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冲击 1000 层：三星披露 NAND 规划，SSD 容量目标 4 倍提升
感谢网友 华南吴彦祖、不一样的体验 的线索投递！ 6 月 24 日消息，科技媒体 Wccftech 昨日（6 月 23 日）发布博文，报道称三星披露下一代 NAND Flash（闪存）路线图，计划 2030 年前后冲击 900 至 1000 层 SSD。6 月 1...[详细]
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目标突破 1000 层：铠侠、闪迪下月展示多层堆叠单元架构 QLC NAND 闪存
5 月 4 日消息，据 TrendForce 今天报道，铠侠、闪迪将在 6 月 14-18 日参加 VLSI Symposium 研讨会，届时将同步展出多层堆叠单元架构 QLC NAND 闪存，向突破 1000 层 3D NAND 迈进。据报道，闪迪和铠侠已经...[详细]
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《挂机修仙》版本更新 - V1.0.94 - 优化战斗日志与溶器规则
正式版V1.0.94版本更新日志1、优化战斗日志大数据异常2、修改溶器规则，融器次数越多，强化比例越大【预计600转加10万次融器可1000层】[详细]
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为了1000层闪存，拼了
在当前科技浪潮中，3D NAND闪存技术凭借独特的存储单元堆叠设计，不仅显著提升了存储密度与容量，也有效降低了生产成本，成为了存储行业的明星。近日，由Lam Research、科罗拉多大学博尔德分校和美国能源部普林斯顿等离子...[详细]