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售价超4亿美元 台积电澄清High NA EUV光刻态度：买了研究用
台积电澄清High NA EUV光刻机态度：已斥资4亿美元购入用于研究，但量产成本过高暂不导入。技术领先策略不变，点击了解详情。[详细]
2026-06-04 14:03:54 -
将三星甩在身后！台积电1nm计划曝光 12座新工厂全力筹备中
台积电1nm芯片计划曝光！12座新厂筹建中，预计2030年量产。三星面临良品率与内耗压力，半导体代工格局或将重塑。点击了解详情！[详细]
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台积电开始规划1nm及以下工艺生产线 计划2029年试产
台积电规划1nm及以下工艺生产线，计划2029年试产，月产能5000片晶圆。同时披露美国工厂2nm、A16和A14工艺布局，以及CoPoS先进封装技术进展。点击了解详情！[详细]
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三星宣布2030年量产1nm 与台积电争夺工艺话语权
三星宣布2030年量产1nm制程，与台积电争夺AI芯片话语权。1nm技术密度翻倍，采用叉型片结构提升性能。台积电A14制程2028年投产，推动AI转型。点击了解详情！[详细]
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Rapidus 2026 年内全面启动 1.4nm 研发，目标 1nm 仅落后台积电半年
Rapidus计划2026年启动1.4nm研发，目标1nm仅落后台积电半年。2027年量产2nm芯片，与IBM深度合作加速先进制程突破。[详细]
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消息称三星电子 SF1.0 工艺采用 forksheet 器件结构，目标 2030 年前开发
三星电子SF1.0工艺采用forksheet结构，目标2030年前开发1nm制程。特斯拉AI6芯片2027年量产，SF2T工艺助力。点击了解详情！[详细]
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追赶台积电！Rapidus提速1nm研发 力争差距仅6个月
追赶台积电！Rapidus加速1nm研发，力争2030年量产，差距缩至6个月。日本八巨头合资，目标本地化先进半导体工艺。[详细]
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台积电先进工艺让友商望尘莫及：1.4nm超预期 1nm工艺30年量产
台积电1.4nm工艺超预期，1nm技术2030年量产！领先三星、Intel，A14工艺提升15%速度，NVIDIA或首发A16。点击了解台积电先进制程优势。[详细]
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TEL 熊本研发设施竣工，着眼于 1nm 及更先进制程半导体设备
TEL熊本研发设施竣工，聚焦1nm及更先进制程半导体设备开发，增强涂布显影和清洗系统研发能力，投资470亿日元。[详细]
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1566亿，光掩模赛道，第二大IPO来了
日本光掩模龙头Tekscend Photomask启动1566亿日元IPO，全球前三光掩模供应商冲刺2nm/1nm先进制程，绑定IBM、台积电等顶级客户，揭秘半导体上游投资新机遇！[详细]
2025-10-13 21:57:16 -
应对台积电、Intel！三星成立1nm研发团队：力求2029年量产