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可替代EUV光刻机 工艺直逼1.4nm 日本开发全新纳米压印技术

导语
日本DNP开发10nm纳米压印技术,可替代EUV光刻机,直逼1.4nm工艺,能耗仅主流1/10,预计2027年量产。

虽然在EUV光刻机上已经出局,但日本依然是全球第二大光刻机供应商,这几年日本公司也在憋足劲开发可替代EUV的光刻方案,他们选择了NIL纳米压印技术路线。

此前日本佳能、尼康等公司有过这种技术展示,现在日本DNP公司(**印刷株式会社)也宣布开发出了10nm的NIL纳米压印技术,可以将电路图直接印在基板上,该技术可以用于1.4nm工艺的逻辑芯片曝光。

具体技术上,DNP的10nm纳米压印技术采用SADP自对准双重图案技术,一次曝光+两次图案能够制造成双倍精度的芯片,可以满足先进工艺逻辑芯片的要求,而且功耗优势明显,DNP公司称其能耗只有当前主流工艺的1/10左右。

该公司已经研发NIL技术超过20年,目前的技术已经可以部分替代EUV光刻,为芯片制造商提供另一种高精度工艺生产的选择,现在已经在跟硬件供应商合作启动技术评估。

DNP公司预计在完成客户验证,建立量产和供应体系之后,预计2027年开始量产出货。

【来源:快科技】

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