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中国存储全面追击！韩国承认：DRAM差2年、NAND只差1年
中国存储芯片全面追击！韩国承认：NAND仅落后1年、DRAM差2年，HBM差3年。长江存储、长鑫存储产能猛增，技术突破在即，点击查看详细差距分析。[详细]
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苹果也扛不住内存涨价！Mac Studio交付期大延长：已经排到明年了
苹果Mac Studio交付期延至明年！M5 Ultra性能炸裂，但内存涨价成主因，现在订购需等16-18周。点击了解详情。[详细]
2026-09-16 12:02:02 -
82%！长鑫科技利润率全球最高
长鑫科技利润率82%全球第一！DDR5涨价让国产存储逆袭，超越三星、SK海力士，长江存储也跻身全球前三，存储市场格局将变？[详细]
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内存降价不可能！硅晶圆缺口明年扩大到15%：HBM晶圆消耗是DDR5三倍
内存价格难降！硅晶圆缺口明年扩至15%，HBM晶圆消耗是DDR5三倍，AI需求推动供需失衡，涨价潮或持续至2028年。[详细]
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迎接定制化需求：消息称三星电子将委托台积电生产部分 HBM 基础裸片
三星电子携手台积电！HBM基础裸片双轨化，定制化内存方案来袭，满足客户多样化需求，点击了解最新动态。[详细]
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芯片让位AI内存！三星旗下工厂退出Exynos封装 产能全面切换HBM
三星Exynos封装业务大调整！天安工厂全面转向HBM内存生产，2600/2700芯片封装转移，产能聚焦高带宽存储器。揭秘三星封装双轨战略与HBM产能扩张计划。[详细]
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HBM人才争夺白热化！美光、闪迪奔赴韩国抢挖存储芯片人才
HBM人才争夺白热化！美光、闪迪赴韩挖角三星、SK海力士核心芯片工程师。AI驱动存储竞争，技术人才决定下一代市场格局，点击了解详情。[详细]
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美光、闪迪赴韩争抢半导体核心人才，三星加码薪酬与股权激励应对挖角
三星遭美光、闪迪韩国挖角HBM与NAND人才，急提薪酬股权激励防流失，全球半导体人才战白热化！点击了解薪酬涨幅与股权奖励详情。[详细]
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芯片新创 Kepler 亮相：利用 FeRAM 与 3D 堆叠突破 AI 内存瓶颈
芯片新创Kepler亮相：用FeRAM与3D堆叠突破AI内存瓶颈，带宽接近SRAM、容量超HBM，无需EUV，2026年底出样，性能惊艳！[详细]
2026-09-14 14:05:31 -
2027年DRAM大缺货！存储原厂突发“友善通知”：下游厂商要跪着求货了
据Digitimes报道，近期业界陆续收到上游存储器原厂的“友善通知”，明确转达2027年出货量将大幅紧缩，DRAM供需缺口非常大，甚至原厂2027至2028年[详细]
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3D-DRAM堆叠杀入英伟达生态！d-Matrix推理芯片接入NVLink Fusion：能效比HBM高10倍
AI推理芯片新突破！d-Matrix Raptor采用3D-DRAM堆叠，能效比HBM高10倍，接入英伟达NVLink Fusion，2027年出货。点开了解如何颠覆AI推理。[详细]
2026-09-11 20:05:59 -
11年前老卡位宽超5090八倍！HBM鼻祖R9 Fury现在仅300元：可百帧玩网游
11年老卡R9 Fury仅300元！HBM显存鼻祖，4096-bit位宽是RTX 5090的8倍，百帧畅玩网游，性能超GTX 980，但驱动停更需谨慎。[详细]
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黄仁勋刚说完TPU不敢跑分！谷歌甩出实测数据：性能领先B200达50%
黄仁勋刚说TPU不敢跑分，谷歌甩实测数据打脸：每美元推理性能领先B200达50%，成本低19%，还推出一行代码迁移的TorchTPU！[详细]
2026-09-11 11:00:47 -
长鑫利润率超巨头背后：普通DRAM被三星、海力士放弃 整体差距仍然巨大
长鑫存储利润率82%碾压三星海力士，但普通DRAM红利难持久，HBM差距仍巨大！揭秘国产存储逆袭背后的真相。[详细]
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长鑫利润率反超三星SK海力士：存储芯片企业全球最高
长鑫存储利润率82%反超三星SK海力士，成全球最赚钱存储芯片厂商！AI浪潮推涨DRAM价格，国产存储强势扭亏。点击了解国产芯片崛起真相。[详细]
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DLSS 5或推动图形DRAM需求 需要更高性能更大容量
DLSS 5技术发布！《NBA 2K27》首发支持，3D引导神经渲染提升画质，同时推动图形DRAM需求暴涨，16GB大显存显卡成新宠，性能与容量升级迫在眉睫。[详细]
2026-09-10 20:00:29 -
不靠EUV也能造HBM！前英特尔大牛结束7年隐身：宣称破解HBM供应瓶颈
前英特尔大牛创Kepler Computing，不靠EUV造HBM！新型3D堆叠铁电材料，破解供应瓶颈，无需新建晶圆厂，获近32亿融资，年底出样品。[详细]
2026-09-10 19:01:05 -
内存还凭啥大涨价 DS V4.1 Flash优化之神：HBM、SSD用量暴跌75%以上
内存涨价背后真相？DeepSeek V4.1 Flash发布，HBM、SSD用量暴跌75%以上，AI成本减半，速度翻倍！点击了解优化之神如何颠覆市场。[详细]
2026-09-10 17:02:03 -
恐怖如斯！铠侠1亿IOPS SSD定档2028：直连GPU补齐HBM短板
铠侠1亿IOPS SSD定档2028！直连GPU补齐HBM短板，第三代XL-Flash闪存性能暴涨3倍，延迟低于5微秒，PCIe 7.0接口加持，颠覆存储极限！[详细]
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HBM4让三星内存、代工业务双双翻身：贡献4nm工艺50%订单
三星HBM4逆袭！4nm工艺50%订单来自HBM4基础芯片，自产自销成本优势，全球份额从21%暴涨到33%，有望超越SK海力士。内存与代工业务双双翻身，AI芯片新格局！[详细]
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长鑫科技回应与苹果合作：以开放态度与全球优质客户探讨合作机会
长鑫科技回应苹果合作传闻，股价逼近4万亿！存储芯片巨头业绩暴增873%，HBM、国产光刻机进展如何？速看详情→[详细]
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内存容量密度已经涨不动了：5年前服务器最高8TB 现在都没变
内存容量密度5年未涨！服务器内存停留在8TB，AI算力遭遇内存墙，价格暴涨。未来突破需3D DRAM技术，点击了解内存技术停滞真相。[详细]
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行业竞争压力加剧 铠侠出招：推动NAND闪存替代部分DRAM
铠侠推出CXL模块，用NAND闪存替代部分DRAM，内存容量翻倍、性能提升30%，降低AI服务器成本，抢占DRAM市场！[详细]
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消息称美光 HBM 月产能 2026 年底有望达 10 万片，较去年翻倍
美光HBM产能翻倍！2026年底月产10万片，聚焦12Hi HBM4助力NVIDIA Rubin GPU，AI算力再升级，点击了解详情。[详细]
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增速最快：长鑫存储 Q2 拿下全球 DRAM 市场 10% 份额，同比增长 150% 坐稳全球第四
长鑫存储Q2全球DRAM份额达10%，同比增长150%稳坐第四，增速最快的存储厂商，未来产能将大幅提升。[详细]
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增速最快存储厂商！长鑫存储DRAM营收份额升至10% 坐稳全球第四
长鑫存储DRAM营收份额飙升至10%，坐稳全球第四！增速最快存储厂商，紧抓AI热潮，国产存储芯片崛起，未来HBM技术突破在即，点击了解详情。[详细]
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1亿IOPS性能紧追内存 铠侠28年将推AI SSD：还可与NVIDIA显卡互通
铠侠2028年推AI SSD，1亿IOPS性能直追内存！延迟降低90%，可直连NVIDIA显卡，无需CPU绕行。未来AI存储新标杆，TB级容量碾压HBM，速度与容量兼得。点击了解详情！[详细]
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追赶速度惊人！三星HBM份额暴涨：33%市占率逼近SK海力士
三星HBM份额暴涨至33%，与SK海力士差距仅17个百分点！HBM市场竞争白热化，下一代HBM4即将放量，谁将主导市场？点击查看最新数据与趋势分析。[详细]
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美光探索近 GPU NAND 闪存，可支撑更大规模 AI 模型
美光探索近GPU NAND闪存，缩短与GPU距离，提升I/O速度，充当高速缓冲层，突破显存限制，支撑更大规模AI大语言模型，未来LLM推理不再受显存容量束缚。[详细]
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消息称台积电先进封装 CoWoS 明年产能配额已全被预订，部分客户转向英特尔 EMIB-T
台积电CoWoS明年产能配额已全被预订，AI芯片需求爆发致客户转向英特尔EMIB-T，联发科、博通等巨头纷纷评估，SK海力士也考虑多元化封装供应链，点击了解详情。[详细]