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消息称天玑 9600 Pro 芯片售 220 美元，创联发科旗舰 SoC 价格新高
联发科天玑9600 Pro芯片售价高达220美元，创旗舰SoC价格新高！2nm制程、330亿晶体管，性能飙升。立即了解与骁龙8 Elite的价格对比。[详细]
2026-09-16 18:06:49 -
联发科官宣连续六年蝉联全球智能手机 SoC 市场份额第一
联发科官宣连续六年蝉联全球智能手机SoC市场份额第一！全新天玑9600 Pro搭载2纳米制程、330亿晶体管，性能突破。点击了解详情。[详细]
2026-09-15 16:04:33 -
山灵 M8T 铜版 Hi-Fi 播放器将于 9 月 15 日发售：外壳采用铜合金 CNC 工艺，11980 元
山灵M8T铜版Hi-Fi播放器9月15日发售！铜合金CNC机身，AKM旗舰芯片+双真空管，三种音色模式，安卓13系统，首发价11980元。音频发烧友必看！[详细]
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240 亿晶体管数量！小米首款 AI 旗舰 SoC 玄戒 O3 亮相
小米首款AI旗舰SoC玄戒O3震撼亮相，240亿晶体管数量创纪录！性能怪兽来袭，一文看懂小米自研芯片突破。点击查看详情。[详细]
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麻省理工学院组合 5 种菌株打造活体晶体管电路
麻省理工学院用5种细菌打造活体晶体管电路，细菌开关控制小分子流动，实现逻辑运算与生物传感，未来可检测植物病虫害。[详细]
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x86鼻祖真面目！Intel 8080原始掩模寻修复者：5000个晶体管全靠手工
x86鼻祖Intel 8080原始掩模曝光！5000个晶体管纯手工打造，寻修复者重新装裱。揭秘计算机历史文物，点击查看罕见真面目。[详细]
2026-08-09 22:01:43 -
比CPU快1亿倍！港大造出原子级芯片：0.000000000036秒完成一次搜索
港大研制原子级芯片，速度比CPU快1亿倍！36皮秒完成搜索，能耗低上万倍，颠覆传统冯·诺依曼架构，手机面部识别无需云端，开启计算新时代。[详细]
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Neo Semiconductor 公布 2T SRAM，宣称可实现 5 倍片上缓存容量
Neo Semiconductor发布2T SRAM X-SRAM，宣称片上缓存容量提升5倍，可达GB级别，为AI推理加速。了解这种革命性缓存技术如何改变半导体格局。[详细]
2026-08-05 10:03:12 -
AMD 发布第六代 EPYC Venice CPU：台积电 2nm 工艺，256 核心、2030 亿晶体管、5GHz+ 频率
AMD重磅发布第六代EPYC Venice CPU！台积电2nm工艺打造，256核心/512线程，2030亿晶体管，频率超5GHz。性能与能效大幅提升，每瓦性能是Arm架构CPU的2.8倍，引领服务器处理器新纪元。[详细]
2026-07-24 04:00:51 -
台积电2nm被曝已开始量产 谷歌新机将抢先苹果首发搭载
台积电2nm正式量产，谷歌Tensor G6芯片首发！Pixel 11系列8月发布，抢先苹果一个月，性能飙升功耗骤降，开启2nm商用新纪元。[详细]
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告别单一EUV依赖！颠覆性新技术将改写未来五年尖端芯片制造逻辑
EUV统治地位受挑战！原子光刻、X射线光刻、华为新架构等颠覆性技术涌现，2030年前或将重塑尖端芯片制造格局，告别单一依赖，点击了解未来五年芯片变革！[详细]
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全球首款！北大全碳纳米管CFET诞生：硅基芯片迎来最强挑战者
全球首款！北大团队成功研制全碳纳米管CFET，打破硅基芯片局限，峰值电压增益高达164，创低维半导体纪录，为2nm以下技术节点开辟新路径，AI与边缘计算迎来革命性突破！[详细]
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imec发布制程路线图 2038年有望实现0.3纳米工艺
imec发布最新制程路线图，2038年有望实现0.3纳米工艺！CFET晶体管助力摩尔定律延续，台积电等巨头布局2纳米以下技术突破，揭秘未来芯片制造关键路径。[详细]
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马斯克称 IBM“0.7 纳米芯片”命名有误导性，认为制程节点应按原子数量命名
马斯克怒斥IBM 0.7纳米芯片命名误导，提议按原子数量定义芯片制程，引发科技圈热议。点击了解这场关于芯片命名规则的激烈争论！[详细]
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IBM推出全球首个亚1nm芯片技术 从纳米时代推向原子尺度
IBM突破极限！全球首个亚1nm芯片问世，0.7nm晶体管堆叠架构实现性能提升50%或能效提升70%，将科技从纳米推向原子尺度，开启计算新时代。[详细]
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IBM全球首发0.7nm芯片！指甲盖大小 1000亿晶体管
IBM全球首发0.7nm芯片：指甲盖大小集成1000亿晶体管，性能飙升50%能效暴涨70%！3D纳米堆叠架构突破极限，摩尔定律不死！[详细]
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IBM开创亚1纳米芯片新纪元：指甲盖大小塞进千亿晶体管
IBM推出0.7纳米芯片技术，指甲盖大小集成千亿晶体管！性能飙升50%，AI训练时间缩短至几周。亚1纳米新纪元，未来五年商业化。[详细]
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2D 材料晶体管告别实验室：imec 联手台积电、ASML 实现 50nm 栅距 300mm 晶圆验证
imec联合台积电、ASML实现50nm栅距300mm晶圆验证，2D材料晶体管突破性集成，告别实验室迈向产业化！[详细]
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应对高深宽比 3D 器件制造挑战：应用材料推出氮化硅 ALD 与钼蚀刻设备
应用材料推出氮化硅ALD与钼蚀刻设备，精准解决高深宽比3D器件制造难题，低温沉积均匀薄膜，提升晶体管性能与良率。点击了解最新半导体技术！[详细]
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三星全球首发3D堆叠逻辑晶体管：42nm栅极间距、密度翻倍
三星全球首发3D堆叠逻辑晶体管，42nm栅极间距实现密度翻倍，AI和高性能计算性能有望提升两倍，下一代芯片制程突破！[详细]
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全球首款x86处理器！英特尔8086 48岁了：凭一己之力改变个人计算机史
全球首款x86处理器英特尔8086迎来48周年！这款16位CPU凭一己之力开创个人计算机时代，至今仍是PC底层核心。了解这段改变历史的芯片传奇。[详细]
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美国顶尖芯片学者解读韬定律：华为绕过光刻机实现等效1.4nm是可行的
美国芯片权威解读韬定律：华为绕过光刻机实现等效1.4nm可行，2031年前技术路径已成熟，突破传统制程瓶颈！[详细]
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华为韬定律引发热议！李楠详解台积电为何不急于3D堆叠：现阶段先进制程回报率更高，功耗更低速度更快，未来才转向全新路径。揭秘芯片技术演进方向。[详细]
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华为韬定律全网刷屏 周鸿祎：开始改写全球半导体规则
华为发布半导体韬定律，以时间缩微替代几何缩微，周鸿祎称中国芯片开始改写全球半导体规则，预计2031年达1.4纳米水平。点击了解详情！[详细]
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华为新出的τ定律 是夯爆了还是拉完了？
华为发布τ定律，是突破还是噱头？深度解析华为芯片新定律，揭秘其如何挑战摩尔定律，缩小与台积电差距，以及对中国半导体话语权的意义。[详细]
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华为发布半导体韬定律，打破摩尔定律困局！揭秘逻辑折叠等核心技术，从器件、电路、芯片到系统四层面协同优化，驱动性能、能效持续提升。[详细]
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华为何庭波专访揭秘：5年内实现1.4nm制程水平！韬定律突破芯片封锁，麒麟、昇腾芯片量产验证时间缩微技术，华为半导体未来十年路线图公布。[详细]
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华为发布自主半导体新定律，打破摩尔定律桎梏！无需先进光刻机也能造出顶级芯片，西方封锁成笑话。中国芯片迎来颠覆性突破，点击了解详情！[详细]
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华为何庭波发布半导体“韬定律”，宣布2026-2035年新芯片性能将持续对标国际，晶体管密度与频率双提升，确保技术路径领先。点击了解华为芯片战略。[详细]
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打破摩尔定律困局！华为半导体韬定律问世：四层面拆解玄机
华为ISCAS 2026发布韬定律，突破摩尔定律物理极限！详解逻辑折叠等四大核心技术，驱动半导体性能、能效、密度全面提升。点击了解产业新方向！[详细]