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4F Square 架构全球首产：消息称三星突破 10 纳米 DRAM 瓶颈

感谢网友不一样的体验的线索投递！ 4 月 25 日消息，韩媒 The Elec 昨日（4 月 24 日）发布博文，报道称三星已成功生产出采用 4F Square 单元结构与 VCT 技术的 10a DRAM 晶圆，并在测试中确认了功能性芯片，计划于 2028...[详细]

标签： 10纳米三星 DRAM 4F Square VCT

2026-04-25 10:01:27

三星电子在DRAM制造技术方面取得突破，首次成功产出10纳米以下级别的工作晶圆。这一进展标志着该公司在克服DRAM“10纳米魔咒”方面迈出了关键一步。据业界消息，三星电子上月生产了采用10a工艺的晶圆，并在芯片特性检测过...[详细]

标签： 10纳米 DRAM 三星电子工作晶圆 4F平方

2026-04-24 22:01:53

台湾地区 DRAM 内存制造商南亚科技今日公布了 2025 年第四季度的自行结算合并财务报告，多项财务数据出现显著改善。南亚科 2025Q4 营业收入达 300.94 亿新台币（现汇率约合 66.39 亿元人民币），环比增长 60.3%，季度...[详细]

标签： 10纳米南亚科技 DRAM 内存营收

2026-01-19 19:44:01

据The Elec报道，三星宣布与三星先进技术研究所已成功开发出一种新型晶体管，能够实现在10纳米以下制程节点生产DRAM。这一突破有望解决移动内存进一步微缩所面临的关键物理挑战，为未来设备带来更高的容量与性能表现。传统D...[详细]

标签： 10纳米三星 DRAM 晶体管内存容量

2025-12-17 18:05:31