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华强北内存涨价超320%！商家一天发货6次：越涨越抢
华强北内存涨幅超320%！DDR5 32GB套装从900元飙至3800元，AI算力需求引爆存储芯片短缺，商家一天发货6次越涨越抢。点击了解涨价真相！[详细]
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长鑫开启申购第一天：全球存储股集体吓跌！
长鑫IPO申购首日，全球存储股集体暴跌！美光跌超10%，SK海力士跌9%，台股华邦电等重挫。666亿募资或引发产能扩张担忧，DRAM市场格局生变？点击了解详情。[详细]
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三星电子HBM4后端要发力！30人精英团队集结
三星组建30人精英团队攻坚HBM4后端工艺！I/O翻倍至2048个，精密蚀刻技术成关键，存储芯片新突破引关注。[详细]
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黄仁勋高调点赞！SK海力士登陆纳斯达克：265亿美元募资规模超越阿里巴巴
SK海力士登陆纳斯达克！265亿美元募资超越阿里巴巴，黄仁勋高调点赞。HBM霸主扩大产能，英伟达深度绑定引关注。[详细]
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4.21亿美元赔偿还不够！美国重启337调查：英伟达、三星、谷歌等全涉案
美国ITC重启337调查！英伟达、三星、谷歌等巨头涉DRAM专利侵权，4.21亿美元赔偿后再生波澜，AI芯片供应链或受冲击，点击了解详情>[详细]
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美国 ITC 对三星电子、谷歌、英伟达、博通等七家公司启动 337 调查
美国ITC对三星、谷歌、英伟达等七巨头启动337调查，涉及DRAM专利侵权！**list指控HBM和DDR5内存技术侵权，此前已获4.21亿美元赔偿。点击了解调查详情及影响。[详细]
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半导体设备市场连涨五年！2028年将达2295亿美元
半导体设备市场连涨五年！2028年或达2295亿美元，AI驱动先进逻辑、存储及封装投资激增，前端设备与DRAM/NAND市场同步爆发，点击了解详细趋势。[详细]
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内存一路涨：2030年缺口达28.7EB！长鑫扩产追平美光也填不满
DRAM缺口28.7EB！长鑫产能暴增追平美光，但AI吞噬一切，2030年内存供应仍严重不足，价格或持续上涨。国产内存虽利好但消费者仍面临高价，点击了解未来内存市场趋势。[详细]
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三星投数十万亿韩元新建DRAM工厂，月产10万片！AI存储需求激增，2026年动工，股价暴涨7%，速览巨资布局细节。[详细]
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SK海力士美股一夜狂飙2万亿，AI存储龙头HBM供不应求引爆行情。点击了解全球存储芯片王者如何坐稳宝座。[详细]
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内存供应告急！美国银行报告称晶圆产能跟不上，韩国扩产计划难实现，DRAM三大巨头被指控削减旧款产能推高价格，HBM增产也遇瓶颈。快来了解内存市场最新动向。[详细]
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内存新产能十年无望！三巨头扩产被指空炮，韩国总统计划面临现实考验，2030年目标难以实现，供过于求担忧加剧。[详细]
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破解存储堆叠空间限制！新工艺将高带宽存储器集成密度提升4倍
颠覆存储极限！韩国团队研发新型半导体堆叠工艺，稳定堆叠10层以上超薄芯片，HBM集成密度狂飙4倍，破解AI内存瓶颈，未来高性能芯片性能飞跃。[详细]
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2026-07-13 17:04:48 -
重返DRAM市场！英特尔携ZAM、XBM双线夹击HBM：成本打六折
英特尔重返DRAM市场！ZAM和XBM双架构夹击HBM，成本仅为60%，功耗降低50%，容量翻倍。新技术能否颠覆AI存储格局？点击了解详情。[详细]
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长鑫存储HBM3E量产倒计时！技术差距缩至2-3年，追赶三星SK海力士，2027年实现12层HBM3E量产，国产AI芯片迎来新突破。[详细]
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史上最严重芯荒明年到来 SK海力士CEO：未来十年将持续供不应求
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韩日同时出招！DRAM竖着放解决AI内存散热，V-Die方案性能翻倍，MOSAIC容量翻倍，HBM新突破。AI芯片散热瓶颈有解了？[详细]
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AI内存V-Die方案亮相：侧立DRAM吞吐540 tokens/s，比HBM4快82%，散热降至45°C，性能与冷却双重突破！[详细]
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募资 265 亿美元超阿里创外企赴美 IPO 纪录：SK 海力士 ADR 预示开盘价 180 美元，首日涨超 20%
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英伟达下一代Rubin Ultra机架售价1.42亿元，HBM4e内存成本超千万！72颗GPU、20.7TB内存，AI性能碾压，头部企业已部署。点击了解惊人配置与成本。[详细]
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SK海力士280亿美元美股发行获7倍超额认购，史上第二大IPO！AI芯片需求火爆，认购超7倍，即将登陆纳斯达克。点击了解详情。[详细]
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