别采用内部和台积电工艺基础逻辑裸片
美光在?>2025 财年第四财季及全财年财报电话会议上确认，该企业在 HBM4 内存堆栈底部的基础逻辑裸片（Base Logic Die）上采用的是内部 CMOS 工艺，而在 HBM4E 上该芯片将转由台积电代工。美光表示 HBM4E 内存预计...[详细]
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三星突破重大难关：HBM芯片终获英伟达认可 股价创一年新高
本周一，韩国科技巨头三星电子股价大幅上涨5%，只因该公司的12层HBM3E芯片产品终于通过英伟达认证测试，这意味着这家芯片巨头在全球人工智能芯片赛道上取得了重要突破。三星HBM芯片取得重要突破本周一，三星股价早间一度上涨...[详细]
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三星HBM3E据传终于通过英伟达认证 战火全面烧向HBM4
周五晚间的最新市场消息称，经历多次挫折后，三星电子的12层HBM3E高宽带存储芯片终于获得算力巨头英伟达的首肯。据知情人士透露，三星的第五代12层HBM3E近期刚通过英伟达的资格测试。这一批准距离三星完成芯片开发已有18...[详细]
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传三星12层堆叠HBM3E已通过英伟达认证 三星电子回应 多家分析师预测
据媒体报道，人工智能（AI）芯片大厂英伟达（NVIDIA）近期与三星电子已达成协议，将供应12层堆叠的HBM3E內存。报道称，根据协议内容，英伟达分批从三星电子获得约3万至5万颗12层HBM3E 內存。据悉，三星供应的12...[详细]
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三星打算大幅降低HBM3E价格 希望能英伟达的订单
三星的半导体业务刚刚结束了一个艰难的季度，其设备解决方案部门（DS）在2025年第二季度仅录得4000亿韩元利润，相比于去年同期的6.5万亿韩元大幅下降，同比暴跌近94%。在美国限制向中国销售先进芯片的出口管制和持续的库...[详细]
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消息称三星电子副会长赴美与英伟达洽谈 HBM3E 12 层产品供应及 HBM4 未来供货方向
据韩媒 news1 报道，三星电子 DS（半导体）部门主管、公司副会长全永贤近期前往美国，与英伟达就 HBM3E 12 层产品供应及代工业务进行一系列洽谈，争取可能的订单。目前，三星的首要任务之一就是向英伟达供应 HBM3E 12 层产品...[详细]
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消息称三星改进版 HBM3E 8Hi 内存通过博通测试，有望打入 ASIC 供应链
韩国媒体 Finacial Economic TV 当地时间今日报道称，三星电子的改进版 HBM3E 8Hi 内存通过了博通的认证测试，并完成了量产前评估。虽然近日有三星 HBM3E 内存再次未获英伟达认可的不利消息传出，但这家半导体巨头...[详细]
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DDR4之后 三星将逐步停产HBM2E：转向HBM3E和HBM4
据媒体报道，随着1y和1z制程8Gb DDR4逐渐停产，三星也将停止其HBM2E产品的生产，目前已进入最后采购阶段，接下来会将重点转向HBM3E和HBM4。近年来，随着人工智能、高性能计算和PC对高性能内存需求的快速增长，...[详细]
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消息称美光加速 HBM 内存 TC 键合设备采购，推动 HBM3E 扩产
《韩联社》当地时间昨日报道称，美光正在加速采购韩国半导体设备厂商韩美半导体（HANMI Semiconductor）所产 TC 键合设备，为 12Hi HBM3E 的扩展建立设备基础。报道表示，美光去年对韩美半导体 TC 键合机的采购量...[详细]