首次！中国芯片领域取得新突破 改进光刻胶缺点：提升7nm及以下先进制程良率

据国内媒体报道称，我国芯片领域取得新突破，具体来说是在光刻胶领域。

北京大学化学与分子工程学院彭海琳教授团队及合作者通过冷冻电子断层扫描技术，首次在原位状态下解析了光刻胶分子在液相环境中的微观三维结构、界面分布与缠结行为，指导开发出可显著减少光刻缺陷的产业化方案。相关论文近日刊发于《自然通讯》。

光刻胶如同刻画电路的颜料，它在显影液中的运动，直接决定电路画得准不准、好不好，进而影响芯片良率。

长期以来，光刻胶在显影液中的微观行为是“黑匣子”，工业界的工艺优化只能靠反复试错，这成为制约7nm及以下先进制程良率提升的关键瓶颈之一。

研究人员最终合成出一张分辨率优于5nm的微观三维“全景照片”，一举克服了传统技术无法原位、三维、高分辨率观测的三大痛点。

彭海琳表示，冷冻电子断层扫描技术为在原子/分子尺度上解析各类液相界面反应提供了强大工具。深入掌握液体中聚合物的结构与微观行为，可推动先进制程中光刻、蚀刻和湿法清洗等关键工艺的缺陷控制与良率提升。