拒绝挤牙膏！美光HBM4产出效率暴涨2倍 明年量产HBM4E已锁定

据报道，美光第六代高带宽内存HBM4产能爬坡进展顺利，其产能提升速度较上一代HBM3 12层产品实现2倍增长，且良品率优化速度显著加快。

美光科技全球运营副总裁马尼什·巴蒂亚日前在摩根大通投资大会确认，该产品将应用于英伟达AI计算平台Vera Rubin。

美光HBM4的核心DRAM芯片采用10纳米级第五代1β工艺，并由美光自主优化基底芯片以提升整体性能。

美光计划于明年量产下一代HBM4E标准产品。HBM4E将采用10纳米级第六代1γ工艺，这是美光首次在量产工艺中引入ASML的EUV光刻设备。

此外，美光将改变生产策略，HBM4E的基底芯片将委托台积电进行制造。美光HBM4E首批产品将符合JEDEC标准，后续会根据客户需求提供定制化版本。

预计到今年年中，美光基于1γ工艺的DRAM及第九代NAND闪存出货量将占据总量的半数以上，其中1γ工艺DRAM有望成为美光史上最大规模的单一DRAM工艺。

行业竞争方面，三星电子计划于今年第二季度交付HBM4E样品，其基底芯片由三星代工部门采用4纳米工艺制造。

SK海力士计划于今年下半年提供HBM4E样品，明年正式量产，其基底芯片由台积电采用3纳米工艺生产。