从纳米进军埃米 台积电迈向1nm工艺：目标1万亿晶体管

台积电去年拿下了全球晶圆代工市场70%的份额，而且先进工艺可以说遥遥领先其他友商，当前量产的最新工艺是2nm，但是1nm工艺也在路上了。

1nm建厂之前最先需要准备的园区土地，日前有消息称总面积高达531公顷的台南沙仑园区今年4月份将会进入二期环评，2027年3季度完成最终环评。

之后就能交付给台积电建厂了，预计初期规模至少200公顷。

根据台积电之前公布的计划，沙仑园区会建设6座晶圆厂，其中P1到P3主要面向1.4nm工艺A14，P4到P6工厂则是面向1nm工艺，后期不排除还有0.7nm工艺。

台积电目前公布的路线图中，2nm工艺的N2工艺去年底量产，今年是苹果、AMD等公司规模商用，A16工艺是NVIDIA的费曼GPU首发，今年底试产，量产也要到2027年了。

A16之后就是A14工艺，也就是1.4nm级别的，会升级第二代GAA晶体管结构及背面供电，预计2028年问世。

再往后就是现在说的1nm工艺了，但台积电此前公布的信息并不多，按惯例命名会是A10，这也是台积电首个埃米级工艺——全球首个的名号前几年就被Intel的20A工艺占了，不过后者有点名不副实，没有做到1nm以下就去抢埃米工艺的荣誉了。

不过台积电1nm工艺的技术细节还是未知数，传闻会进一步将晶体管结构从GAA升级到CFET，甚至还有说会用到2D材料，现在很难判断最终会如何。

1nm工艺按照台积电的节点是2030年面世，他们23年提出的一个目标是在1nm节点做到单芯片2000亿晶体管集成，3D封装做到1万亿晶体管，这个目标跟Intel之前喊出的1万亿晶体管的是一样的，就看谁先做到了。