NEO Semiconductor 完成 3D 堆叠内存 X-DRAM 概念验证，可用现有 NAND 产线制造

4 月 24 日消息，3D 存储半导体 IP 企业 NEO Semiconductor 美国加州当地时间 23 日宣布其 X-DRAM 成功完成概念验证芯片制造，证明这一 3D 堆叠内存可利用现有 3D NAND 闪存生产线制造。

NEO Semiconductor 的 X-DRAM 验证芯片实现了 10¹⁴ 循环耐久，读写延迟＜10ns，85℃ 下数据保持时间＞1s（注：这一数据是 JEDEC 为标准 DRAM 给出的 64ms 的 15 倍）。

NEO Semiconductor 同时宣布得到了宏碁创始人施振荣领导的新一笔战略投资。