SK海力士1cnm DRAM技术新成果：良品率提升至80%以上

据报道，SK海力士在DRAM芯片技术领域取得重大突破，其1cnm工艺DRAM芯片良品率已从去年下半年的60%快速提升至80%-90%的行业领先水平。

这一技术突破正值AI浪潮推动高性能存储需求激增的关键时期，有望帮助SK海力士在消费级和数据中心市场建立技术优势，挑战三星在DRAM领域的领导地位。

采用1cnm工艺制造的DDR5 DRAM芯片展现出显著性能提升：运行速率达到8Gbps，较前代产品提升11%；能效提高9%以上；通过设计技术革新，生产效率提升超过30%。

SK海力士通过应用新型材料和优化EUV工艺，在提升性能的同时保持了成本竞争力。据估算，数据中心采用该芯片后有望节省30%以上的电力成本。

尽管具体上市时间尚未确定，但这一技术突破已为下一代高性能存储解决方案奠定了基础。随着良品率的持续提升和产能的逐步扩大，1cnm DRAM芯片有望重塑存储市场格局，为AI时代的数据处理需求提供更强大的支持。