消息称 Rapidus 2nm 工艺 2HP 逻辑密度可与台积电 N2 相当

消息人士 Kurnal 表示，根据日本芯片制造商 Rapidus 分享的其 2nm 尖端节点 2HP 的数据，进行拟合计算后得出 Rapidus 2HP 工艺逻辑密度可达 237.31 MTr/mm²，与台积电同代制程 N2 的 236.17 MTr/mm² 几无差异。

由于英特尔在 Intel 18A 节点引入的 BSPDN 背面供电技术对芯片设计的改变，其逻辑密度无法与非 BSPDN 的 2nm 系列制程直接比较。

这一数据显示了 Rapidus 的 2nm 制程在 PPA 三个角度之一 Area（面积）端的良好表现，不过其综合水平尚需 Power（功耗）和 Performance（性能）数据出炉方能判定，此外良率和生产效率也在一个先进制程节点是否能在商业上取得成功中起到关键作用。

Rapidus 已于今年 7 月完成了首块 2nm GAA 晶圆的试制，目标到 2027 年实现 25000 WPM（每月晶圆数量）规模的量产。