应用材料推出两款适用于 2nm 及以下尖端逻辑制程的沉积系统

4 月 9 日消息，半导体设备巨头 Applied Materials 应用材料美国当地时间 8 日宣布推出两款适用于“埃级”工艺的沉积设备系统，这两款系统已被领先逻辑芯片制造商在 2nm 及以下尖端工艺中导入。

应用材料表示，GAA 全环绕栅极结构正成为尖端工艺的必然之选，可带来显著的能效提升。不过 GAA 的结构相较 FinFET 也更为复杂，需要超过 500 道工序方能制造，而这其中不少都要用到全新的材料沉积方法。

两款新设备中 Applied Producer Precision Selective Nitride PECVD 是一款等离子体增强化学气相沉积系统，面向分隔相邻晶体管的浅沟槽隔离结构。其采用创新的自下而上选择性沉积工艺，仅在沟槽必要位置向氧化硅绝缘介质上沉积致密的氮化硅层，有助于保护绝缘介质免受后续工序的影响。

而 Endura Trillium ALD 则是一款为 GAA 优化的原子层沉积设备，其可构建具有原子级均匀性的复杂金属栅极结构，允许晶圆厂灵活地调节不同晶体管的阈值电压，通过精密的沉积厚度控制塑造满足客户多样化参数要求的 GAA 晶体管。