欧洲再给EUV光刻机打鸡血：多吸氧气就能提高芯片产量

EUV光刻机商业量产已经8年了，然而产能还有很大优化空间，ASML前几天公布了一项光源功率提升到1000W的新技术，现在欧洲又找到了新的优化方法。

这次靠的是IMEC欧洲微电子中心，也是全球EUV技术研发的核心之一，他们跟ASML提升光源功率的技术不同，这次提升的是EUV光刻之后的烘培阶段的效率。

根据他们公布的数据，在PEB（Post-Exposure Bake曝光后烘培）阶段提高氧气浓度就能提高光刻胶的感光速度，进而提升产能效率。

具体来说，PEB的氧气浓度从标准大气中的21%提升到50%，MOR型光刻胶的感光速度就能提升15-20%。

别小看这一点效率提升，光刻胶感光速度提升不仅意味着用量减少，也意味着单位时间内产能提升，这对提高EUV光刻机产量、降低光刻成本都有重要意义。

相比DUV光刻主要使用CAR化学增幅型光刻胶，EUV光刻技术会全面转向MOR金属氧化物型光刻胶，是提高光刻分辨率、缩小栅极距、降低缺陷率的关键材料之一。