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4F Square 架构全球首产：消息称三星突破 10 纳米 DRAM 瓶颈
三星突破10纳米DRAM瓶颈！全球首产4F Square架构+VCT技术，2028年量产，存储密度提升50%。立即了解详情！[详细]
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三星电子突破DRAM技术壁垒，成功产出10纳米以下工作晶圆！采用4F平方和VCT新技术，提升容量、速度并降低功耗。了解2028年量产计划及行业竞争格局。[详细]
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三星突破10nm DRAM技术，新型晶体管实现10纳米以下制程，提升内存容量与性能，预计2026年应用于设备。[详细]