规模暴涨8倍！英特尔超大尺寸封装技术实现重要突破

据媒体报道，英特尔在超大尺寸封装技术上取得重要突破，目前已能够制造出尺寸超过光刻掩模版12倍的超大型芯片。

这一进展由英特尔位于美国新墨西哥州里奥兰乔的工厂推动，其先进封装能力正不断刷新“光罩极限”——当前封装尺寸已达到行业标准的8倍，并计划于2028年扩展至12倍以上。

超大规格封装面临的核心挑战在于底填材料的流动工艺。目前，采用EMIB（嵌入式多芯片互连桥接）技术的封装，底填最大流动距离约为43毫米，而标准封装仅为22毫米。当封装尺寸大幅增加时，不仅需要更长的流动距离，还极易残留气泡，影响可靠性。

为此，英特尔通过三项针对性改进攻克了上述难题：首先，优化底填材料配方，在降低粘度的同时延长流动距离，且不牺牲机械可靠性；其次，将传统的边缘点胶策略改为多点点胶，有效缩短了实际流动路径；最后，优化固化工艺，彻底消除残留空洞，实现了无气泡封装。

目前，这些超大芯片的封装尺寸已达240毫米 x 240毫米，对应的光罩尺寸达到24倍，这一规模在除面板级封装以外的所有封装类型中均属最大。

随着英特尔持续加速推进先进封装方案，其路线图显示，近期将把封装尺寸扩展至7倍以上光罩尺寸，下一步目标直指12倍以上；而面板级封装技术的引入，更有望将这一数字提升至50倍以上，为未来高性能计算和异构集成提供更广阔的物理空间。