台积电：美国芯片厂良率与本土相当 再转移2大核心技术到美国

在日前的北美技术论坛上，台积电不仅宣布了A13、A12、N2U等新工艺技术，同时还谈到了台积电在美国的芯片布局战略。

对于在美国建厂，业界一直的担心是美国成本太高，是否会影响台积电的利润，这主要反映在良率上，CEO魏哲家表示台积电在美国亚利桑那州的芯片工厂进展顺利，良率已经跟台积电本土工厂相当。

不过他没有给出具体数值，台积电美国芯片工厂目前主要生产4nm工艺芯片，在台积电的工厂中这已经算是比较成熟稳定的工艺了。

台积电在美国的芯片投资总额将达到1650亿美元，目前还在建设第二座晶圆厂，预计明年投产。

台积电向美国转移先进芯片产能不是一蹴而就的事，目前生产的芯片还需要从美国运回来本土工厂封装，因为美国工厂不具备先进封装技术。

为此台积电接下来也会在美国建设先进封装工厂，把CoWoS及3D-IC两种先进封装的核心技术转移到美国，台积电全球业务资深副总及副共同运营长张晓强已经确认会在2029年前于美国建成封装厂。

CoWoS及3D-IC虽然是封装技术，但技术难度及加工价格不输先进工艺，苹果、NVIDIA、AMD等公司的高端CPU、GPU都离不开这些技术，甚至比单纯的先进工艺更容易导致产能受限。

未来美国芯片工厂一旦实现了先进工艺生产及先进封装、测试，再加上美国原本就极强的芯片设计，在半导体全产业链上的优势就回来了，意义非凡。