1cnm工艺加持！SK海力士量产192GB SOCAMM2内存模组：带宽翻倍能效提升超75%

SK海力士今日宣布，已开始量产192GB的SOCAMM2内存模组。该产品基于1cnm工艺（第六代10纳米技术）LPDDR5X低功耗DRAM，是下一代内存模组标准。

SOCAMM2是一种将原本用于智能手机等移动产品的低功耗内存适配到服务器环境的新型模块。它被设计为下一代人工智能服务器的主存解决方案。

它采用纤薄外形设计，具备高可扩展性，其压缩连接器可提升信号完整性，且便于模块更换。

与传统RDIMM相比，SK海力士强调量产版SOCAMM2的带宽提升一倍以上，能效优化超过75%，为高性能AI运算提供了优化方案。

RDIMM是服务器和工作站常用的DRAM模块，内部包含寄存器或缓冲芯片，用于在内存控制器与DRAM芯片之间中继地址和命令信号。

SK海力士特别指出，其SOCAMM2产品专为英伟达Vera-Rubin平台设计。

SK海力士预计，该新品将从根本上解决数千亿参数大语言模型在训练和推理中遇到的内存瓶颈，从而显著加速整体系统的处理速度。

随着AI市场重心从推理转向训练，能够以低功耗运行大语言模型的SOCAMM2正获得广泛关注。

为满足全球云服务提供商（CSP）客户的需求，SK海力士已提前稳定了其大规模生产体系，并提供完整的产品组合。

SK海力士总裁兼AI基础设施负责人贾斯汀·金表示，通过推出192GB SOCAMM2，公司为AI内存性能树立了新标准，并将通过与全球AI客户紧密合作，巩固其作为最值得信赖的AI内存解决方案提供商的地位。