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三星与 SK 海力士竞逐 3D DRAM，争夺 AI 时代内存主导权
5 月 8 日消息，科技媒体 Wccftech 昨日（5 月 7 日）发布博文，报道称为突破 10nm 以下制程微缩瓶颈，三星与 SK 海力士两大巨头正研发下一代 DRAM 制造工艺，争夺行业主导权。援引博文介绍，不同于处理器，DRAM 内存芯片必须...[详细]
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IGN10分神作工作室要出新作：延续超好评传奇！
Supergiant Games 已开始为《哈迪斯2》之后的新项目做准备。官方近期发布了图形与动画工程师的招聘信息，并明确表示该岗位将参与“下一款作品”的开发。这也是首次确认，在完成《哈迪斯2》的后续支持（包括补丁和主机版本...[详细]
2026-05-03 18:50:33 -
不用悲观 芯片工艺还能再战20年：2046年直奔0.2nm以下
引领全球芯片工艺发展的摩尔定律已经有50多年历史，最近十几年业内都在谈摩尔定律已死，认为芯片工艺很快会到物理极限，没法再微缩下去了。不过比利时的欧洲微电子中心IMEC对此并没有那么悲观，他们最近公布的路线图显示现在的硅基...[详细]
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英特尔 18A-P 工艺前瞻：相比 18A 同等功耗下性能提升 9%
5 月 1 日消息，科技媒体 Wccftech 昨日（4 月 30 日）发布博文，报道称英特尔为吸引外部代工客户，开始推广 18A-P 制程技术。相比较 18A 工艺，18A-P 在同等功耗下性能提升 9%，或在同等性能下功耗降低 18%。英特尔目前...[详细]
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同功耗性能提升9%！英特尔公布18A-P关键数据：功耗大降18%
英特尔在夏威夷檀香山举办的VLSI 2026研讨会上，通过论文T1.2正式公布Intel 18A-P制程节点的关键技术数据。相比标准Intel 18A节点，18A-P在相同功耗下实现超过9%的性能增益，在相同性能下功耗降低超过...[详细]
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闻泰科技 2026 年一季度亏损 1.89 亿元，同比-172.41%
4 月 29 日消息，闻泰科技今日发布 2026 年一季度报告：营业总收入： 8.16 亿元，同比-93.77%归母净利润：-1.89 亿元，同比-172.41%扣非净利润：-1.90 亿元，同比-706.01%经营现金流： 3.96 亿元，...[详细]
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非侵入式 CPU 测试技术问世，可实时“透视观察”处理器晶体管活动
4 月 14 日消息，科技媒体 IEEE Spectrum 于 4 月 12 日发布博文，报道称阿德莱德大学研究团队在半导体测试领域取得突破，发现利用太赫兹辐射可探测芯片内部晶体管活动。注：太赫兹辐射（Terahertz Radiation）...[详细]
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真身第一次出现！流产的Intel高端游戏卡 就它
Intel新一代专业显卡锐炫Pro B70/B65已经发布，实测性能不俗，而它们所用的Battlemage BMG-G31 GPU，原本也会用于第二代高端游戏卡锐炫B770。可惜，没了。Tech Guy Beau拆解了一块锐炫Pr...[详细]
2026-04-12 14:03:34 -
英特尔研发出全球最薄氮化镓芯粒，厚度仅 19 微米
4 月 9 日消息，英特尔代工服务（Intel Foundry）刚刚实现了新的里程碑，成功研发出全球首款、也是最薄的氮化镓芯粒（GaN chiplet），厚度仅 19 微米。凭借这项最新成果，英特尔在紧凑尺寸内实现了更高功率、更快速度...[详细]
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提升1000倍！中国半导体研发重要突破
国防科技大学前沿交叉学科学院研究团队与中国科学院金属研究所联合攻关，在新型高性能二维半导体晶圆级生长和可控掺杂领域取得重要突破。原子级厚度的二维半导体因迁移率高、带隙可调、栅控能力强，被视为后摩尔时代芯片材料的核心候选。...[详细]
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应用材料推出两款适用于 2nm 及以下尖端逻辑制程的沉积系统
4 月 9 日消息，半导体设备巨头 Applied Materials 应用材料美国当地时间 8 日宣布推出两款适用于“埃级”工艺的沉积设备系统，这两款系统已被领先逻辑芯片制造商在 2nm 及以下尖端工艺中导入。应用材料表示，GAA 全环绕栅...[详细]
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英特尔 BMG-G31 GPU 核心面积为 268 平方毫米，集成 277 亿个晶体管
4 月 6 日消息，根据 Intel 英特尔向德国媒体 PCGH (PC Games Hardware) 确认的情况，应用于锐炫 Arc Pro B70 / B65 专业显卡的 "BMG-G31" GPU 核心面积为 268mm?，集成了 277 亿个晶体管。另参考此...[详细]
2026-04-06 20:03:07 -
Intel GPU真神了！面积大于AMD 但晶体管少一半
Intel近日发布了新款高端专业显卡锐炫Pro B70、B65，所用的GPU核心正是传说的大号Battlemage BMG-G31，本来应该还有锐炫B770游戏卡的，可惜砍了。Intel最新披露，BMG-G31 GPU芯片的面...[详细]
2026-04-06 16:02:30 -
1纳米争夺战打响 三星计划2030年量产1纳米工艺
进入2026年后，三星晶圆代工业务似乎迎来了转折点，最近2nm制程节点的开发和客户订单谈判进展似乎都非常顺利。最近有消息称，2nm GAA工艺继续取得进展，现在的良品率已提升至60%，距离70%的目标又近了一步。据Tren...[详细]
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消息称三星电子 SF1.0 工艺采用 forksheet 器件结构，目标 2030 年前开发
3 月 31 日消息，《韩国经济日报》当地时间昨日援引业内消息报道称，三星电子的晶圆代工业务已定下 2030 年前完成 1nm 级先进制程工艺 SF1.0 开发并转移至量产阶段的目标。报道指出，SF1.0 将采用 forksheet 叉片晶体管...[详细]
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英伟达黄仁勋：台积电有 2 项世界级特质，合作 30 年“从未签署任何合约”
3 月 29 日消息，英伟达创始人兼 CEO 黄仁勋本周（3 月 24 日）出席《Lex Fridman》视频播客，聊及合作伙伴台积电。黄仁勋表示，台积电的竞争优势并非单一技术突破，而是涵盖晶体管、合金化、先进封装以及硅光子学等多层次技术...[详细]
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我国半导体与集成电路研究开拓者之一吴德馨逝世 享年90岁
中国科学院微电子研究所发布讣告，中国科学院院士，我国杰出的微电子科学家吴德馨，因病医治无效，于2026年3月23日13时15分在北京逝世，享年90岁。吴德馨1961年毕业于清华大学无线电电子工程系，成为清华大学第一批半导...[详细]
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从纳米进军埃米 台积电迈向1nm工艺：目标1万亿晶体管
台积电去年拿下了全球晶圆代工市场70%的份额，而且先进工艺可以说遥遥领先其他友商，当前量产的最新工艺是2nm，但是1nm工艺也在路上了。1nm建厂之前最先需要准备的园区土地，日前有消息称总面积高达531公顷的台南沙仑园区...[详细]
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科学家研发出可嵌入芯片的微型温度传感器，可进行纳秒级测温
感谢网友 不一样的体验 的线索投递！ 3 月 9 日消息，当地时间 3 月 6 日发表在《自然 · 传感器》（Nature Sensors）上的一篇论文显示，宾夕法尼亚州立大学的研究人员开发出了他们所称的微型温度传感器，其尺寸小到可直接嵌入处理器...[详细]
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安世半导体（中国）12 英寸双极分立器件平台成功验收
3 月 9 日消息，安世半导体（中国）今日宣布，其基于自主研发的“12 英寸平台”创新实践，已成功实现 12 英寸晶圆双极分立器件的小批量量产。据介绍，在当前半导体产业持续向 12 英寸先进制程与特色工艺并重发展的趋势下，双极分立器件（...[详细]
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人类首次直接观察到芯片内部“鼠咬”缺陷，有望彻底改变半导体研发
感谢网友 不一样的体验 的线索投递！ 3 月 4 日消息，据美国康奈尔大学新闻官网 3 月 2 日消息，康奈尔大学的研究人员利用高分辨率三维成像技术，首次检测到计算机芯片中可能影响其性能的原子级缺陷“mouse bite（鼠咬）”。这项成像技...[详细]
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半导体重大突破！人类首次观察到芯片内部“鼠咬”缺陷
近日，美国康奈尔大学（Cornell University）研究团队联合台积电及先进半导体材料公司（ASM），在半导体成像领域取得重大突破，首次利用高分辨率3D成像技术，成功观察到芯片内部的原子级缺陷——“鼠咬”（mous...[详细]
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老美一个会 芯片以后不用铜和硅了？
大家听说过 IEDM 吗？不瞒大家说，直到前两天我收到了一封广告邮件之后，才知道美国在每年的 12 月还会举行这么一个行业峰会。。。简单来说，IEDM（ 国际电子器件大会， International Electron Devices M...[详细]
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科学家突破金刚石散热难题：核心温度降低 23℃，技术可规模化应用于 AI 芯片等领域
2 月 25 日消息，莱斯大学的科研团队开发出一种可规模化制造的金刚石散热层技术，可将电子器件工作温度降低 23 摄氏度，为高功率芯片散热提供新的工程路径。相关论文已于 2 月 23 日发表于 Applied Physics Letters。金...[详细]
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复旦团队重大突破 世界首款纤维芯片问世：大规模集成电路 卡车碾压也不怕
据复旦大学公众号介绍，今天凌晨，国际顶级学术期刊《自然》主刊发表了复旦大学彭慧胜/陈培宁团队的最新研究成果《基于多层旋叠架构的纤维集成电路》，团队成功在柔软的高分子纤维内制造出大规模集成电路，创造出世界首款“纤维芯片”。...[详细]
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台积电2nm报价不超20万：有实质涨价 致苹果A20成本近2000元
台积电去年底低调宣布2nm工艺N2已经量产，这是当前最先进的工艺，Intel及三星虽然有同级别的18A、SF2，但综合竞争力是不够的。台积电N2是该公司首款采用纳米片Nanosheet技术的GAA晶体管工艺，台积电称其将...[详细]
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三星宣布突破10nm DRAM技术 新型内存容量、性能有望大提
据The Elec报道，三星宣布与三星先进技术研究所已成功开发出一种新型晶体管，能够实现在10纳米以下制程节点生产DRAM。这一突破有望解决移动内存进一步微缩所面临的关键物理挑战，为未来设备带来更高的容量与性能表现。传统D...[详细]
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从一面接触到四面环绕：一文看懂CPU晶体管的进化
晶体管这个词大家应该都不陌生，是一种微型电子开关，可以说是计算机芯片运作的基石。典型的晶体管主要由三部分组成：－ 栅极（gate）：相当于开关的把手，通过施加电压实现对电流的控制。－ 沟道（channel）：指的是电流的通道...[详细]
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台积电1.4nm工艺A14瞄准2028：10年来性能提升80%
作为当前的半导体晶圆代工一哥，台积电的发展方向无疑是最受关注的，未来的工艺逐渐逼近1nm节点了，还能不能发展下去，来看台积电最新公布的路线图。在开放创新平台生态系统论坛上，台积电公布了未来几年的逻辑工艺路线图，以今年20...[详细]
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“全球最小GPU”迈步量产！支持实时3D渲染
IT之家 11 月 10 日消息，科技媒体 Tom's Hardware 昨日（11 月 9 日）发布博文，报道称“全球最小 GPU”迎来重大更新，最新 TinyGPU v2.0 登场，由约 20 万个晶体管构成，核心亮点是具备光栅化处理以及变换与光照...[详细]
2025-11-10 17:27:02