消息称三星电子正为英伟达开发定制 8Hi HBM：17~18Gbps 高速设计

8 月 31 日消息，韩媒《首尔经济日报》当地时间 28 日报道称，三星电子正为 NVIDIA（英伟达）开发一款定制的 HBM 内存产品。其采用 8 层低堆叠设计，同时支持 17~18Gbps 的高引脚速率。

注：

原文同时称其为 HBM4E 和 NVHBM。但从 NVIDIA 的表述上来看，NVHBM 和标准 HBM4E 必然采用有差异的基础裸片 (Base Die) 设计，而 DRAM Die 是否能相同也有待考察。

三星电子此前出样的 HBM4E 内存支持至高 16Gbps 的引脚速率。

从技术上来看，低堆叠设计可减少 DRAM Die 用量、提升生产良率，从而压低制造成本、提升出货规模；而更高的速率能进一步化解 AI 加速器存在的“内存墙”问题，提升实际吞吐量。

对于三星电子而言，其同时经营存储器与晶圆代工业务，拥有全流程定制 HBM 开发能力，在 Base Die 的设计调整、Base Die 与 DRAM Die 的适配等上存在天然的优势。