进入1.4nm节点比台积电更快：Intel 14A工艺关键指标D0提前一年实现

除了22nm及14nm 3D晶体管工艺，Intel之后的几代工艺进展都落后于台积电了，目前的18A./18A-P工艺算是追平，而赶超台积电就要看1.4nm节点的14A工艺了。

Intel之前多次提到他们的14A工艺进展超预期，比18A节点还要顺利，但官方之前没给出具体说法，CFO David Zinsner最近才提到了D0缺陷密度这个关键指标，称14A之顺利是22nm工艺以来从未有过的表现。

那14A工艺具体好到什么程度呢，网友The Inteller给出的资料上有更明确的说法，今年6月份14A工艺的缺陷密度已经到D0 0.5的水平，目标是在2027年Q1季度做到D0 0.1-0.2。

D0密度直接决定了良率，100mm2面积的小芯片D0可以看作良率，0.1以下意味着90%以上的良率，而大芯片的话D0更重要，AI芯片面积通常在400-800mm2，D0小于0.1也就能做到65-75%的良率，0.5的指标意味着10%的良率，完全没有量产的可行性。

如果对比18A工艺的进展周期，14A工艺在进度上整体领先3-4季度，也就是说Intel之前表态提前一年量产14A工艺不是随便说的，是有足够的底气才决定的。

按照这样的速度来说，14A工艺量产时间都不需要到2028年下半年，2028上半年甚至Q1季度都有可能。

这意味着什么？要知道同样是在等效1.4nm技术上，台积电的A14工艺是在2028年下半年量产，Intel这次有希望做到比台积电提前半年甚至3个季度进入1.4nm时代。

Intel对14A工艺的期望值也非常高，因为当前的18A工艺主要是自用，14A工艺除了自用还会重点对外提供代工服务，是Intel争取苹果、谷歌、Meta、亚马逊等大客户订单的核心一战，再配合自家的EMIB封装技术，只要技术稳定量产，是不会缺少订单的。

只要14A工艺能做到这个时间差，Intel复兴代工业务真的有希望了。