美光 HBM4 / HBM4E 内存分别采用内部和台积电工艺基础逻辑裸片

美光在 >2025 财年第四财季及全财年财报电话会议上确认，该企业在 HBM4 内存堆栈底部的基础逻辑裸片（Base Logic Die）上采用的是内部 CMOS 工艺，而在 HBM4E 上该芯片将转由台积电代工。

美光表示 HBM4E 内存预计在 2027 年左右正式商业化，美光将在该世代提供行业标准型和客户定制型两类基础逻辑裸片解决方案以满足不同的需求，而定制型 HBM4E 有望带来更高的毛利率。

而对于离现在更近的 HBM4，美光确认部分客户对这一内存产品提出了高于 JEDEC 规范的每引脚 10Gbps 传输速率带宽要求，美光最近向客户出样了 11Gbps 速率的 HBM4。

针对整体 HBM 销售和供应，美光已与几乎所有客户就 2026 年绝大多数 HBM3E 供应量达成价格协议，而美光的 2026 年 HBM4 供应谈判正在积极进行，有望在未来数月达成；美光的首批 HBM4 生产出货将在明年二季度实现。

至于非 HBM 的其它存储产品线，美光宣布该企业在 2025 财年第四财季完成首批 10667MT/s 1-beta LPDDR5x 的 OEM 认证、取得首笔 1-gamma 服务器 DRAM 收入、在日本广岛生产基地安装首台用于 1-gamma DRAM 制造的 EUV 光刻机、性能级和主流级 G9 NAND 固态硬盘通过 OEM 客户认证。

展望 2026 年，美光预计行业内将继续出现 DRAM 内存供应紧张情况，同时 NAND 市场条件将持续加强。