消息称三星电子目标 2026 年 9 月率先完成 1d nm DRAM 内存研发

8 月 19 日消息，韩媒 the bell 在其当地时间 8 月 13 日发布的文章中表示，根据业内人士的透露，三星电子目标 2026 年 9 月率先完成 1d nm DRAM 内存研发，2026 年 12 月进入量产转移阶段，2027H1 启动生产线建设，有望 2027 年底实现首批量产。

SK 海力士此前在业界率先完成 1c nm 节点 DRAM 开发，三星电子试图在 1d nm 阶段重夺“技术领先”桂冠。另一方面，三星电子已定下为 HBM5E 内存导入 1d nm DRAM Die 的目标，提早完成底层技术构建可为后续 HBM 的推出打下坚实基础。

与此同时，SK 海力士的 1d nm DRAM 目前处于热测试良率提升阶段，预计 2026 年 12 月完成研发。

不过，三星电子和 SK 海力士的 1d nm DRAM 技术目前仍处于较早期阶段，整体产品完成度离量产目标仍有很大的待优化空间。