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重返DRAM市场！英特尔携ZAM、XBM双线夹击HBM：成本打六折
英特尔重返DRAM市场！ZAM和XBM双架构夹击HBM，成本仅为60%，功耗降低50%，容量翻倍。新技术能否颠覆AI存储格局？点击了解详情。[详细]
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英特尔公布XBM专利技术 目标瞄准HBM4
英特尔公布XBM专利技术，目标直指HBM4！更高带宽、更低成本，采用后段晶体管设计，预计2030年商业化，或成AI加速器新选择。[详细]
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《魔兽世界》时光服P5阶段ZAM狂暴妖头确定为245等级，不输SW薄片
魔兽世界时光服P5阶段：ZAM狂暴妖头升级为245等级，属性媲美SW薄片！最新确认，坦克薄片改版，快来了解这件不输纳鲁薄片的极品装备。[详细]
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《魔兽世界》时光服P5阶段ZAM玩具饰品小巫毒面具重铸，增加常驻属性
《魔兽世界》时光服P5阶段：ZAM小巫毒面具重铸，新增常驻属性！召唤3个巫毒侏儒，战斗力能否超越TBC？点击查看实测效果！[详细]
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冤家变盟友！英特尔ZAM内存获日企强推：单颗最高512GB 功耗直降50%
英特尔ZAM内存获日本政府强推！单颗512GB超高密度，功耗直降50%，破解AI内存危机。昔日对手变盟友，助力英特尔重返内存市场。[详细]
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英特尔合作开发 ZAM 内存获日本政府补贴：号称功耗比传统 HBM 低约 40%，目标 2029 年左右实现量产
英特尔与软银合作开发ZAM内存，获日本政府补贴！功耗比HBM低40%，目标2029年量产，AI数据中心迎来革命性突破。[详细]
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英特尔 ZAM 内存原型首秀：功耗暴降 50%，单芯片 512GB
英特尔ZAM内存原型首秀：功耗暴降50%，单芯片512GB容量！了解Z-Angle架构如何突破散热瓶颈，提升计算性能。[详细]
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全球首秀！Intel首次展示ZAM原型：两大优势秒杀现有内存
Intel首次展示ZAM内存原型！单芯片512GB容量，功耗比HBM降低40%-50%，突破AI数据中心能耗瓶颈，抢占AI内存市场先机。[详细]
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Intel计划复活内存业务：ZAM单芯片最高512GB 功耗比HBM降低50%
Intel携ZAM内存强势回归！单芯片512GB容量，功耗比HBM降低50%，重塑AI内存市场格局。点击了解技术细节与行业影响。[详细]
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Intel干回40多年前的老本行：研发下一代内存ZAM 4年后量产
Intel重返内存市场！联合软银研发下一代ZAM内存，面向AI计算，4年后量产。高性能低功耗，或为傲腾进化版。点击了解详情！[详细]
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