消息称三星电子有望时隔 5 年再度大规模投资 NAND 闪存新产能

4 月 17 日消息，韩媒 the bell 当地时间本月 14 日报道称，三星电子有望时隔 5 年向 NAND 闪存新产能大幅度投资，计划在平泽 P5 晶圆厂中建设一条 NAND 生产线。

三星电子自 2022 年投产的平泽 P3 后就没有在 NAND 方面进行重大投资，存储器业务的精力主要放在了 DRAM 端。当前 NAND 市场供显著小于求，推高了产品定价；且随着 AI 产业的发展，客户对高性能大容量 SSD 的需求还将进一步提升。

平泽 P5 是一座 3 层的大型晶圆厂，每层拥有 2 个洁净室，因此总共有 6 个阶段 (PH)。三星电子考虑将 P5 的一个 PH 用于 NAND 制造；P5 PH1 则将服务于 1c nm DRAM 工艺。报道提到，三星电子还有意在 P5 附近再建设一座相同结构的 6 阶段大型晶圆厂。