三星吹响 AI 竞争号角，HBM 开发周期砍半缩至 1 年

4 月 18 日消息，科技媒体 Wccftech 昨日（4 月 17 日）发布博文，报道称三星电子为应对 AI 市场需求激增，并匹配英伟达等主要客户每年推出新 AI 加速器的节奏，将高带宽内存（HBM）开发周期从 2 年大幅缩短至 1 年。

消息称三星电子战略调整高带宽内存（HBM）业务，为确保每年都能推出新一代 HBM 标准，放弃沿用多年的 2 年产品迭代周期，转而采用 1 年开发周期。

注：HBM 是 AI 加速器的核心组件，三星作为该领域的关键供应商，目前最新产品为 HBM3E，下一代 HBM4 预计今年随英伟达 Vera Rubin 及 AMD Instinct MI400 平台一同推出。

行业分析师认为，1 年周期能帮助三星在与美光、SK 海力士的竞争中巩固技术优势，避免在快速迭代的 AI 内存市场掉队。

同时，这也将助力三星在未来的定制化 HBM5 市场获得领先地位，满足全球科技巨头缩短开发周期、优化供应链的需求。

缩短开发周期的关键，在于三星公司的全产业链掌控能力，为加速迭代提供了坚实基础，内部完成从基础裸片生产、内存堆叠到封装的全流程，并已拥有适配其 HBM 业务的理想基础裸片解决方案。