英特尔 ZAM 内存原型首秀：功耗暴降 50%，单芯片 512GB

2 月 11 日消息，科技媒体 Wccftech 昨日（2 月 10 日）发布博文，报道称在 Intel Connection Japan 2026 活动中，英特尔首次公开了“Z-Angle Memory”（ZAM）内存原型。

该项目由英特尔与软银子公司 Saimemory 共同推进，该公司成立于 2024 年 12 月，于 2025 年 6 月全面投入运营，主要从事存储器及相关产品的研发、制造和销售。

英特尔政府技术首席技术官 Joshua Fryman 与英特尔日本首席执行官大野诚（Makoto Onho）共同出席了发布活动。

援引博文介绍，ZAM 技术的核心在于其独特的“Z-Angle”架构。与传统 HBM 内存垂直钻孔（TSV）的连接方式不同，ZAM 采用了错位互连拓扑结构（staggered interconnect topology），在芯片堆叠内部实现对角线走线。英特尔指出，这种架构设计能从物理层面有效解决现有内存解决方案面临的散热瓶颈，并大幅优化计算性能。

根据现场公布的营销资料，ZAM 在性能指标上展现出对标甚至超越 HBM 的潜力。初步讨论数据显示，得益于 Z-Angle 互连技术，新内存的功耗相比现有方案降低了 40% 至 50%。更引人注目的是，其单芯片存储容量最高可达 512GB，这一数据远超当前主流内存产品的规格。