全球首套！周星工程交付集成式ALG设备：攻克3D堆叠晶体管制造

周星工程今日官宣，已首次向全球半导体头部企业交付原子层生长（ALG）设备。

该设备为一套完整的ALG晶体管集成系统，专门用于制造下一代3D垂直堆叠半导体晶体管。受商业保密协议限制，客户名称与供货量暂未披露。

在半导体微型化进程中，电路线宽已缩小至纳米级。晶体管尺寸极限缩小导致漏电流增大，芯片功耗随之大幅上升。

为攻克物理限制，全球半导体产业正从传统平面晶体管向三维结构的鳍式场效应晶体管（FinFET）、环栅晶体管（GAA）以及垂直堆叠晶体管单元转型。此次交付的ALG设备正是为了解决高纵横比垂直堆叠结构的制造难题。

传统原子层沉积（ALD）技术的薄膜堆叠原理类似向上堆雪，而ALG技术的原理则更接近冰的冻结。相比ALD，ALG形成的薄膜质量更高、更致密、更坚硬。

该设备通过重复原子层沉积（ALD）工艺直接构建三维薄膜，从而减少光刻和刻蚀步骤，确保了下一代晶体管所需的步进覆盖率和均匀性。

该沉积技术不受底层衬底材料类型限制，不仅可应用于非存储芯片、存储电容器、存储晶体管外，还能拓展至太阳能和显示设备领域。

该技术攻克了高杂质浓度带来的生产难题，可用于制造玻璃衬底以及基于氮化镓、砷化镓、磷化铟等第Ⅲ-Ⅴ族和第Ⅲ-Ⅵ族化合物的下一代高性能半导体。

目前周星工程正与北美、亚洲、欧洲和中东的多家全球企业合作开发相关设备。