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差 10%：消息称三星 2nm 工艺良率卡在 60%，无缘代工高通第六代骁龙 8 至尊版芯片
4 月 11 日消息，科技媒体 Wccftech 昨日（4 月 10 日）发布博文，报道称三星 2nm GAA 工艺良率卡在 60%，未达高通 70% 的基准要求，因此第六代骁龙 8 至尊版系列芯片依然由台积电独家代工。援引博文介绍，三星 2nm GAA 工...[详细]
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良率仅55%！英特尔「抱住」马斯克，能撼动台积电的「铁王座」？｜硅谷观察
出品 / 新浪科技（ID:techsina）作者 / 郑峻上周末，英特尔总部园区迎来了一位不寻常的访客：全球首富马斯克。英特尔官方X账号发布了CEO陈立武与马斯克握手会面的照片。英特尔官方账号随即写道：“我们很自豪地加入Tera...[详细]
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消息称高通优先考虑由台积电制造 2nm 移动 AP，三星晶圆代工复苏遇阻
4 月 10 日消息，韩媒《釜山日报》当地时间昨日报道称，由于三星晶圆代工的 2nm 制程工艺在目标芯片上的良率未达到要求，高通在下一代移动端 AP（应用处理器）制造工作上重新优先考虑由台积电负责。报道称，三星电子的 2nm 工艺当前良...[详细]
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消息称马斯克 SpaceX 封装厂和 PCB 厂良率低于预期，量产计划推迟至 2027 年中
4 月 10 日消息，行业媒体 Digitimes 今天（4 月 10 日）发布博文，报道称马斯克旗下公司 SpaceX 在美国得州新建的 FOPLP（扇出型面板级）封装厂与 PCB（印刷电路板）工厂面临严重生产挑战，良率低于预期，量产计划被迫...[详细]
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SK海力士发力1c DRAM：良率已升至80% 年底将有19万片产能
据媒体报道，SK海力士正加快提升其10纳米第六代（1c）DRAM的竞争力，用于该工艺的极紫外（EUV）设备投资较原计划增加了约三倍。业内人士透露，SK海力士正集中精力推进1c DRAM技术的发展，以应用于第七代高带宽内存（...[详细]
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半年翻三倍！三星2nm良率涨至60%以上：紧追台积电
据韩国媒体报道，三星代工业务的2nm制程良率已提升至60%以上，去年下半年该工艺良率还停留在20%出头，两个季度内实现了三倍以上的飞跃。目前三星2nm产线的主要客户包括三星系统LSI部门、矿机芯片厂商嘉楠科技（Canaa...[详细]
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消息称三星 2nm 工艺良率已突破 60%，与台积电基本持平
3 月 24 日消息，三星在半导体制造领域取得突破，其先进的 2 纳米工艺良率近期已突破 60%。这一进展将使该公司能够以更低成本生产更多高性能芯片，同时吸引新客户。据 Hankyung 报道，三星 2 纳米工艺的良率在短短两个季度内增长了...[详细]
2026-03-24 20:05:32 -
英特尔 CFO 津斯纳：Intel 18A 良率爬升略超预期，代工部门 2027 年底盈亏平衡展望不变
3 月 5 日消息，英特尔 CFO 大卫 · 津斯纳在出席摩根士丹利 TMT 会议时表示，该公司当前最新工艺制程 Intel 18A 的良率爬升进度略好于此前的预期，英特尔代工到 2027 年底实现盈亏平衡的展望没有发生变化。津斯纳提到，公司 CEO...[详细]
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消息称三星电子 1c nm 制程 DRAM 内存良率达 80%，HBM4 良率接近六成
2 月 24 日消息，韩媒 ETNEWS 当地时间昨日报道称，三星电子的 1c nm 制程 DRAM 内存在高温环境热测试中的良率已达 80%，相较 2025Q4 的 60~70% 明显提升，显示该工艺的量产成熟度有了很大改进，商业化阶段的盈利能力大...[详细]
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消息称三星、SK 海力士面临 HBM4 产能、良率问题，或促使英伟达放宽要求
2 月 13 日消息，据韩媒 ZDNet 今天报道，全球三大 DRAM 厂商之间的“HBM4”竞争正日益激化，其中三星电子昨日率先量产 HBM4，抢在 SK 海力士和美光之前。据业内消息，三星电子、SK 海力士计划本月向英伟达提供 HBM4“风...[详细]
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美光 CFO 澄清：HBM4 内存已大规模量产，整体进度好于此前预期
2 月 12 日消息，Micron 美光首席财务官 Mark Murphy 在当地时间昨日举行的 Wolfe Research 汽车、汽车技术与半导体会议上澄清称，该企业的 HBM4 内存已大规模量产，整体进度好于此前预期。Mark Murphy...[详细]
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英特尔 CEO 陈立武：Intel 14A 制程计划 2028 年风险试产、2029 年量产，内存短缺 2028 年前不会缓解
感谢网友 杆杆只爱学习 的线索投递！ 2 月 8 日消息，英特尔新任 CEO 陈立武在 2 月 3 日的 Cisco AI Summit（思科 AI 峰会）上表示：Intel 14A 制程计划在 2028 年进入风险试产阶段，并在 2029 年实现量产。实际上，英特...[详细]
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剑指台积电：三星 2026 年 2nm 芯片订单增长目标 130%
2 月 7 日消息，供应链媒体 Digitimes 昨日（2 月 6 日）发布博文，报道称三星电子代工部门近日设立了激进目标，计划在 2026 年将其 2 纳米 GAA 工艺的订单量提升 130%。援引博文介绍，三星代工部门敏锐捕捉到台积电当前产能供...[详细]
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Intel CEO陈立武承认之前良率相当差 18A现已每月提升8%
Intel CEO陈立武接任这个位置已经一年了，在此之前Intel在几年内换了多位CEO，转型之路艰难，最终迎来跟AMD、NVIDIA一样的华裔CEO掌管大局。这几年困扰Intel最大的麻烦是什么？说简单一点就是Intel...[详细]
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苹果与英特尔重启合作！2028年开始代工iPhone的A22芯片
据分析师Jeff Pu最新发布的报告显示，苹果计划与英特尔重启芯片领域合作。不过，此次合作是英特尔代工苹果自主设计的Arm架构芯片，与早年Mac采用的英特尔x86架构自研处理器有本质区别。此次合作初期仅覆盖部分非Pro版i...[详细]
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英特尔 CEO 陈立武：AI 需求强劲，为短期未完全满足市场需求而遗憾
在英特尔 2025 年第四季度财报电话会上，英特尔 CEO 陈立武表示，尽管 AI 时代带来了前所未有的半导体需求，但短期内，“我对未能完全满足市场需求感到遗憾”。他表示，当前英特尔产品良率虽符合英特尔的内部计划...[详细]
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直面AMD Zen6！Intel重申：Nova Lake桌面CPU年底正常发布
Intel今天正式发布了最新的财报，在重申了其对消费市场的承诺。目前数据中心与AI业务正占据Intel更多的晶圆资源，首席财务官David Zinsner表示：“我们正在尽可能多地将内部晶圆供应转向数据中心，但我们不能完全...[详细]
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消息称三星电子 1** DRAM 内存良率已突破量产盈亏平衡点
韩媒 IT Chosun 昨日报道称，三星电子的第六代 10 纳米级 DRAM 内存制程工艺（IT之家注：即 1**）目前的良率已提升至约 60%，突破了量产盈亏平衡点。此举被视为一项重要里程碑，因为三星电子 HBM4 内存便基于 1** DRA...[详细]
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Intel首发量产2nm级工艺 台积电称不怕竞争：不是砸钱就行的
虽然台积电在去年12月底宣布2nm工艺已经量产，但Intel在去年10月份就宣布量产18A工艺，这也是2nm级别的工艺，量产时间上算是领先了台积电一次。Intel接下来靠着18A工艺确实有机会抢占先进工艺市场，甚至有可能...[详细]
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台积电当场看傻！马斯克宣布建造2nm万亿级晶圆厂：无需洁净室 能在里面抽雪茄
埃隆·马斯克又“疯了”。众所周知，晶圆厂要保证良率，必须要设立洁净室，工作人员必须穿防护服才能入内，以免造成污染。但马斯克偏偏反其道而行之，他认为现代晶圆厂的洁净室根本不需要，并宣布将建造一座2nm万亿级晶圆厂，甚至要在...[详细]
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史上最先进的制程！台积电1.4nm明年试产：1nm时代快来了
台积电2nm制程量产计划已按时间表正常推进，由于市场需求旺盛，台积电的晶圆供应一度紧张，这家半导体巨头计划再新建三座工厂以满足客户需求。与此同时，台积电1.4nm工艺的进度也在顺利进行中，据称台积电正加速推进其1.4nm...[详细]
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三星4nm良率达70%！ 成功拿下1亿美元代工大单
据AJU News报道，三星电子近日获得美国AI芯片初创公司Tsavorite的订单，将采用其4nm制程工艺为后者代工AI芯片，订单金额超过1亿美元。Tsavorite的AI芯片被设计为“全功能处理单元”，旨在成为下一代A...[详细]
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全球首款2nm手机芯片！三星Exynos 2600还未量产
据媒体报道，三星Exynos 2600芯片尚未进入量产阶段。据悉，随着DRAM和NAND闪存价格的持续上涨，三星正为提升良率、降低Exynos 2600的残次品数量展开相关试验，这也凸显出三星在2nm GAA工艺上面临一定的挑...[详细]
2025-12-07 10:09:09 -
Intel CEO：必须让客户满意 满足性能、能耗等所有要求
Intel公司近年来除了不断改进自己的芯片产品，还把晶圆代工业务作为重点来抓，多年来还是想跟台积电硬碰一下，为此他们需要做很多改变。Intel与台积电最大的差别是什么？很多人会说是芯片工艺、生产成本等技术指标，这些领域绝...[详细]
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2nm良率逼近60% 三星最大芯病缓解：迎战台积电
三星多年来一直想跟台积电竞争晶圆代工市场，然而除了14nm节点获得了苹果A9订单之外，最近十几年来没有什么大客户，最大的问题还是三星良率不行。当前芯片竞争已经到了2nm工艺，这一代也是三星极为重视的节点，之前的良率感人，...[详细]
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三星打响自研芯片反击战：2nm 月产能预估猛增 163%，Galaxy S27 Ultra 手机有望终结“骁龙独占”
科技媒体 SmartPrix 昨日（11 月 23 日）发布博文，报道称三星的 Exynos 芯片业务将迎来重大突破，得益于 2 纳米制造工艺良率的显著提升，三星计划在 2027 年推出的 Galaxy S27 Ultra 旗舰手机上，重新采用自家的...[详细]
2025-11-25 09:37:51 -
Intel：18A工艺良率每月提升7% 14A工艺遥遥领先
作为Intel四年五代工艺中的关键一环，Intel今年量产了18A工艺，前不久发布了两款CPU产品，桌面版的Panther Lake及服务器版的Clearwater Forest。尽管量产和产品已经步入正轨，但是外界对Int...[详细]
2025-11-21 11:14:05 -
2nm工艺良率被指仅有30% 三星追赶台积电还有很多坑要填
台积电今年底量产2nm工艺，Intel的18A工艺也一样是今年底量产，三星更是很早就宣布了2nm工艺量产的消息，然而问题还是很多。三星的2nm工艺用上了三星第二代GAA晶体管结构，还有BSPDN背面供电，有点类似Inte...[详细]
2025-10-27 19:15:27 -
中国光刻胶领域取得新突破！首次合成分辨率优于5nm的微观三维“全景照片”
我国光刻胶领域取得新突破！据科技日报报道，近日，北京大学化学与分子工程学院彭海琳教授团队及合作者通过冷冻电子断层扫描技术，首次在原位状态下解析了光刻胶分子在液相环境中的微观三维结构、界面分布与缠结行为，指导开发出可显著减...[详细]
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首次！中国芯片领域取得新突破 改进光刻胶缺点：提升7nm及以下先进制程良率
据国内媒体报道称，我国芯片领域取得新突破，具体来说是在光刻胶领域。北京大学化学与分子工程学院彭海琳教授团队及合作者通过冷冻电子断层扫描技术，首次在原位状态下解析了光刻胶分子在液相环境中的微观三维结构、界面分布与缠结行为，...[详细]