铠侠计划 2026 年夏天出样下代 BiCS10 1Tb TLC NAND 闪存
铠侠宣布2026年出样BiCS10 1Tb TLC闪存,332层设计比更高堆叠反而成本更低、能效更高,将用于PCIe Gen6企业级SSD,专注数据中心市场增长。
6 月 3 日消息,KIOXIA(铠侠)当地时间昨日举行了 2026 年投资者日活动。该企业宣布将在今年夏天出样 BiCS10 1Tb TLC NAND,这一闪存将用于下代支持 PCIe Gen6 的 CM 系列企业级固态硬盘中。
BiCS10 采用 332 层设计,堆叠层数低于部分竞争对手。铠侠在解释产品设计时表示,当前已无法仅通过提升堆叠改善 3D NAND 的成本结构,更高堆叠意味着工艺复杂性和制造成本的上升,此外高堆叠还不利于能效和可靠性表现。
铠侠表示,332L BiCS10 与其推测的 400L 产品相比实现了 10% 的成本降低、10% 的能效提升、35% 的可靠性优势。

在企业层面,铠侠预测 NAND 市场的整体出货容量在 2026~2028 年实现 22% 的 CAGR,其中数据中心领域的复合年均增长率达到 46%,而 AI 推理这一细分领域的增速将达到 86%;另一方面,PC、智能手机领域的需求则将持平或小幅下降。
此外,铠侠认为当前已是 NAND 市场供需失衡最为严重的时刻,未来将逐步改进,但到 2027 年底前供小于求的基本面不会改变。
在此背景下,铠侠正专注于数据中心和企业业务,目标将该细分领域对整体营收的贡献比例提升到 60% 以上,通过高附加值产品推动盈利能力的提升;而 PC、智能手机端收入规模则将保持稳定。
铠侠 2026~2028 财年的平均资本支出与研发支出都将较 2025 财年水平增长 60% 以上。该企业将快速推进制程升级,目标实现每年约 10% 的前端单位容量成本降低。
了解到,铠侠表示已就北上市生产基地的进一步扩建进行评估,目标在 2029 财年后投产。
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