三星预估“内存繁荣”仅持续一至两年，全球存储芯片市场届时或迎转折

3 月 16 日消息，当地时间 3 月 13 日，据韩媒 The Chosun Daily 报道，三星电子半导体（DS）业务今年预计将创下历史最好业绩。不过，公司内部已经开始担心，当前由存储芯片供应紧张带来的繁荣可能只会持续一到两年，之后市场可能再度进入下行周期。

随着全球 AI 基础设施投资迅速增加，存储芯片需求预测的不确定性也在上升。行业曾出现过因误判需求而过度扩产的情况，随后市场转冷，企业承担巨额亏损。

行业人士透露，三星电子 DS 部门管理层正在讨论一种情形：全球存储芯片市场可能在 2028 年前后出现转折。因此，公司一方面希望抓住 AI 带来的高利润机会，另一方面也在努力提升运营效率，避免再次出现过度投资。

三星正在扩大 HBM 和先进 DRAM 工艺投资，同时也在研究应对需求突然放缓的方案。业内分析认为，AI 带动的存储需求变得更加波动，市场周期也明显缩短，使得确定产能规模和投资节奏更加困难。

短期来看，扩大 DRAM 和 HBM 供应仍是行业共识。从报道中获悉，英伟达、AMD 和博通等科技公司对 HBM 需求强劲，这种需求预计至少会持续到明年。目前三星和 SK 海力士已有超过一半的 DRAM 销售来自 HBM，随着更多产能转向 HBM，智能手机、PC 和服务器使用的传统 DRAM 开始出现供应紧张。

NAND 闪存市场的风险可能更大。如果当前扩产速度持续，供应过剩可能比 DRAM 更早出现。DRAM 市场主要由三星、SK 海力士和美光三家公司控制，在 NAND 市场，也有铠侠、长江存储等更多竞争者。随着技术和产能提升，NAND 价格竞争近年来明显加剧，三星和 SK 海力士也难以完全避免亏损。

一位熟悉三星情况的行业人士表示，去年夏天，三星和 SK 海力士都没有预料到当前这轮 AI 带动的市场繁荣，显示出半导体市场预测已经变得越来越困难。该人士还表示，正因如此，三星的“经营支持”团队正在围绕更严格的市场验证和预测来制定投资计划。