消息称三星加速建设韩国工厂新产线：回应 DRAM 市场需求，有望提前投产

据韩媒 ChosunBiz 昨天报道，随着人工智能带动存储半导体产业走向火热，三星正在推动其韩国半导体工厂扩张产能。在决定重启建设平泽市 P5 产线后，公司已进入招标基础设施阶段，同时平泽 P4 工厂也有了扩充产能的新动向。

据业内消息，三星电子正在以竞标的方式为平泽 P5 工厂采购气体和化学品供应设备，通常来说，这类设备一般会在工厂主体结构完工后再采购，但此次三星计划采用主体施工、设备招标与安装同步推进的“三步一起走”模式，意在提前量产时间，尽快回应市场上火热的 DRAM 需求。

P5 工厂是三星在平泽第二园区内规划的新产线。公司内部近期已决定推进主体工程建设，并将目标投产时间定在 2028 年。

不过随着内存短缺潮不断升温，市场普遍认为三星可能会进一步提早 P5 产线的投产时间，整体投资规模至少为数千亿韩元，甚至可能到数万亿韩元级别。

一位熟悉三星电子的业内人士透露：“此次 P5 投资的推进速度前所未有。通常气体、化学类设备都是在主体完工后才建设，但这次公司显然是决定并行推进。反映出高管意图对市场变化做出迅速转变”。

与此同时，三星平泽 P4 工厂的扩建工程也呈现加速趋势，这家工厂主要生产 10nm 级第六代 1c DRAM，相关设备导入与试运行相比原计划提早 2-3 个月，产出的 1c DRAM 将用于明年的 HBM4 芯片。

不过由于相关工程仍处施工阶段，因此三星不太可能在 2026 年就解决内存市场短缺状况，真正的转机很可能要等到 2026 年末或 2027 年。