消息称三星电子加速 1.4nm 先进制程研发，深化与应材、泛林合作

6 月 30 日消息，韩媒 the bell 当地时间 26 日报道称，三星电子正重新加速 1.4nm (SF1.4) 工艺节点的研发工作。该先进制程一度计划 2027 年量产，但由于晶圆代工业务重心调整，量产时间推迟至 2029 年。

报道指出，三星电子近期向应用材料、泛林研究等主要半导体设备企业分享了 SF1.4 工艺方案，希望实现上下游协力，加速打造最适合该节点的设备组合，包括标准设备的定制化版本。

三星电子已从 ASML 引进了 High NA EUV 光刻图案化设备，这一机台部署在 NRD-K 半导体研发综合体中。对于三星电子而言，High NA EUV 光刻机预计最早在 SF1.4 节点用于生产。

此外，三星电子也已针对第 12 代 V-NAND 订购设备。这一工艺预计 2030 年前后量产，采用晶圆堆叠结构。