美光确认 HBM4E 基于 1γ DRAM，未来 1δ 工艺将使用最新 EUV 光刻设备

3 月 19 日消息，Micron 美光在其 FY2026Q2 财报会议上表示，预计 2027 年量产的下一代 HBM 内存 —— HBM4E 正在开发之中，其将基于 1γ（1-gamma，即第 6 代 10nm 级）工艺的 DRAM Die，相较 HBM4 实现制程升级。

而在 DRAM 工艺开发方面，美光确认将引入第 7 代 10nm 级工艺 1δ (1-delta)。该节点的 EUV 光刻使用量将更高，为此美光计划为其导入最新一代的 EUV 光刻设备（注：这里应指 High NA EUV），以优化洁净室空间效率和图案化表现。

美光正从传统的 LTA 长期协议转向包含多年具体承诺的 SCA 战略客户协议，首份五年期 SCA 已经签署。这种模式为美光提供更好的业务可见性与稳定性，同时也给予客户更大的确定性，深化双方的长期合作。

美光预测全球整体的 DRAM 和 NAND 供应规模将在 2026 日历年增长 20% 左右，PC 和智能手机的出货量可能会有一成出头的下滑。该企业提升了本财年的资本支出规模，以满足晶圆厂洁净室建设的需求。