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苹果杀疯了!iPhone18 Pro定价激进:8999元加量不加价
分析师Jeff Pu在最新一份报告中称，苹果将对iPhone 18 Pro和iPhone 18 Pro Max采取激进的定价策略，256GB起步版本价格保持不变。这意味着iPhone 18 Pro起步价是8999元，iPhone 18 Pr...[详细]
2026-05-04 17:28:20 -
苹果杀疯了！iPhone 18 Pro定价激进：8999元加量不加价
分析师Jeff Pu在最新一份报告中称，苹果将对iPhone 18 Pro和iPhone 18 Pro Max采取激进的定价策略，256GB起步版本价格保持不变。这意味着iPhone 18 Pro起步价是8999元，iPhone 18 Pr...[详细]
2026-05-04 10:01:19 -
想降价等着吧！美光CEO：AI仍处于早期阶段 存储供应持续吃紧
如果你还在等待存储产品降价，那么美光CEO桑杰·梅赫罗特拉的最新表态可能会让你失望。在他看来，存储降价在短期内几乎不可能实现，而且距离市场回归常态还十分遥远。梅赫罗特拉在接受采访时指出，当前的AI浪潮尚处于早期阶段。随着...[详细]
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美光 CEO 称 AI 仍处于“早期阶段”，DRAM 内存和 NAND 闪存供应持续吃紧
5 月 3 日消息，存储巨头美光科技（Micron）第二财季创下了营收、毛利率、每股收益和自由现金流的多项纪录。美光 CEO 桑杰?梅赫罗特拉（Sanjay Mehrotra）在接受 CNBC 采访时指出，当前的 AI 浪潮仅处于“早期阶段...[详细]
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出货大涨13.1%仍不够分！Q1 硅晶圆市场冰火两重天：AI 吃饱 手机 PC跌倒
SMG近日发布2026年第一季度硅晶圆行业季度分析报告。全球硅晶圆出货面积达到32.75亿平方英寸，较2025年同期的28.96亿平方英寸同比增长13.1%，但较2025年第四季度的34.37亿平方英寸环比下降4.7%，...[详细]
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韩投称 AI 企业已锁定长期内存订单：即便市场短缺缓解，价格仍维持高位
5 月 1 日消息，韩国投资证券（KIS，简称韩投）在最新研报中指出，即使内存芯片短缺缓解，价格短期内也不会出现明显下降。研报指出 AI 超大规模企业已锁定长期产能订单，因此会进一步拉长本轮内存超级周期，且内存售价在可以预见的未来...[详细]
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别等内存降价了！三星称2027年的产能都已全部售罄
快科技5月1日消息，据报道，三星存储事业部高级经理金在俊（Kim Jaejune）日前表示，三星当前的内存产量已远远落后于市场需求。?三星还预计2027年的DRAM危机将进一步恶化，供需缺口还将继续扩大，这意味着涨价趋势远...[详细]
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砸2600亿！武汉存储扩产计划曝光：长江存储产能翻番 剑指全球第三
武汉近日发布2026年重大项目规划，380亿美元（约合人民币2600亿元）存储半导体扩产计划宣告落地。扩产以长江存储与武汉新芯为双核心，主攻3D NAND与DRAM两大方向。长江存储三期厂房已进入设备调试阶段，预计2026...[详细]
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别等内存降价了！三星2027年产能都已全部售罄
据报道，三星存储事业部高级经理金在俊（Kim Jaejune）日前表示，三星当前的内存产量已远远落后于市场需求。三星还预计2027年的DRAM危机将进一步恶化，供需缺口还将继续扩大，这意味着涨价趋势远未触顶。还有消息称，三...[详细]
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三星正式停产LPDDR4/4X：内存价格明年会更惨！
三星证实了此前传闻，老一代LPDDR4、LPDDR4X内存真的要停产了，官方产品页面已经明确标注“停产”(Discontinued)。三星这么做，自然是不是因为它们没人用了，或者技术落后了，恰恰相反，它们依然有着广泛的应...[详细]
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别等了：内存短缺缓解价格也不会降！韩国机构：市场判断全错了
韩国投资证券（KIS）在最新研究报告中发出警告，当前DRAM内存价格同比已暴涨3倍，但即便未来短缺有所缓解，价格也未必会回落。KIS在报告中解释了这一看似反直觉的现象，扩大内存容量可以明显提升GPU利用率，因为更多数据能...[详细]
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苹果内存即将见底 库克首次松口：iPhone价格撑不住了！
在苹果2026财年第二季度财报电话会上，CEO蒂姆·库克表示，预计 6月之后，内存成本将对苹果的业务产生“越来越大的影响”。库克表示，苹果正在尽一切努力规避内存成本飙升的影响，但iPhone的价格稳定性已接近极限。据供应链...[详细]
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库克的库存也见底，苹果预计第二季度及后续内存成本将“显著提高”
5 月 1 日消息，在今日的 2026 财年第二季度财报电话会议上，苹果 CEO 蒂姆 · 库克表示，苹果预计第二季度将出现“显著更高的内存成本”，而 6 月之后，内存成本将对苹果的业务产生“越来越大的影响”。库克表示，由于公司正在销售囤积的...[详细]
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三星和 SK 海力士纷纷警告：AI 导致的内存短缺问题可能持续至 2027 年及以后
4 月 30 日消息，三星电子今日发布了 2026 财年第一财季财报，公司存储业务负责人 Kim Jaejune 警示，各类存储芯片的严重短缺局面至少将持续至 2027 年。据《南华早报》报道，由于各大客户争相锁定未来供货，当前产品履约率已...[详细]
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三星发2026年Q1财报：营业利润超去年全年
今天，三星公布了截至2026年3月31日的第一季度财报，显示业绩实现爆发式增长?，不但远超市场预期，也超越了三星多项历史记录，包括首次单季营收突破100万亿韩元及营业利润突破50万亿韩元等，可以说交出了一份“超级财报”。...[详细]
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内存市场出现反常一幕：三星称DDR比HBM利润还高 原因揭秘
由于DRAM内存芯片大涨价，三星等公司Q1季度业绩创造了史上最好记录。根据三星财报公布的数据，Q1当季总营收达到创纪录的133.9万亿韩元，约合901.3亿美元，而营业利润更是冲上57.23万亿韩元，约合385.6亿美元...[详细]
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三星电子计划 2026Q2 出样 HBM4E 内存
4 月 30 日消息，三星电子 (Samsung Electronics) 今日公布了正式的 2026Q1 财报并对各业务的发展进行了介绍，其中在存储器业务部分提到，计划 2026Q2 出样 HBM4E 内存。三星电子设备解决方案 (DS) 部存储...[详细]
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内存缺货三星赚翻了：Q1半导体利润暴涨48倍！
三星电子发布2026年第一季度财报，多项指标创下历史纪录。季度销售额达133.9万亿韩元，远超117.49万亿韩元的市场预期；运营利润达57.23万亿韩元，同比增长756%，同样大幅碾压38.23万亿韩元的预期。半导体部...[详细]
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没人买了：NAND现货价格一个月暴跌40%！
据TrendForce最新现货行情报告，DRAM现货市场延续保守态势，仅DDR5芯片维持零星买盘，DDR4需求持续疲软，NAND Flash现货价格过去一个月累计下跌30-40%。DRAM方面，本周现货市场买家多以询价为主...[详细]
2026-04-29 18:00:45 -
一季赚超去年全年：威刚Q1净利暴增17倍！董事长喊出“万马奔腾”
威刚公布2026年第一季度财报，单季合并营收261亿元新台币，季增64.7%，年增163.4%；税后净利99.75亿元新台币，较2025年同期暴增17倍，已超越2025年全年获利水平，全面刷新公司成立25年来的获利天花板...[详细]
2026-04-29 17:04:57 -
比亚迪也被内存涨价波及！部分车型选装激光版天神之眼B涨价2100元
比亚迪汽车今日发布关于比亚迪旗下（王朝、海洋、方程豹）部分车型，选装天神之眼B 价格调整的说明 。比亚迪表示，受全球存储硬件成本大幅上涨的影响，为保障卓越的产品品质和更好的用户体验。比亚迪旗下（王朝网、海洋网、方程豹）部分车...[详细]
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三星工人计划举行数万人大罢工！存储产量又要降
全球存储芯片市场再添变数。据Trendforce及多家外媒报道，三星电子旗下工会工人因薪资诉求未得到满足，计划于5月21日至6月7日举行为期18天的罢工。此举可能导致三星的DRAM和NAND闪存产量分别缩减3-4%和2-...[详细]
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内存降50%就心动想买了吗！报告：DRAM和NAND价格或在2027年见顶
近期存储市场迎来了一波所谓的降价潮，不少内存产品的价格降幅号称超过50%。然而，如果将这一降幅与此前的疯狂涨价幅度相比，这种程度的回调显得有些微不足道。以联想16G DDR5-5600笔记本内存为例，其售价近期从1759元...[详细]
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消息称南亚科技打入英伟达 Vera Rubin 平台 LPDDR 内存供应链
4 月 27 日消息，台媒《经济日报》今日援引业界消息表示，DRAM 制造商南亚科技 (Nanya) 在台积电 (TSMC) 的支持协助下打入 NVIDIA（英伟达）Vera Rubin 平台的 LPDDR 内存供应链。从 Vera Rubin 平台的...[详细]
2026-04-27 12:07:07 -
3D DRAM验证成功 AI内存将迎来革命
2026年4月23日，美国新创人工智能和存储技术厂商NEO Semiconductor正式宣布，其3D X-DRAM技术已成功完成概念验证（Proof-of-Concept，POC），证明这种新型3D堆叠内存可以利用现有的3...[详细]
2026-04-27 10:02:39 -
4F Square 架构全球首产：消息称三星突破 10 纳米 DRAM 瓶颈
感谢网友 不一样的体验 的线索投递！ 4 月 25 日消息，韩媒 The Elec 昨日（4 月 24 日）发布博文，报道称三星已成功生产出采用 4F Square 单元结构与 VCT 技术的 10a DRAM 晶圆，并在测试中确认了功能性芯片，计划于 2028...[详细]
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三星电子突破DRAM技术壁垒 成功产出10纳米以下工作晶圆
三星电子在DRAM制造技术方面取得突破，首次成功产出10纳米以下级别的工作晶圆。这一进展标志着该公司在克服DRAM“10纳米魔咒”方面迈出了关键一步。据业界消息，三星电子上月生产了采用10a工艺的晶圆，并在芯片特性检测过...[详细]
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4F 架构全球首产！三星突破DRAM物理极限
据报道，三星电子全球首次成功产出了基于4F?架构的DRAM工作晶圆，一举突破了传统平面DRAM长期面临的物理微缩极限。据悉，今年2月，三星已在ISSCC 2026会议上首次公开展示了这颗融合4F?架构的16Gb DRAM原型...[详细]
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Omdia 预测：全球半导体收入 2026 年增长 62.7%，NAND 领域可能达去年 4 倍
4 月 24 日消息，Omdia 英国当地时间 23 日发布最新预测，认为今年全球半导体收入将接近 1.4 万亿美元，整体同比增幅达到 62.7%。存储器仍将是 2026 年最为火热的市场，机构认为当前的供应瓶颈要到 2027 年中后期才会出现实...[详细]
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NEO Semiconductor 完成 3D 堆叠内存 X-DRAM 概念验证，可用现有 NAND 产线制造
4 月 24 日消息，3D 存储半导体 IP 企业 NEO Semiconductor 美国加州当地时间 23 日宣布其 X-DRAM 成功完成概念验证芯片制造，证明这一 3D 堆叠内存可利用现有 3D NAND 闪存生产线制造。NEO Semiconduc...[详细]
2026-04-24 16:04:42