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三星全球首创LPDDRPIM内存:手机AI性能暴涨2.3倍
三星全球首创LPDDR-PIM内存,手机AI性能暴涨2.3倍!端侧AI处理速度飙升,功耗大幅降低,移动设备AI算力革命来袭。[详细]
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存储比算力更烧钱!每花100元就有68元交给DRAM和NAND
存储比算力更烧钱!2027年云厂商每花100元,68元被DRAM和NAND吃掉。DRAM涨270%、SSD涨235%,AI存储税飙升,点击了解涨价内幕。[详细]
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存储器合约价飙升!预计2027年占CSP主要支出比重68%
存储器合约价飙升!CSP资本支出激增,DRAM/NAND占比预计2027年达68%,AI基础设施加速建设。Server DRAM涨价270%,HBM涨幅惊人,成本压力如何影响AI生态?点击了解更多![详细]
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TrendForce 预测:存储器 2027 年“吃掉”主要 CSP 超 2/3 资本支出
TrendForce预测:2027年存储器将占主要CSP资本支出68%,DRAM与NAND闪存价格飙升,HBM需求激增,了解云服务商资本支出新趋势。[详细]
2026-08-25 22:05:43 -
消息称 SK 海力士工会否决临时薪资协议
SK海力士工会否决临时薪资协议,涨薪6.3%方案被50.08%反对票推翻。HBM芯片需求强劲,利润分成奖金制度调整引发争议。点击了解详情![详细]
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芯片90%面积都给了存储 HBM还是喂不饱GPU!原因竟是内存墙越砌越高
GPU性能飙升,HBM内存墙却越砌越高!芯片90%面积给存储仍喂不饱,AI加速器计算速度每两年翻倍,HBM却跟不上,散热难题加剧,内存行业面临短缺危机。[详细]
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SK海力士将采用英特尔EMIB封装技术:打造下一代HBM
SK海力士联手英特尔,引入EMIB封装技术打造下一代HBM!突破2048位I/O、混合键合与3D集成,大幅提升带宽与能效。揭秘HBM4技术路线图,点击了解未来存储黑科技![详细]
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三星新愿景:让 HBM 不只是内存
三星HBM新愿景:不再只是内存!将内存控制器转移至基底芯片,aHBM方案让HBM承担AI计算任务,突破带宽与能效边界,未来或重塑AI生态。[详细]
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SK 海力士披露下一代 HBM 内存先进封装技术,引入英特尔 EMIB
SK海力士揭秘下一代HBM内存:引入英特尔EMIB封装,混合键合技术突破,HBM4带宽超2TB/s,功耗效率提升40%,未来3D集成![详细]
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PC玩家雪上加霜!NVIDIA为天价内存续命
PC玩家注意!NVIDIA与SK海力士、美光签多年长约,锁定DRAM/HBM产能,存储价格或持续上涨至2027年,显卡内存更紧缺。点击了解详情。[详细]
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Intel退出内存市场40年后卷土重来,手握XBM、ZAM两大王牌,瞄准AI高带宽内存,能否重现辉煌?点击了解详情。[详细]
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AI芯片功耗破1000瓦!液冷渗透率飙升53%仍压不住,散热成算力扩张最大瓶颈。3D堆叠、CPO与STCO技术成破局关键,点击了解散热困境与未来趋势。[详细]
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摩根士丹利预估 2026Q3 全球 DDR4 内存价格上涨 50%
摩根士丹利预测2026Q3 DDR4内存价格暴涨50%!产能转向HBM/DDR5,供应紧张加剧,DDR5同比涨幅达483%。关注内存投资机会,点击查看详情。[详细]
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三星已上调晶圆代工订单价格 先进制程涨幅最高达15%
三星晶圆代工涨价最高15%!AI芯片需求激增产能紧张,先进制程订单价格上调,4nm、5nm均涨超10%,台积电产能饱和下三星议价能力增强,晶圆代工业务有望明年盈利。[详细]
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三星4TB固态硬盘三年内价格飙升六倍:从1145元涨至近万元
三星4TB固态硬盘三年暴涨六倍!从1145元飙升至近万元,存储芯片涨价潮因AI抢产能,消费者直呼买不起。点击查看价格变迁史与购买建议。[详细]
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AI算力需求爆发!三星上调芯片代工价格:最高涨15%
三星芯片代工涨价最高15%!AI算力需求爆发,4nm/5nm工艺涨幅超10%,产能紧张推高芯片成本,影响手机、AI加速卡价格。[详细]
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AI 芯片需求激增,消息称三星部分先进制程代工最高涨价 15%
AI芯片需求爆发,三星先进制程代工最高涨价15%!4nm/5nm产能紧张,中国客户订单激增,晶圆代工业务有望扭亏为盈。点击了解最新行情。[详细]
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大摩警告内存涨价情况仍然激进 Q3成熟制程DRAM可能涨价50%
大摩警告:Q3成熟DRAM将暴涨50%!内存涨价潮持续,DDR4供应紧张,HBM产能转移推高价格,存储芯片投资机会浮现。[详细]
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三星4TB固态硬盘三年内价格飙升六倍:从1145元快涨至近万元
三星4TB固态硬盘三年暴涨6倍,从1145元飙至近万元!存储芯片涨价潮下,AI挤压产能,有刚需扩容的用户别等了,按需入手更划算。[详细]
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内存厂忙着造HBM DDR4没人管了!三季度还要再涨50%
内存厂转产HBM致DDR4无人管,三季度价格暴涨50%!SLC NAND涨幅更猛,DDR5同比涨483%。供需错配下,成熟内存涨势凶猛,点击了解最新行情。[详细]
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英伟达Vera Rubin出货扰动存储供需 NAND闪存价格暴力反弹
英伟达Vera Rubin带动NAND闪存价格暴力反弹!三星、铠侠加速供货,AI存储需求从HBM延伸至闪存,现货周涨近5%,抓住存储市场新机遇。[详细]
2026-08-19 09:00:34 -
Counterpoint:未来五年超 1.3 亿颗先进封装 AI 芯片出货,英特尔挑战台积电
Counterpoint预测未来五年超1.3亿颗AI芯片采用先进封装,英特尔EMIB等方案挑战台积电CoWoS。HBM成本高企,英特尔的架构方案能否逆袭?点击了解封装战场新变局。[详细]
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需求增速至少是供应10倍 该涨不该跌!马斯克站台存储赛道:我看好美光、闪迪和海力士
马斯克力挺存储芯片:需求增速是供应10倍,价格该涨!看好美光、闪迪、海力士,AI需求爆发致供需失衡,存储赛道迎来长期红利。[详细]
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开学数码三件套价格暴涨 学生也要为AI浪潮买单了
开学季数码三件套价格暴涨,学生为AI浪潮买单?揭秘存储芯片涨价、AI概念溢价真相,教你避开营销陷阱,选购性价比最高的笔记本、手机和平板。[详细]
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NVIDIA全新Vera Rubin平台单台服务器搭载600TB TLC闪存,疯狂吞噬全球NAND供应!512Gb现货价重返21美元,AI存储需求激增,供应紧张加剧。点击了解详情。[详细]
2026-08-17 12:04:16 -
需求爆发!Vera Rubin大规模量产 TLC NAND现货价格被带飞
英伟达Vera Rubin大规模量产引爆TLC NAND需求,512Gb现货价强势反弹至21美元!CMX技术构建巨型闪存池,数据中心eSSD需求攀升,供应挤压下价格或继续走高。点击查看详情。[详细]
2026-08-16 18:01:44 -
英伟达 Vera Rubin 平台产能拉升推高 TLC NAND 现货价格,512Gb 回升至 21 美元
英伟达Vera Rubin平台量产拉升TLC NAND现货价格,512Gb回升至21美元,CMX技术成关键推手,企业级SSD需求同步攀升,供应收紧趋势持续。[详细]
2026-08-16 08:07:00 -
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闪迪演示被指造假!故意压低HBM规格对比,绝口不提HBF写入寿命致命缺陷,科技圈炸锅。真相揭秘,点击查看![详细]
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明年将迎史上最严重存储荒!SK海力士半年营收暴增788%,人均薪酬超68万,DDR5内存涨价300%逼近4000元,AI需求爆发引爆存储市场,点击了解详情。[详细]
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消息称三星 HBM 基础裸片将推进 2nm 尖端工艺,延续自研 4nm HBM4 路线
三星HBM基础裸片将推进2nm尖端工艺,延续自研4nm HBM4路线,性能大幅提升。了解最新内存技术突破,点击查看详情。[详细]