华为自研全新 DoB 封装技术：绕过 400 层 NAND 造出 122TB 企业级 SSD，未来还计划推出 245TB 版本

5 月 24 日消息，据 Blocks & Files 报道，华为于 5 月 20 日至 21 日在巴黎举行的 ID Forum 2026 活动上展示了基于自研 Die-on-Board（板上裸片封装，DoB）封装技术的大容量 SSD 系列。

其中一款面向 AI 推理和数据中心的全新 SSD 提供 61.44TB 与 122.88TB 两种容量，而且华为未来还计划推出 245TB 版本。

此前报道，华为在去年 8 月发布了三款全新 AI SSD 产品，其中 LC560 就曾承诺推出最大 245TB 的容量。

华为使用自主研发的 DoB 封装技术，将更多 NAND Die 直接封装在 PCB 电路板上，从而绕开传统 TSOP 或 BGA 封装对芯片数量的限制，提供更高的密度和更好的性能。

目前三星等原厂已经推出 400 层以上的 3D NAND 产品，但相关芯片涉及美国技术，所以无法向华为供应最新 NAND 芯片。因此，华为选择通过封装层面的创新提升容量密度。

传统主流 SSD 供应商（如三星、铠侠、闪迪、美光等）通常采用多芯片堆叠在 TSOP 或 BGA 封装内部，然后再焊接到 PCB 上。传统 TSOP / BGA 封装受限于封装体的固定物理尺寸，最多只能实现 16 层裸片堆叠，而 DoB 技术最高可实现 36 层堆叠，突破了这一物理限制。

相比于 TSOP 或 BGA 封装，华为的 DoB 方案不仅提升了容量密度，还因省去了若干昂贵的封装步骤，从而更具成本效益。

在 2026 巴黎活动期间，华为展示了多款高容量 SSD 产品，包括已经量产的 61.44TB 和 122.88TB 型号，以及未来规划中的 245TB 版本。另外，展区中的 OceanDisk 1800 Smart Disk Enclosure 宣传资料显示，该 2U 机箱可实现 1.47PB 容量，并标注采用“基于 DoB 堆叠技术的大容量 SSD”。另一台 OceanDisk 1610 展示设备则标称可在 2RU 空间内搭载 36 块 61.44TB SSD，总容量达到 2.2PB。

作为对比，戴尔目前基于铠侠（Kioxia）245.88TB QLC NVMe SSD 的方案，在 2RU 机箱中可提供约 9.8PB 原始容量。华为 DoB 技术已经在一定程度上缩小了双方差距。

注意到，华为在 2024 年发布的《数据存储 2030》白皮书以及相关宣传材料中也重点介绍了 DoB 技术。

华为当时提到，这类 Wafer-Scale 技术需要解决超大芯片的制造、芯片的功能管理和监控、跨芯片连接、芯片散热、可靠性管理等问题。现在，华为研发团队经过专项技术攻关后，最终实现了该技术的规模化商用。

目前，该技术已应用于 OceanStor Pacific 9926 全闪分布式存储，以及配套的 OceanDisk QLC PCIe Gen4 SSD 产品中，提供 61.44TB 与 122TB 容量版本，但具体 NAND 层数尚未披露。

另外，华为 AI SSD 架构在主控芯片中集成 AI 加速单元，可实现存储与计算协同，从而降低数据传输能耗。采用 36 块 122.88TB PCIe Gen5 NVMe SSD 的 OceanStor Pacific 9926，在 2RU 机箱中可提供 4.42PB 原始容量，在 2.5:1 压缩比下有效容量可达到 11PB。