我国计算材料物理领域的奠基者与开拓者之一王崇愚逝世，曾为“两弹一星”研制高导磁材料

3 月 6 日消息，清华大学物理系今日发布讣告，中国科学院院士、计算材料物理专家、清华大学物理系教授、我国计算材料物理领域的奠基者与开拓者之一王崇愚同志，因病医治无效，于 2026 年 3 月 3 日 13 时 31 分在北京逝世，享年 93 岁。

讣告称，王崇愚 1932 年 10 月 12 日出生于辽宁丹东，籍贯北京。1950 年在北洋大学物理冶金专业学习，1952 年院系调整进入清华大学，1958 年进入冶金部钢铁研究总院第二研究室工作，历任技术员、工程师、高级工程师、教授；1999 年调入清华大学物理系任教授，1993 年当选为中国科学院院士（学部委员）。

他长期致力于材料缺陷电子理论的基础性研究，曾提出并发展多尺度跨层次序列算法及协同算法，建立了相应的理论研究框架以及缺陷能量学表述和处理模式，为我国材料科学发展作出重大贡献。

通过多尺度理论与计算方法的创新，王崇愚架起微观电子结构与宏观物性的桥梁，为高性能合金设计、材料缺陷调控等领域提供了关键理论支撑，为我国基础科学研究和人才培养作出重大贡献。他几十年来坚持教书育人，以热忱之心关怀每一位学生的成长，为国家培养了一大批优秀人才。

公开资料显示，20 世纪 60 年代，“两弹一星”工程处于全面展开阶段，王崇愚和他的研究团队曾接受了一项特殊的任务 —— 为导弹控制系统研制高导磁材料。在实验和分析的过程中，他们发现合金中微量的氧控制着材料的导磁特性，而之前氧元素一般被视为合金中的杂质。

研究团队设计了独具特色的“充氧工艺”，采取控制合金中氧含量的工艺措施，在几类磁性合金中成功应用，使产品最大磁导率和恒磁导率都满足了军工需要。后来，这一重大科技突破，被应用于国产“东风”系列导弹。

王崇愚院士遗体告别仪式定于 2026 年 3 月 9 日（星期一）上午 8 时 30 分，在昌平殡仪馆久安厅举行。附讣告全文如下：