-
白面板手机已绝版!魅族23将在今年亮相:不再采用白面板
在2026魅友新春年会上,星纪魅族集团中国区CMO万志强预告,今年魅族将会推出年度旗舰魅族23,称“魅族23有惊喜也有遗憾”。万志强表示,魅族23的惊喜是其手感更进一步,搭载魅族史上最窄边框,遗憾是魅族23不再采用白色面...[详细]
-
英特尔表示18A工艺良品率每月提升7%
英特尔已确认,客户端计算事业部(CCG)总经理Jim Johnson将于太平洋时间2026年1月5日下午3点(北京时间2026年1月6日早上7点)的CES 2026发布会上,重点介绍下一代英特尔PC、边缘解决方案以及代号Pa...[详细]
2025-11-22 09:54:14 -
三星电子近日首次公布2nm工艺量产进展及技术指标!
三星电子近日首次披露其2nm制程工艺量产进展及技术参数:相较于3nm制程,新工艺实现性能提升5%、能效优化8%、芯片面积缩减5%。尽管提升幅度略低于行业此前预期,但这一进展标志着全环绕栅极(GAA)晶体管架构在更先进...[详细]
2025-11-20 08:52:01 -
三星2nm工艺细节公布:能效提升8% 良品率不足60%
据媒体报道,三星电子首次公布2nm工艺量产进展及技术指标:相较3nm制程,新工艺实现性能提升5%、能效优化8%、芯片面积缩减5%。尽管提升幅度低于业界预测,但标志着GAA(全环绕栅极)晶体管架构在更先进节点的持续演进。据...[详细]
2025-11-18 18:22:41 -
三星证明实力!与IBM达成Power11芯片代工协议
据媒体报道,IBM正式发布新一代Power11处理器及服务器,在硬件架构与虚拟化软件堆栈等领域实现全面创新。新处理器确认采用三星增强型7nm EUV光刻工艺(7LPP EUV),结合2.5D ISC先进封装技术,性能较前代工艺...[详细]
-
三星2nm工艺良品率持续提升 目前已超过40%
此前有报道称,三星在2nm(SF2)工艺的测试生产中实现了高于预期的初始良品率,达到30%以上。三星计划在2025年第四季度量产2nm工艺,为Exynos 2600的大规模生产做好准备。近日三星2nm工艺开发团队取得了令人...[详细]
-
SK海力士1cnm DRAM技术新成果:良品率提升至80%以上
据报道,SK海力士在DRAM芯片技术领域取得重大突破,其1cnm工艺DRAM芯片良品率已从去年下半年的60%快速提升至80%-90%的行业领先水平。这一技术突破正值AI浪潮推动高性能存储需求激增的关键时期,有望帮助SK海...[详细]
-
SK海力士1cnm DRAM技术新成果:良品率提升至80%以上
据报道,SK海力士在DRAM芯片技术领域取得重大突破,其1cnm工艺DRAM芯片良品率已从去年下半年的60%快速提升至80%-90%的行业领先水平。这一技术突破正值AI浪潮推动高性能存储需求激增的关键时期,有望帮助SK海...[详细]
-
SK海力士1cnm DRAM技术新成果:良品率提升至80%以上
据报道,SK海力士在DRAM芯片技术领域取得重大突破,其1cnm工艺DRAM芯片良品率已从去年下半年的60%快速提升至80%-90%的行业领先水平。这一技术突破正值AI浪潮推动高性能存储需求激增的关键时期,有望帮助SK海...[详细]
-
SK海力士1cnm DRAM技术新成果:良品率提升至80%以上
据报道,SK海力士在DRAM芯片技术领域取得重大突破,其1cnm工艺DRAM芯片良品率已从去年下半年的60%快速提升至80%-90%的行业领先水平。这一技术突破正值AI浪潮推动高性能存储需求激增的关键时期,有望帮助SK海...[详细]
-
SK海力士1cnm DRAM技术新成果:良品率提升至80%以上
据报道,SK海力士在DRAM芯片技术领域取得重大突破,其1cnm工艺DRAM芯片良品率已从去年下半年的60%快速提升至80%-90%的行业领先水平。这一技术突破正值AI浪潮推动高性能存储需求激增的关键时期,有望帮助SK海...[详细]
-
SK海力士1cnm DRAM技术新成果:良品率提升至80%以上
据报道,SK海力士在DRAM芯片技术领域取得重大突破,其1cnm工艺DRAM芯片良品率已从去年下半年的60%快速提升至80%-90%的行业领先水平。这一技术突破正值AI浪潮推动高性能存储需求激增的关键时期,有望帮助SK海...[详细]
-
SK海力士1cnm DRAM技术新成果:良品率提升至80%以上
据报道,SK海力士在DRAM芯片技术领域取得重大突破,其1cnm工艺DRAM芯片良品率已从去年下半年的60%快速提升至80%-90%的行业领先水平。这一技术突破正值AI浪潮推动高性能存储需求激增的关键时期,有望帮助SK海...[详细]
-
SK海力士1cnm DRAM技术新成果:良品率提升至80%以上
据报道,SK海力士在DRAM芯片技术领域取得重大突破,其1cnm工艺DRAM芯片良品率已从去年下半年的60%快速提升至80%-90%的行业领先水平。这一技术突破正值AI浪潮推动高性能存储需求激增的关键时期,有望帮助SK海...[详细]
-
SK海力士1cnm DRAM技术新成果:良品率提升至80%以上
据报道,SK海力士在DRAM芯片技术领域取得重大突破,其1cnm工艺DRAM芯片良品率已从去年下半年的60%快速提升至80%-90%的行业领先水平。这一技术突破正值AI浪潮推动高性能存储需求激增的关键时期,有望帮助SK海...[详细]
-
SK海力士1cnm DRAM技术新成果:良品率提升至80%以上
据报道,SK海力士在DRAM芯片技术领域取得重大突破,其1cnm工艺DRAM芯片良品率已从去年下半年的60%快速提升至80%-90%的行业领先水平。这一技术突破正值AI浪潮推动高性能存储需求激增的关键时期,有望帮助SK海...[详细]