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消息称三星电子 1** DRAM 内存良率已突破量产盈亏平衡点
韩媒 IT Chosun 昨日报道称，三星电子的第六代 10 纳米级 DRAM 内存制程工艺（IT之家注：即 1**）目前的良率已提升至约 60%，突破了量产盈亏平衡点。此举被视为一项重要里程碑，因为三星电子 HBM4 内存便基于 1** DRA...[详细]
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Intel首发量产2nm级工艺 台积电称不怕竞争：不是砸钱就行的
虽然台积电在去年12月底宣布2nm工艺已经量产，但Intel在去年10月份就宣布量产18A工艺，这也是2nm级别的工艺，量产时间上算是领先了台积电一次。Intel接下来靠着18A工艺确实有机会抢占先进工艺市场，甚至有可能...[详细]
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台积电当场看傻！马斯克宣布建造2nm万亿级晶圆厂：无需洁净室 能在里面抽雪茄
埃隆·马斯克又“疯了”。众所周知，晶圆厂要保证良率，必须要设立洁净室，工作人员必须穿防护服才能入内，以免造成污染。但马斯克偏偏反其道而行之，他认为现代晶圆厂的洁净室根本不需要，并宣布将建造一座2nm万亿级晶圆厂，甚至要在...[详细]
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史上最先进的制程！台积电1.4nm明年试产：1nm时代快来了
台积电2nm制程量产计划已按时间表正常推进，由于市场需求旺盛，台积电的晶圆供应一度紧张，这家半导体巨头计划再新建三座工厂以满足客户需求。与此同时，台积电1.4nm工艺的进度也在顺利进行中，据称台积电正加速推进其1.4nm...[详细]
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Intel 18A芯片厂揭秘：已有4台EUV光刻机 月产4万片晶圆
Intel前不久发布了18A工艺，这是Intel四年五代工艺中最关键的一环，尤其是20A工艺已经取消的情况下。按照以前的计算方式，18A工艺就相当于1.8nm工艺，理论上比台积电当前最先进的2nm还要强一些，不过后者现在...[详细]
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三星4nm良率达70%！ 成功拿下1亿美元代工大单
据AJU News报道，三星电子近日获得美国AI芯片初创公司Tsavorite的订单，将采用其4nm制程工艺为后者代工AI芯片，订单金额超过1亿美元。Tsavorite的AI芯片被设计为“全功能处理单元”，旨在成为下一代A...[详细]
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全球首款2nm手机芯片！三星Exynos 2600还未量产
据媒体报道，三星Exynos 2600芯片尚未进入量产阶段。据悉，随着DRAM和NAND闪存价格的持续上涨，三星正为提升良率、降低Exynos 2600的残次品数量展开相关试验，这也凸显出三星在2nm GAA工艺上面临一定的挑...[详细]
2025-12-07 10:09:09 -
Intel CEO：必须让客户满意 满足性能、能耗等所有要求
Intel公司近年来除了不断改进自己的芯片产品，还把晶圆代工业务作为重点来抓，多年来还是想跟台积电硬碰一下，为此他们需要做很多改变。Intel与台积电最大的差别是什么？很多人会说是芯片工艺、生产成本等技术指标，这些领域绝...[详细]
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2nm良率逼近60% 三星最大芯病缓解：迎战台积电
三星多年来一直想跟台积电竞争晶圆代工市场，然而除了14nm节点获得了苹果A9订单之外，最近十几年来没有什么大客户，最大的问题还是三星良率不行。当前芯片竞争已经到了2nm工艺，这一代也是三星极为重视的节点，之前的良率感人，...[详细]
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三星打响自研芯片反击战：2nm 月产能预估猛增 163%，Galaxy S27 Ultra 手机有望终结“骁龙独占”
科技媒体 SmartPrix 昨日（11 月 23 日）发布博文，报道称三星的 Exynos 芯片业务将迎来重大突破，得益于 2 纳米制造工艺良率的显著提升，三星计划在 2027 年推出的 Galaxy S27 Ultra 旗舰手机上，重新采用自家的...[详细]
2025-11-25 09:37:51 -
Intel：18A工艺良率每月提升7% 14A工艺遥遥领先
作为Intel四年五代工艺中的关键一环，Intel今年量产了18A工艺，前不久发布了两款CPU产品，桌面版的Panther Lake及服务器版的Clearwater Forest。尽管量产和产品已经步入正轨，但是外界对Int...[详细]
2025-11-21 11:14:05 -
2nm工艺良率被指仅有30% 三星追赶台积电还有很多坑要填
台积电今年底量产2nm工艺，Intel的18A工艺也一样是今年底量产，三星更是很早就宣布了2nm工艺量产的消息，然而问题还是很多。三星的2nm工艺用上了三星第二代GAA晶体管结构，还有BSPDN背面供电，有点类似Inte...[详细]
2025-10-27 19:15:27 -
中国光刻胶领域取得新突破！首次合成分辨率优于5nm的微观三维“全景照片”
我国光刻胶领域取得新突破！据科技日报报道，近日，北京大学化学与分子工程学院彭海琳教授团队及合作者通过冷冻电子断层扫描技术，首次在原位状态下解析了光刻胶分子在液相环境中的微观三维结构、界面分布与缠结行为，指导开发出可显著减...[详细]
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首次！中国芯片领域取得新突破 改进光刻胶缺点：提升7nm及以下先进制程良率
据国内媒体报道称，我国芯片领域取得新突破，具体来说是在光刻胶领域。北京大学化学与分子工程学院彭海琳教授团队及合作者通过冷冻电子断层扫描技术，首次在原位状态下解析了光刻胶分子在液相环境中的微观三维结构、界面分布与缠结行为，...[详细]
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宣称2nm技术良率大突破：三星再提超越台积电目标！
据报道，三星电子近期在先进半导体技术领域展现出强劲的信心，特别是对其2纳米GAA制程的进展高度乐观。报道称，在由总统办公室政策首席Kim Yong-beom主持的一次半导体产业会议上，三星设备解决方案部门总裁兼技术长Son...[详细]
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消息称三星电子 4nm 工艺 HBM4 内存逻辑裸片良率已超九成
韩媒《朝鲜日报》当地时间今日表示，由三星电子晶圆代工部门为存储器部门制造的 4nm 工艺 HBM4 内存逻辑裸片（Logic Die）良率已超过 90%。三星电子在 HBM4 上采用了相对激进的工艺组合，即以 1cnm DRAM Die 搭配 4...[详细]
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全美第一个2nm级工艺 Intel 18A已过第一道关：除了胜利别无选择
Intel昨晚推出了Panther lake及Clearwater Forest两代产品，都使用了18A工艺，这是全美第一个2nm级别的先进工艺。实际上放在全球来说，台积电的2nm工艺产品还没有产品发布，Intel应该算是全...[详细]
2025-10-11 10:00:22 -
全球首颗！复旦团队研发出二维-硅基混合架构闪存芯片
据复旦大学微信公众号消息，时隔半年，继“破晓（PoX）”皮秒闪存器件问世，复旦大学在二维电子器件工程化道路上再获里程碑式突破！复旦大学集成芯片与系统全国重点实验室集成电路与微纳电子创新学院周鹏-刘春森团队研发的“长缨（C...[详细]
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消息称台积电整合 8 英寸旧厂，转向自研 EUV 薄膜提良率、降成本
行业媒体 Digitimes 昨日（9 月 10 日）发布博文，报道称台积电确认将在两年内退出氮化镓（GaN）代工业务，关闭新竹科学园区的 6 英寸二厂，并整合 8 英寸三厂（Fab 3、Fab 5、Fab 8）。报道称台积电为缓解用工紧缺、降...[详细]
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还是很行的！Intel 18A工艺重要进展：良率已超越三星2nm
据报道，KeyBanc Capital Markets的分析报告显示，Intel 18A工艺的良率已从上一季度的50%提升至55%，与竞争对手的对比中脱颖而出。相比之下，三星的2nm工艺（SF2）目前的良率大约在40%左右，而...[详细]
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消息称三星电子 1c 纳米 DRAM 内存良率明显提升，设计改进起到关键作用
参考韩媒 SEDaily 当地时间本月 19 日报道和另一家韩媒 MK 的今日报道，三星电子的第六代 10 纳米级（即 1c nm）DRAM 内存工艺在设计改进等的推动下良率明显提升。SEDaily 在报道中宣称，三星去年 1c nm 内存的良率还不...[详细]