韩国全力打造新半导体集群!三星和SK海力士将斥重金布局存储产业
韩国砸5179亿美元打造半导体集群!三星、SK海力士加码存储与AI芯片,DRAM产能翻倍,HBM需求激增,投资提前12年完工。点击了解详情!
据媒体报道,韩国总统李在明公布了一项规模高达800万亿韩元(约合5179亿美元)的计划,希望推动本国半导体产业跨越式发展,并同步缩小区域经济差距。
本周一,李在明在总统府青瓦台迎宾馆主持召开面向全民的投资报告会,并进行了电视直播。全球两大存储芯片巨头三星电子与SK海力士的负责人共同出席,彰显了该计划在产业界的核心地位。
当前,随着全球云服务提供商及科技企业竞相扩展AI基础设施,市场对高带宽内存(HBM)芯片的需求已远超供应,三星与SK海力士作为AI热潮中的关键企业,已在首尔大都市圈及周边地区运营主要半导体设施,并正加速扩大产能。
为强化产业竞争力,韩国政府还出台了一系列支持措施:计划在未来15年内投入30万亿韩元用于下一代存储技术研发,加快构建覆盖存储制造、先进封装及半导体材料设备的完整产业链。
同时,政府将协助企业大幅加快投资进度,将新建晶圆厂的建设完工时间从原定的2040年代中期提前至2030年代中期,最多提前12年;此外,政府预期五年内将DRAM生产能力翻倍,并预计全球内存市场将在五年内增长四倍。
企业层面,三星电子会长李在镕表示,当前产能已无法满足持续爆发的AI芯片需求,公司正考虑在光州建设新的投资基地。
三星同日还正式宣布,计划在龙仁市和平泽市的半导体产业集群投资合计2655万亿韩元(含此前宣布的2030万亿韩元投资计划),以大幅扩充产能。
SK集团会长崔泰源则在会上宣布,公司计划投资1100万亿韩元扩大半导体供应。其中,在龙仁半导体产业集群投入约600万亿韩元扩充DRAM产能,在清州投资约100万亿韩元扩大NAND产能。同时,原定2045年完工的龙仁半导体产业群建设亦将提前12年完成。

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