英特尔合作开发 ZAM 内存获日本政府补贴：号称功耗比传统 HBM 低约 40%，目标 2029 年左右实现量产

4 月 24 日消息，软银集团旗下子公司 SAIMEMORY 正与英特尔合作开发 ZAM 内存。

SAIMEMORY 称日本新能源产业技术综合开发机构已选定该技术开发项目作为政府补贴对象，补贴可能覆盖该项目绝大部分研发成本。另外，该项目已经入选 NEDO 的后 5G 基础设施强化研发计划。

ZAM 是一种面向 AI 内存技术的潜在下一代替代方案，它在结构上对传统 DRAM 进行了重新设计。与 HBM 采用的常规堆叠键合方式不同，ZAM 提出了一种垂直内存架构，采用不同的空间排布以及非接触式层间互连，从而通过减少物理约束改善散热特性。SAIMEMORY 称，与传统 HBM 相比，该设计可带来更高的有效密度、更大带宽，功耗降低约 40%。

该技术源于美国政府支持的研究项目、英特尔内部研发以及软银在 AI 基础设施领域的布局。英特尔开发了关键的 DRAM 堆叠与键合技术，为 ZAM 奠定了基础。软银于 2024 年成立 SAIMEMORY，推动这一架构走向商业化，将业务延伸至内存领域而非依赖现有供应商。英特尔作为技术合作伙伴参与其中，理化学研究所负责评估与系统级集成。

现代 AI 工作负载对处理器与内存间的数据吞吐量要求极高。当前标准解决方案 HBM 虽然是垂直堆叠并与处理器紧密集成的 DRAM 形态，但存在制造成本高、依赖精确裸片堆叠与键合工艺、供应集中于少数厂商等短板。如果 ZAM 技术取得成功，有望在一个体量庞大且快速增长的市场中与 HBM 直接竞争，降低 AI 数据中心的功耗从而节省大量成本，并通过更具可扩展性的制造方式缓解供应瓶颈。

提醒，该技术目前仍处于早期原型阶段。另外，历史上众多“下一代”内存概念均止步于实验室演示阶段，因此执行层面仍存在较大不确定性。

获得 NEDO 支持的该项目预计执行周期约为 3.5 年，SAIMEMORY 计划在 2027 财年前投入约 80 亿日元（注：现汇率约合 3.43 亿元人民币）用于开发可工作的原型产品，长期目标是到 2029 年左右建立量产能力。

这意味着 ZAM 将被定位为真正意义上的下一代内存产品，而非现有 HBM 方案的直接替代品。在此期间，现有 DRAM 厂商将继续通过提高堆叠层数和改善能效来推动 HBM 演进。