澜起：计划 2026 年完成 MRDIMM 内存模组第三子代 MRCD / MDB 芯片工程研发

7 月 21 日消息，根据澜起科技今日发布的投资者关系活动记录表，该企业在 7 月 15~17 日就一系列话题与参与单位进行了交流。

澜起科技提到，计划 2026 年完成 MRDIMM 内存模组第三子代 MRCD（多路复用寄存时钟驱动器）与 MDB（多路复用数据缓冲器）芯片的工程研发。JEDEC 此前已宣布 DDR5 MRDIMM Gen2 将达到 12800MT/s，这意味着第三子代 MRDIMM 数据传输速率还将进一步提升。

澜起科技还计划在今年完成 PCIe 7.0 Retimer（重定时器）芯片及 PCIe Switch（交换器）芯片、以太网 PHY Retimer 芯片的工程样片 (Engineering Sample, ES) 流片。

澜起科技表示，MRDIMM 仍处于第二子代产品规模试用阶段；产业界正积极推进 CXL 技术的落地与商业化，众多 CSP 厂商正在积极试用相关产品；行业预期 2027 年 PCIe 6.0 Retimer 芯片将进入正式的规模应用阶段。