SK 启方半导体成功开发 450~2300V 碳化硅 (SiC) 平面 MOSFET 工艺平台

3 月 16 日消息，SK 海力士旗下 8 英寸纯晶圆代工厂 SK 启方半导体 (SK keyfoundry) 本月 11 日宣布，该企业已在近期完成 450~2300V 宽电压范围碳化硅 (SiC) 平面 MOSFET 工艺平台的开发。

了解到，这也是 SK 启方半导体收购同属 SK 集团的 SiC 专业公司 SK powertech 后整合双方核心能力的首个成果。

SK 启方半导体表示，该技术平台已在高压工作环境下获得了高可靠性与稳定性数据，产品良率达 90% 以上。该企业已获得一家专注于 SiC 设计的客户的 1200V 高压产品订单，相关产品已在开发之中，预计 2027H1 全面量产。