应对高深宽比 3D 器件制造挑战：应用材料推出氮化硅 ALD 与钼蚀刻设备

6 月 18 日消息，无论是逻辑还是存储，当今半导体先进制程的一大趋势是从第三维度挖掘性能，而随着工艺升级，尺寸微缩的同时芯片 3D 结构的深宽比正逐渐提升。如何实现材料均匀分布从而提升器件性能正成为半导体制造领域的一大课题。

在此背景下，Applied Materials（应用材料）美国当地时间 15 日宣布推出氮化硅原子层沉积设备 Centris Spectral SiN ALD、钼选择性蚀刻设备 Producer Selectra Mo Etch，两者均可精准控制器件结构，提升晶体管表现并改善制造可行性。

Centris Spectral SiN ALD 引入了创新的高密度微波等离子体技术，即使在复杂的 3D 结构中也可以低温沉积致密均匀的 SiN 介电薄膜。

Producer Selectra Mo Etch 则旨在解决传统湿法蚀刻在高堆叠 3D NAND 字线分离工艺中的均匀性问题。其采用工程化的工艺控制和先进的气体输送技术，可提升蚀刻均匀性与轮廓精度，通过减少单元差异降低漏电并提高数据保持能力。