三星电子计划 2026Q2 出样 HBM4E 内存

4 月 30 日消息，三星电子 (Samsung Electronics) 今日公布了正式的 2026Q1 财报并对各业务的发展进行了介绍，其中在存储器业务部分提到，计划 2026Q2 出样 HBM4E 内存。

三星电子设备解决方案 (DS) 部存储器业务代表在电话会议上表示，一季度 DRAM ASP（平均销售价格）增长超过 90%、NAND ASP 增幅也接近 90%。该企业预计今年 HBM 内存销售额将同比增长 3 倍，从 Q3 开始 HBM4 将占到 HBM 整体收入的一半以上。

在晶圆代工部分，该企业 Q1 成功赢得了大型光通信组件公司的订单，奠定了硅光子 (SiPh) 业务的基础；下半年将启动 2nm 第二代移动产品的产能爬坡，加速扩展 4nm 内存产品、4nm LPU 的产能。对于美国泰勒项目，1 号晶圆厂年内产能爬坡、2027 年量产，2 号晶圆厂计划正在审议。

此外，三星显示下半年将通过具备差异化技术的旗舰产品以及 8.6 代 IT OLED 的量产推动营收增长。