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4F Square 架构全球首产：消息称三星突破 10 纳米 DRAM 瓶颈

三星突破10纳米DRAM瓶颈！全球首产4F Square架构+VCT技术，2028年量产，存储密度提升50%。立即了解详情！[详细]

标签： 10纳米三星 DRAM 4F Square VCT

2026-04-25 10:01:27

三星电子突破DRAM技术壁垒，成功产出10纳米以下工作晶圆！采用4F平方和VCT新技术，提升容量、速度并降低功耗。了解2028年量产计划及行业竞争格局。[详细]

标签： 10纳米 DRAM 三星电子工作晶圆 4F平方

2026-04-24 22:01:53

南亚科技2025年营收同比大增95.1%，DRAM ASP增长30%，出货规模提升50%。毛利率达49%，未来两代DRAM制程开发持续推进，新产能2027年装机。[详细]

标签： 10纳米南亚科技 DRAM 内存营收

2026-01-19 19:44:01

三星突破10nm DRAM技术，新型晶体管实现10纳米以下制程，提升内存容量与性能，预计2026年应用于设备。[详细]

标签： 10纳米三星 DRAM 晶体管内存容量

2025-12-17 18:05:31