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消息称三星晶圆代工美国得州泰勒厂大规模量产恐延至 2027 年初
3 月 3 日消息，《韩国中央日报》今日报道称，根据多位知情人士的透露，三星电子 DS 部晶圆代工业务位于美国得克萨斯州泰勒市的先进制程晶圆厂预计将在 2027 年初实现大规模量产。三星电子此前表示，其第二代 2nm 工艺 SF2P 将于今年...[详细]
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三星在韩发布 2026 款 Bespoke AI 衣物护理机与洗烘设备
3 月 2 日消息，三星电子今日面向韩国市场发布了 2026 款的 Bespoke AI 衣物护理机 / 智能魔衣橱 (AirDresser) 以及洗衣机、烘干机、洗烘一体机。Bespoke AI AirDresser 是一款利用强风和高温蒸汽护理衣...[详细]
2026-03-02 20:05:33 -
两大DRAM巨头暴力涨价！想拿货必须接受双倍价格
据报道，三星电子与SK海力士已向客户发出通知，计划在今年第二季度继续大幅上调DRAM价格，部分中小客户或需接受较原合同价翻倍以上的涨幅才能确保供应。业内人士透露，三星电子当前产能仅能满足60%的市场需求，DRAM供需缺口...[详细]
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全球第 13 家：三星电子成为首家市值破 1 万亿美元的韩国企业
2 月 28 日消息，科技媒体 sammyguru 今天（2 月 28 日）发布博文，报道称得益于内存芯片价格上涨，三星电子市值突破 1 万亿美元大关，成为首家跻身“万亿美元俱乐部”的韩国企业。该公司的股价表现堪称一次奇迹反弹，其股价曾于 2...[详细]
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内存大涨促使三星与SK市值飙升 占韩国股市总市值61%
据媒体报道，随着AI基础设施建设持续推高全球存储芯片需求，三星与SK集团在韩国股市的主导地位持续强化。截至2月26日，两大集团合计市值突破2600万亿韩元，占韩国股市总市值比重首次跨越60%大关，达到61.29%的历史峰...[详细]
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消息称三星电子将停产 2D NAND 闪存，原有产线用于 1c nm DRAM 内存制程
2 月 25 日消息，韩媒 The Elec 今日报道称，三星电子最早将在今年 3 月停止在华城园区 12 号生产线制造 2D NAND 闪存，该企业的 2D NAND 闪存时代也将随之正式结束。三星电子早在 2013 年就实现了 3D NAND (V-NAND...[详细]
2026-02-25 20:06:06 -
三星电子、SK海力士暴涨带动 韩国股市首破6000点 市值超越法国
据媒体报道，当地时间周三，韩国股市迎来里程碑式突破，韩国综合股价指数（KOSPI）首次站上6000点大关，主要受全球存储芯片需求激增带动，韩国两大芯片巨头三星电子、SK海力士股价持续走强。行情数据显示，韩国综合股价指数当...[详细]
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NVIDIA、苹果等百万年薪抢人！韩国HBM、NAND人才成香饽饽
据报道，随着内存在AI算力中的战略地位飙升，美国科技巨头正掀起针对韩国存储人才的抢人大战。报道称，美国科技巨头正在针对三星电子和SK海力士的工程师开展定向招聘活动，旨在缩小这两家公司在内存市场长期以来的领先优势。本月早些...[详细]
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消息称三星电子 1c nm 制程 DRAM 内存良率达 80%，HBM4 良率接近六成
2 月 24 日消息，韩媒 ETNEWS 当地时间昨日报道称，三星电子的 1c nm 制程 DRAM 内存在高温环境热测试中的良率已达 80%，相较 2025Q4 的 60~70% 明显提升，显示该工艺的量产成熟度有了很大改进，商业化阶段的盈利能力大...[详细]
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消息称英伟达、苹果等科技巨头在韩挖角 HBM、AI 人才，开出六位数美元年薪
2 月 24 日消息，据 Trend Force 今天报道，英伟达、苹果等美国科技巨头正在韩国精准挖角三星电子和 SK 海力士的 AI、HBM 人才，试图缩小这两家韩企在内存市场的长期领先优势。据报道，英伟达本月初在领英平台招聘 HBM 开发工...[详细]
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消息称三星电子晶圆代工产能利用率回升，有望扭转长期颓势
2 月 24 日消息，韩媒 Sedaily 当地时间 22 日报道称，三星电子位于平泽园区 P2、P3 晶圆厂的晶圆代工生产线的产能利用率已从去年的不及 50% 回升至当下的 80% 左右，出现明显改观。了解到，这些生产线制造 4nm、5nm、7n...[详细]
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消息称三星电子计划 2026H1 启动 PCIe Gen6 SSD 测试设备引进
2 月 24 日消息，韩媒 ZDNET Korea 当地时间昨日报道称，三星电子计划在今年上半年启动 PCIe Gen6 SSD 所需测试设备的引进，首批瞄准研发和初期生产需求，为面向 AI 系统的新一代高速存储的量产打下基础。注意到，在 PCI...[详细]
2026-02-24 10:03:19 -
Omdia 数据：三星电子 2025Q4 重夺全球 DRAM 内存市占第一
2 月 22 日消息，根据韩联社与另一家韩媒 nate 援引的 Omdia 最新数据，三星电子 2025Q4 在全球 DRAM 内存市场的销售额占比升至 36.6%，而 SK 海力士的市占则是 32.9%，这意味着三星电子在 2025Q1 丢掉“第一大 D...[详细]
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三星 Galaxy S26 系列手机将深度整合 Perplexity AI，打造多智能体协同生态系统
2 月 22 日消息，三星电子今日正式宣布，将在下一代旗舰产品 Galaxy S26 系列中深度整合人工智能战略，与知名 AI 搜索平台 Perplexity 达成合作，引入其作为全新的系统级 AI 智能体。这一举措标志着三星 Galaxy AI 的...[详细]
2026-02-22 12:02:19 -
消息称三星电子加速平泽 P5 晶圆厂洁净室建设，提升扩产灵活性
2 月 19 日消息，韩媒 ZD** Korea 当地时间 17 日报道称，三星电子近期通知平泽 P5 施工方，争取在 2026Q2 即启动该晶圆厂洁净室建设的前期工作，相较此前的计划提早半年，其它工序的进度计划也相应前移。▲ 三星电子平泽园区平...[详细]
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三星电子去年人均年薪预计超 1.5 亿韩元，创下历史新高
2 月 19 日消息，分析师预测，三星电子员工去年的人均年薪将超过 1.5 亿韩元（注：现汇率约合 72.2 万元人民币）。此次平均薪酬统计范围包括非注册高管及部门经理以下普通员工，不含注册董事。韩国 CXO 研究所今日表示，根据 12 日提...[详细]
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天下苦英伟达久矣！字节跳动被曝自研芯片成功 已进入量产
当前英伟达在全球AI芯片市场占据绝对霸主地位，凭借技术与生态垄断长期主导算力供应链，业内 “苦英伟达久矣”。近日，有消息称字节跳动正式进军自研芯片领域。据知情人士最新透露，字节跳动芯片研发团队将开始规模化招聘。目前核心集中...[详细]
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天下苦英伟达久矣！字节跳动被曝自研芯片成功 已进入量产
当前英伟达在全球AI芯片市场占据绝对霸主地位，凭借技术与生态垄断长期主导算力供应链，业内 “苦英伟达久矣”。近日，有消息称字节跳动正式进军自研芯片领域。据知情人士最新透露，字节跳动芯片研发团队将开始规模化招聘。目前核心集中...[详细]
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9600MT/s 96GB，联想产品经理晒三星电子“双 96”LPCAMM2 内存条
2 月 13 日消息，联想 ThinkBook 产品经理 @思考未来啊 昨日晒出了一件三星电子 LPDDR5X CAMM2 (LPCAMM2) 内存条的实物图片，通过标签可以发现该型号容量为 96GB，支持 9600MT/s 传输速率。@思考未来啊...[详细]
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行业首个，三星电子启动 HBM4 内存量产并向客户交付商用产品
感谢网友 若怡、西窗 的线索投递！ 2 月 12 日消息，北京时间今天下午，三星电子通过新闻稿宣布：HBM4 内存现已启动量产，并向客户交付商用产品。获悉，三星据此成为业内首家实现 HBM4 商业化交付的企业。根据官方介绍，三星此次直接采...[详细]
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消息称三星电子向高通出样 LPDDR6X 内存，有望用于 AI250 系统
2 月 12 日消息，韩媒 the bell 本月 10 日报道称，三星电子已向高通提供了 LPDDR6X 内存的样品。根据行业消息，高通有望在 2027 年的 AI250 推理解决方案中搭载该存储半导体。值得注意的是，JEDEC 半年前方才实现了 L...[详细]
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三星电子公布垂直堆叠 zHBM，宣称定制 cHBM 能效可达标准品 2.8 倍
2 月 12 日消息，在昨日开幕的 SEMICON Korea 2026 半导体展会上，三星电子的代表介绍了 zHBM、cHBM、LPDDR6-PIM 等最新 AI 内存产品项目。目前的 HBM 与 XPU 逻辑芯片的集成采用的是 2.xD 封装：两者在...[详细]
2026-02-12 12:04:00 -
韩国砸1兆韩元入局！目标五年内做出10款国产AI芯片
韩国政府今天宣布，将于三月启动一项总额达1兆韩元的专项计划，专注于开发针对设备端应用的AI半导体。该计划的核心目标是在未来五年内，由政府与私营企业共同出资，研发出约10款专门针对设备端应用的国产AI半导体芯片，覆盖自动驾...[详细]
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事关HBM与AI合作！SK会长被曝与黄仁勋在美举行炸鸡会谈
据媒体周一援引业内消息人士报道称，韩国SK集团会长崔泰源已在美国与英伟达首席执行官黄仁勋会面，双方就高带宽内存（HBM）供应以及更广泛的人工智能（AI）业务合作事宜进行了商讨。消息人士称，此次会面于本月早些时候在加州的一...[详细]
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全球首次！HBM4大规模量产出货：NVIDIA首发 黄仁勋成最大赢家
三星电子将于本月下旬，也就是农历新年假期（今年2月17日为农历初一）之后，正式向NVIDIA批量交付HBM4高带宽存储芯片，标志着全球范围内HBM4芯片首次实现大规模量产与出货。业内消息显示，三星电子已顺利通过NVIDI...[详细]
2026-02-09 18:00:36 -
抢占先机！三星电子预计本月下旬率先向英伟达交付HBM4
三星电子或将于本月下旬开始向英伟达交付其高带宽存储芯片HBM4，这将标志着全球首次HBM4大规模量产和出货。业内消息人士透露，三星电子已决定在即将到来的农历新年假期（2月17日为农历初一）之后开始向英伟达供应HBM4产品...[详细]
2026-02-09 17:01:50 -
消息称三大存储原厂引入新订单结算方式：客户需在期末根据行情“补差”
2 月 6 日消息，韩媒 ETNEWS 当地时间昨日报道称，全球三大存储原厂（三星电子、SK 海力士、美光）正对合约订单引入新的结算方式，以在本轮存储牛市中实现利润最大化。根据行业传统，下游企业与上游原厂签署的存储供应合约通常为期一...[详细]
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三星电子 T7 / T9 microSD 存储卡曝光，支持 UHS-I
2 月 6 日消息，德媒 WinFuture 在当地时间昨日的一篇报道中指出，部分经销商已上线了三星电子 T7 与 T9 系列 microSDXC UHS-I 存储卡的宣传资料，显示相关产品即将官宣推出。值得注意的是，T7 和 T9 的命名也被用于三...[详细]
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扩产近两成：消息称三星电子将在平泽 P4 建设大型 HBM4 用 1c nm 内存产线
2 月 5 日消息，韩媒 hankyung 当地时间今日报道称，三星电子计划在平泽 P4 晶圆厂综合体建设一条用于生产 HBM4 内存所需 1c nm DRAM Die 的大型生产线。该生产线计划明年一季度投入生产，月产能达 10~12 万片晶圆。作为...[详细]
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存储超级周期助推：三星市值首破1000万亿韩元大关！韩国首家
在AI热潮驱动的存储产业超级周期持续升温之际，韩国存储巨头三星电子迎来历史性时刻。今天，三星电子市值突破1000万亿韩元（约合6880亿美元）重要关口，成为韩国首家达成这一里程碑的企业。数据显示，三星电子周三盘中市值一度...[详细]