消息称三星 2nm 工艺良率已突破 60%，与台积电基本持平

3 月 24 日消息，三星在半导体制造领域取得突破，其先进的 2 纳米工艺良率近期已突破 60%。这一进展将使该公司能够以更低成本生产更多高性能芯片，同时吸引新客户。

据 Hankyung 报道，三星 2 纳米工艺的良率在短短两个季度内增长了两倍多。去年下半年，该工艺良率仅约 20%，导致晶圆上的大部分芯片无法使用。如今良率突破 60%，三星已与台积电的良率水平基本持平。据悉，行业龙头台积电的 2 纳米工艺良率在 60% 至 70% 之间。

三星正为自家 Exynos 2600 智能手机处理器生产 2 纳米工艺芯片，根据不同市场，这款自研芯片将搭载于部分三星 Galaxy S26 及 S26+ 机型。

报道称，尽管 Exynos 2600 芯片良率仍未达到 50%，但相比前代产品，三星已成功提升了其性能与生产效率。

由于工艺精度要求极高，2 纳米制程的良率提升难度极大。更高的良率不仅能降低生产成本，还能帮助三星拿下更多全球客户的订单。该公司已与特斯拉签订了价值 165 亿美元（注：现汇率约合 1137.92 亿元人民币）的合同，其晶圆代工部门将在泰勒芯片制造厂为这家车企生产下一代 AI6 芯片。

行业观察人士表示，小于 5 纳米的先进芯片在信息技术设备中的应用正日益广泛。若三星能实现稳定且可观的 2 纳米良率，将吸引更多寻求尖端半导体解决方案的客户。如此一来，这家韩国晶圆代企业有望在未来几年缩小与主要竞争对手台积电在市场份额方面的差距。