我国半导体与集成电路研究开拓者之一吴德馨逝世 享年90岁

中国科学院微电子研究所发布讣告，中国科学院院士，我国杰出的微电子科学家吴德馨，因病医治无效，于2026年3月23日13时15分在北京逝世，享年90岁。

吴德馨1961年毕业于清华大学无线电电子工程系，成为清华大学第一批半导体专业毕业生，毕业后被分配至中国科学院半导体研究所工作，1986年调入中国科学院微电子中心（现中国科学院微电子研究所）工作至今。

吴德馨是我国半导体与集成电路研究的开拓者之一，为国家微电子事业发展做出了卓越贡献。

在半导体所工作期间，她作为课题负责人承担了解放初期“12年科学规划”中的“平面型高速开关晶体管的研究”，独立自主地解决了提高开关速度的关键问题，开关速度达到当时国际同类产品水平。

该技术在中国科学院109厂和上海器件五厂进行了推广，打破了西方国家对我国的封锁，为“两弹一星”配套的“109丙”计算机提供了核心器件，获全国新产品一等奖。

1986年，吴德馨调入中国科学院微电子中心任副主任、研究员，作为主要负责人从事N沟MOS 4K、16K和64K动态随机存储器（DRAM）的工艺研究，首次在国内成功研制出4K、16K位DRAM。

成功开发出双层多晶硅和差值氧化工艺，打破了我国大规模集成电路成品率长期低下的局面，为我国集成电路的工业生产奠定基础。