半导体技术
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仅0.2nm、1个原子层厚度：日本突破2nm以下工艺新极限
日本东京科技大学突破2nm以下工艺极限，将GAA晶体管绝缘层厚度缩至0.2nm（仅1个原子层），大幅提升芯片密度，兼容300mm晶圆生产，先进工艺新里程碑！[详细]
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ASML 首席执行官 Fouquet：芯片供应受限可能持续相当长的时间
ASML CEO预测：AI需求强劲，芯片供应短缺将持续多年，2030年市场规模或达1.5万亿美元。了解High NA EUV芯片进展及欧盟AI法案影响。[详细]
2026-05-21 14:07:30 -
突破 2 纳米工艺极限：DNA 生物晶体管实现分子级计算与存储双重突破
KAIST突破2纳米工艺极限，研发DNA生物晶体管，实现分子级计算与存储双重功能。探索生物计算新方向，点击了解详情！[详细]
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全球最大尺寸 国产第三代半导体核心技术碳化硅突破14英寸
国产碳化硅技术重大突破！天成半导体成功研制14英寸碳化硅单晶，厚度达30毫米，芯片成本有望下降60%以上，技术领先全球。[详细]
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定价超20万元 台积电2nm已量产：iPhone 18首发被AMD抢了
台积电2nm工艺N2已量产，AMD Zen6抢在iPhone 18前首发！功耗降35%，性能提升15%，晶圆定价超20万元。点击了解详情！[详细]
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ASML被曝提议为美国做“内鬼”监控中国客户：官方否认
ASML被曝提议为美国监控中国客户，官方否认。新书指控其违反协议，涉及DUV光刻机销售。点击了解详情和官方回应。[详细]
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宣称2nm技术良率大突破：三星再提超越台积电目标！
三星2nm GAA技术良率目标提升至70%，计划2025年实现。Exynos 2600性能超越苹果A19 Pro和高通骁龙8，挑战台积电霸主地位！[详细]
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碾压传统闪存！我国研发全球首个二维-硅基混合架构闪存芯片
中国研发全球首个二维-硅基混合架构闪存芯片，性能碾压传统闪存！复旦大学团队在《自然》发表突破性成果，实现高速存储与CMOS工艺融合，点击了解详情。[详细]
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中国半导体技术全球排名第二！几乎全部领先韩国
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中国半导体技术全球排名第二！几乎全部领先韩国、仅次于美国
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不给稀土急了！消息称美国暂停对华发动机和半导体技术出口：对C919等打击
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IBM 同 TEL 续签先进半导体技术联合研发协议，聚焦下一代制程与架构
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