索尼公布 IMX820 全画幅传感器参数：24MP 部分堆栈式、CoW BI 技术，应用于尼康 Z6III、松下 S1II

3 月 17 日消息，索尼半导体官网现已列出了 IMX820 全画幅 CMOS 传感器，采用 2400 万像素部分堆栈式设计，不过详细规格白皮书并没有列出。

据消息源 SonyAlpha Rumors 前天透露，这款传感器目前被应用于尼康 Z6III、松下 Lumix S1II 等产品。不过索半并没有列出 Alpha 7 V 相机搭载的 3300 万像素部分堆栈式传感器，目前该 CMOS 仅供索尼自家独占使用，肥水不流外人田。

消息人士对此表示，这颗 3300 万像素部分堆栈式传感器将独占至 2027 年，此后尼康等厂商也有望拿到同款 CMOS。

值得注意的是，IMX820 传感器搭载了“CoW BI”技术，因此我们有理由推测 Alpha 7 V 的那颗 3300 万像素 CMOS 也采用相同技术。

作为参考，半导体制造商通常会使用 WoW（注：Wafer-on- Wafer，晶圆对晶圆）技术封装 CMOS，将整片像素晶圆与整片逻辑电路晶圆压合，然后再切割成单个传感器。

而 CoW（Chip-on- Wafer）技术则有所不同，先将其中一片晶圆切割成单独芯片，然后再将这些独立芯片贴合到另一整片未切割的晶圆上。这种技术能够带来许多优势。

这些优势其中之一就是减少硅片浪费，因为全画幅 / 中画幅传感器的像素层面积非常大，传统 WoW 方案要求像素晶圆下方键合的逻辑电路晶圆尺寸完全匹配，导致很多硅片被白白浪费。而 CoW 可以将小型逻辑晶圆贴合到较大的传感器上，尺寸不必完全匹配，大幅提升资源利用率。

并且 WoW 封装技术良率并不算高，如果逻辑晶圆有缺陷则会连带报废掉上方完好的像素晶圆。而 CoW 则可以先筛选出良品晶圆再进行贴合，显著提升良率并降低制造成本。

此外，CoW 技术还可以应用微观铜对铜 (Cu-Cu) 混合键合技术，将 A/D 转换器、DRAM 等直接贴在像素晶圆上方，能够带来更高并行数据处理能力，实现无果冻效应的全域快门。