功率器件
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英诺赛科胜诉：ITC 终裁确认可继续在美进口、销售 GaN 功率器件，不受英飞凌诉讼影响
5 月 8 日消息，英诺赛科今日宣布，美国国际贸易委员会（ITC）在第 337?TA?1414 号调查中作出最终裁定，确认英诺赛科当前的氮化镓 GaN 功率器件产品未侵犯英飞凌的相关专利，并可不受限制地继续在美国进口和销售。注：英诺赛...[详细]
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ROHM 罗姆与印度 Suchi 达成战略合作，计划外包半导体后端制造
3 月 3 日消息，日本半导体厂商 ROHM 罗姆今日宣布与印度企业 Suchi Semicon 在印建立半导体制造战略合作伙伴关系。ROHM 正考虑将功率器件和 IC 产品的后端工艺外包给 Suchi 半导体，并已就此启动技术评估，瞄准年内启动...[详细]
2026-03-03 18:02:51 -
罗姆获台积电 GaN 氮化镓技术授权，后续产品制造得到保障
3 月 2 日消息，台积电自从决定退出氮化镓 (GaN) 业务后已达成多份技术授权协议，日本半导体制造商 ROHM 罗姆是最新一家获得许可的企业。▲ 罗姆的 GaN 器件品牌 EcoGaN罗姆当地时间 2 月 26 日宣布将整合自身在 GaN 功率器件方...[详细]
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国际首次！长三角攻关突破8英寸VB法氧化镓单晶制备技术
“上海科技”公众号发文，12月27日，在上海市科委第四代半导体战略前沿专项支持下，中国科学院上海光机所（以下简称“上海光机所”）联合杭州富加镓业科技有限公司（以下简称“富加镓业”），在国际上首次采用垂直布里奇曼法（VB 法...[详细]
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国际首次，长三角联合攻关突破 8 英寸 VB 法氧化镓单晶制备技术
12 月 27 日，在上海市科委第四代半导体战略前沿专项支持下，中国科学院上海光机所（以下简称“上海光机所”）联合杭州富加镓业科技有限公司（以下简称“富加镓业”），在国际上首次采用垂直布里奇曼法（VB 法）制备出 8 英寸氧化镓晶体...[详细]
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重大技术突破！瀚天天成发布全球首款12英寸高质量碳化硅外延晶片
东南网报道，厦门火炬高新区企业瀚天天成近日成功研发出全球首款12英寸高质量碳化硅外延晶片。这一突破不仅将显著提升下游功率器件的生产效率，更可大幅降低碳化硅芯片的单位制造成本，为产业规模化、低成本应用奠定关键基础。第三代半...[详细]
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